手のひらサイズのIRスペクトロスコピー、MEMS技術のおかげ
IR（赤外線）スペクトロスコピー(図1)が手のひらサイズになった。これは、英国のベンチャー、パイレオス（Pyreos）社が開発したMEMS技術によるIRセンサを使い、自社で開発したものだ。従来、IRスペクトロスコピー（分光分析器）はデスクトップのサイズしかなく、重量は数十kgもあり、しかも温度補償が必要であり、100万円以上と高価だった。 [→続きを読む]
技術分析
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VoLTE技術は、高音質・低レイテンシで音声回線を不要にする
LTEは、NTTドコモの「Xi（クロッシィ）」の名称などで実用化されており、データレートが数十Mビット/秒と速いことが特長である。が、どうやらこれだけではなさそうだ。VoLTE（ボルテと発音；Voice over LTE）技術を導入することで、LTEは音声回線スイッチを使わない初めての通信ネットワークになる可能性を秘めている。半導体仕様への影響も大きい。通信機器のエリクソンがVoLTEを進めている。 [→続きを読む]
拡張性を常に意識、テクノロジーを未来へ発展させるNIの成長戦略
半導体企業やその関連企業はすべてテクノロジー企業である。テクノロジー企業を成長させるためには製品や技術に発展性あるいは拡張性を持たせることが必要だろう。拡張性があれば既存の回路やシステムは、再利用し低コストで次の世代のテクノロジーにつなげることができる。半導体メーカーではないが、測定器メーカーから出発したNational Instruments社は、拡張性あるテクノロジーを開発し続け成長している(図1)。 [→続きを読む]
NIがワイヤレス分野に本格参入、ハンドヘルドの802.11ac測定器を開発
ナショナルインスツルメンツ（NI）社は、ワイヤレス通信で欠かせないRF信号を使った回路や半導体チップをテストするための簡便なツールを発表した。これは次世代の高速Wi-Fi規格である802.11acやLTEに対応する信号発生器と信号解析器をPXIモジュール内に搭載した、超小型のVST（ベクトル信号トランシーバ）である。 [→続きを読む]
SiCパワーモジュール、MOSFETの製品化相次ぐ
SiCのパワーモジュールが相次いで市場に出てきた。三菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールを市場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発に取り組みショットキダイオード（SBD）を13年後半には生産する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→続きを読む]
アプライド、メガトレンドに沿った3D/20nm以下対応製造装置を着実に提供
アプライドマテリアルズ（Applied Materials）社は、3D IDや20nm以下の装置をいくつかSEMICON Westで発表したが、半導体市場のメガトレンドを見据えたビジネス戦略を改めて確認した。同社日本法人代表取締役社長の渡辺徹氏は、モビリティが市場をけん引しているため、それに合わせた装置開発を続ける姿勢を崩さない、と断言する。 [→続きを読む]
スパンション、音声認識専用コプロセッサを開発、760ビットの内部バス利用
NORフラッシュメモリを大量に使う新しい用途が開けてきた。音声認識用の辞書や意味解析などのデータベースをNORフラッシュに大量にため込むという用途である。高速・不揮発性・大容量という特性を生かした応用といえる。スパンションがNORフラッシュをベースにした音声認識用のチップを開発、音声認識技術の要求の強い自動車市場に向けた。 [→続きを読む]
インベンサス、新生テセラの半導体パッケージ企業として革新技術で再稼働
2012年はじめに日本オフィスを閉じたテセラ（Tessera）社。今は持ち株会社としての存在で、事業会社として半導体パッケージング技術会社のInvensasと、カメラモジュール会社のDigital Opticsを傘下に持つ新生テセラとして生まれ変わった。インベンサス（Invensas）は新型パッケージのソリューションを提供する研究開発会社として再稼働し始めた。 [→続きを読む]
折り曲げてもびくともしないThunderbolt光ファイバ配線を住友電工が製品化
インテルは、パソコン用の高速データバスをベースとするPCI Express（PCIe）と、ディスプレイへビデオ伝送などを行うDisplay Portを、マルチプレスして1本のケーブルで伝送できるThunderbolt技術を提案してきたが、住友電気工業はこれをサポートする光ファイバケーブルを製品化した。このほどテクトロニクス社が主催したテクトロニクス・イノベーション・フォーラム2012の中でその詳細を語った。 [→続きを読む]
LEAP、LSI消費電力削減のためMOSの��Vt低減、不揮発性メモリに力点
LEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）が2012 IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits (通称VLSI Symposium)で3件もの論文を発表した。同研究組合は、コンピュータシステムを論理回路、1次メモリ、2次メモリ、外部記憶と分けて、それぞれの低消費電力技術に取り組んでいる。 [→続きを読む]
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