2013年6月21日
|技術分析(半導体製品)
新WiFi規格IEEE802.11ac(5G WiFi)に準拠したスマートフォンが続々登場している。最近発表されたSamsungのGallaxy S4、HTC One、シャープのアクオスフォンZeta SH-06EなどがBroadcomの802.11acチップを搭載している。BroadcomはさらにBluetooth Smart(参考資料1)も集積したコンボチップを発売、この高速5G WiFiのキャンペーンを展開し始めた。
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2013年6月20日
|技術分析(半導体製品)
Intel互換機のX86アーキテクチャで高性能を追求してきたAMDがとうとう方針を変更する。ARMアーキテクチャも導入するのである。AMDはハイエンドのCPUとAPU 3機種を発表、うちSeattle(シアトル)というコードネームを付けられた製品はARMアーキテクチャを採用する。
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2013年6月19日
|技術分析(プロセス)
Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。
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2013年6月13日
|技術分析(半導体製品)
Intel、AMDは、モバイルからデスクトップパソコンまでの用途に向けた新しいマイクロプロセッサを発表した。Intelが発表したのは第4世代のCore i3/i5/i7マイクロプロセッサ、AMDはJaguarクアッドコアを採用したA4、A6、A8、A10という一連のマイクロプロセッサ。
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2013年6月12日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)とLEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。
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2013年6月 4日
|技術分析(半導体応用)
Bluetooth Smart Readyがアンドロイドフォンにも搭載されることが決まった。Bluetooth Smartは、低消費電力版であるBluetooth Low Energy(BLE)の発展版として生まれた。今、Bluetooth Smart、Bluetooth Smart Readyという規格が注目されている。この新規格Bluetooth Smartとは何か。BLEとの違いを含めて、これらを整理してみる。
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2013年5月30日
|技術分析(プロセス)
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量産品を出荷しており、その量産規模拡大を進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち上げに狙いを絞っていることを明らかにした(図1)。
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2013年5月22日
|技術分析(プロセス)
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。
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2013年5月17日
|技術分析(半導体製品)
富士通セミコンダクターは、画像映像合成用のグラフィックスシステムLSIを開発、自動車のティア1メーカー向けに8月からサンプル出荷していく。4方向、合計4台のカメラからの映像(動画)を合成し表示する機能を持つ。クルマの上の視線からだけではなく、360度周囲からクルマを見たような映像を作り出す(図1)。
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2013年5月10日
|技術分析(半導体応用)
究極の超低消費電力動作を目指して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギーハーベスティング用デバイスを開発、ユーザーに提案するため、ESEC(組込みシステム開発技術展)に出展した(図1)。このデバイスは、200mVを直接1.8Vに昇圧するDC-DCコンバータと、4μWで動作するマイクロコントローラ(マイコン)だ。
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