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Broadcom、802.11ac規格に準拠したWiFiチップでIoT市場を攻める

Broadcom、802.11ac規格に準拠したWiFiチップでIoT市場を攻める

新WiFi規格IEEE802.11ac(5G WiFi)に準拠したスマートフォンが続々登場している。最近発表されたSamsungのGallaxy S4、HTC One、シャープのアクオスフォンZeta SH-06EなどがBroadcomの802.11acチップを搭載している。BroadcomはさらにBluetooth Smart(参考資料1)も集積したコンボチップを発売、この高速5G WiFiのキャンペーンを展開し始めた。 [→続きを読む]

AMDもARMアーキテクチャを採用、Cortex-A57コアでハイエンドCPUを構成

AMDもARMアーキテクチャを採用、Cortex-A57コアでハイエンドCPUを構成

Intel互換機のX86アーキテクチャで高性能を追求してきたAMDがとうとう方針を変更する。ARMアーキテクチャも導入するのである。AMDはハイエンドのCPUとAPU 3機種を発表、うちSeattle(シアトル)というコードネームを付けられた製品はARMアーキテクチャを採用する。 [→続きを読む]

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、全ビット動作確認

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、全ビット動作確認

NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)とLEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。 [→続きを読む]

Bluetooth Smart規格がスマホのアクセサリ市場を牽引する

Bluetooth Smart規格がスマホのアクセサリ市場を牽引する

Bluetooth Smart Readyがアンドロイドフォンにも搭載されることが決まった。Bluetooth Smartは、低消費電力版であるBluetooth Low Energy(BLE)の発展版として生まれた。今、Bluetooth Smart、Bluetooth Smart Readyという規格が注目されている。この新規格Bluetooth Smartとは何か。BLEとの違いを含めて、これらを整理してみる。 [→続きを読む]

富士通セミコン、360度の視点で映像を合成するSoC、クルマ用途狙う

富士通セミコン、360度の視点で映像を合成するSoC、クルマ用途狙う

富士通セミコンダクターは、画像映像合成用のグラフィックスシステムLSIを開発、自動車のティア1メーカー向けに8月からサンプル出荷していく。4方向、合計4台のカメラからの映像(動画)を合成し表示する機能を持つ。クルマの上の視線からだけではなく、360度周囲からクルマを見たような映像を作り出す(図1)。 [→続きを読む]

ルネサス、0.2V→1.8Vの昇圧DC-DCコンと4μWで動作するマイコンを開発

ルネサス、0.2V→1.8Vの昇圧DC-DCコンと4μWで動作するマイコンを開発

究極の超低消費電力動作を目指して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギーハーベスティング用デバイスを開発、ユーザーに提案するため、ESEC(組込みシステム開発技術展)に出展した(図1)。このデバイスは、200mVを直接1.8Vに昇圧するDC-DCコンバータと、4μWで動作するマイクロコントローラ(マイコン)だ。 [→続きを読む]

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