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Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→続きを読む]
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンが市販車のカーレース、Super GTに参戦する。ADAS（Advanced Driver Assist System：次世代ドライバー支援システム）を実際のレースでテストしてみるのがその目的だ。速度やエンジン回転数などの車両情報、クルマの前後左右の周辺情報、そしてドライバーの生体情報を、同期をとりながら取得していく。 [→続きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる回路が膨大になるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと名付けた(図1)。CLB（Configurable Logic Block）周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→続きを読む]
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを製品化した。MEMSラストのプロセスで製造、振動子としてSiGe薄膜を用いたことでSiよりも機械的強度が強く、急冷･急熱や衝撃にも強いため、±20ppmの周波数安定性を10年間保証する。 [→続きを読む]
バウンダリスキャン法がBGAや3次元ICのハンダボールの接続をテストする手法として、JPCA（日本電子回路工業会）ショー2013で注目された。アンドールシステムサポートが積極的にこの手法を推進しているのに加え、富士通インターコネクトテクノロジーズも、スーパーコンピュータ｢京｣のテストにこの手法を使っていたと述べた。 [→続きを読む]
新WiFi規格IEEE802.11ac（5G WiFi）に準拠したスマートフォンが続々登場している。最近発表されたSamsungのGallaxy S4、HTC One、シャープのアクオスフォンZeta SH-06EなどがBroadcomの802.11acチップを搭載している。BroadcomはさらにBluetooth Smart（参考資料1）も集積したコンボチップを発売、この高速5G WiFiのキャンペーンを展開し始めた。 [→続きを読む]
Intel互換機のX86アーキテクチャで高性能を追求してきたAMDがとうとう方針を変更する。ARMアーキテクチャも導入するのである。AMDはハイエンドのCPUとAPU 3機種を発表、うちSeattle（シアトル）というコードネームを付けられた製品はARMアーキテクチャを採用する。 [→続きを読む]
Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]
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