SuVolta社、富士通に続き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
技術分析
» セミコンポータルによる分析 » 技術分析
Infineonのパワー半導体、新パッケージ技術で差を付ける
パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]
Xilinx、UltraScaleアーキテクチャで大規模FPGAの配線、クロック分配を刷新
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる回路が膨大になるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと名付けた(図1)。CLB（Configurable Logic Block）周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→続きを読む]
1チップMEMS CMOS ICのクロック発生器をSiLabsが製品化
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを製品化した。MEMSラストのプロセスで製造、振動子としてSiGe薄膜を用いたことでSiよりも機械的強度が強く、急冷･急熱や衝撃にも強いため、±20ppmの周波数安定性を10年間保証する。 [→続きを読む]
3次元ICや基板内蔵ICのテスト法の主流になるか、バウンダリスキャン
バウンダリスキャン法がBGAや3次元ICのハンダボールの接続をテストする手法として、JPCA（日本電子回路工業会）ショー2013で注目された。アンドールシステムサポートが積極的にこの手法を推進しているのに加え、富士通インターコネクトテクノロジーズも、スーパーコンピュータ｢京｣のテストにこの手法を使っていたと述べた。 [→続きを読む]
Broadcom、802.11ac規格に準拠したWiFiチップでIoT市場を攻める
新WiFi規格IEEE802.11ac（5G WiFi）に準拠したスマートフォンが続々登場している。最近発表されたSamsungのGallaxy S4、HTC One、シャープのアクオスフォンZeta SH-06EなどがBroadcomの802.11acチップを搭載している。BroadcomはさらにBluetooth Smart（参考資料1）も集積したコンボチップを発売、この高速5G WiFiのキャンペーンを展開し始めた。 [→続きを読む]
AMDもARMアーキテクチャを採用、Cortex-A57コアでハイエンドCPUを構成
Intel互換機のX86アーキテクチャで高性能を追求してきたAMDがとうとう方針を変更する。ARMアーキテクチャも導入するのである。AMDはハイエンドのCPUとAPU 3機種を発表、うちSeattle（シアトル）というコードネームを付けられた製品はARMアーキテクチャを採用する。 [→続きを読む]
28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか
Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]
パソコンのCPUもアプリケーションプロセッサになった
Intel、AMDは、モバイルからデスクトップパソコンまでの用途に向けた新しいマイクロプロセッサを発表した。Intelが発表したのは第4世代のCore i3/i5/i7マイクロプロセッサ、AMDはJaguarクアッドコアを採用したA4、A6、A8、A10という一連のマイクロプロセッサ。 [→続きを読む]
LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、全ビット動作確認
NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）とLEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→続きを読む]
<<前のページ 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 次のページ »
