技術分析（半導体製品）

ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV（電気自動車）用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場（図1）にSiCデバイスの6インチラインを増設する。 [→続きを読む]

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス規制/低燃費に対応し、コネクテッドカー向けのセキュリティと大容量フラッシュメモリ容量、そして機能安全のASIL-Dに準拠し自動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設計したフラッシュマイコン。 [→続きを読む]

磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今年末から一気に加速しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ部門と、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018年末に組み込みMRAM（eMRAM）のリスクプロダクションを開始すると東北大学主催のCIES（Center for Innovative Integrated Electronic Systems）Technology Forumで発表した。 [→続きを読む]

家庭内のWi-Fi機器が数十台もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに力を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON技術も開発した。 [→続きを読む]

クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの市場としてもカーエレクトロニクス市場は大きい。ヘッドランプ/テールランプ用LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも活躍する。パワー関係もいくつか拾ってみる。 [→続きを読む]

Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4種類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮遊ゲート型のメモリセル構造を持つ。東芝やSamsungがMNOS構造を採用したのとは対照的。SSDとしての工夫も多い。 [→続きを読む]

TSV（Through Silicon Via）を使い、シリコンチップを積み重ねて配線電極を貫通させる3次元ICは、TSV工程のコスト高が問題でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み重ねた3次元ICであるHBM（High Bandwidth Memory）は、ハイエンドのHPC（High Performance Computing）分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルに降りてきた。 [→続きを読む]

Intelは、バンド幅が512Gバイト/秒と極めて広いHBM2（High Bandwidth Memory）を搭載したFPGA「Stratix 10 MX」の販売を開始した。HBMはTSV（Through Silicon Via）を使って、DRAMメモリアレイチップを縦に重ねた構造を持つ高密度メモリ。大量のデータを一気に流す用途に適している。 [→続きを読む]

米国に遅れること3年。日本でもAIスピーカーが登場してきた。Googleが「Google Home」、 Amazonは「Amazon Echo」、LINEは「Clova WAVE」などが日本語を理解する音声認識ソフトウエアを使ったAIスピーカーという名称で登場してきた。音声もビームフォーミングで指向性を調整することで認識率を高めることができる。これを可能にするチップを英ファブレスのXMOSが投入している。 [→続きを読む]

IoT向けのチップは、センサごとにアナログフロントエンド回路が異なるため、ウェアラブルや工業用IoTなど用途を決めて設計する必要がある。Maxim Integratedは、心拍数計測用チップMAX86140/86141と、心電図・生体インピーダンス計測用アナログフロントエンド（AFE）を集積したMAX30001を発表した。さらに複製できないセキュア認証用のチップDS28E38も追加発表した。 [→続きを読む]