TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを製品化
GaNやSiCのような高速のパワー半導体は性能の優位性は明確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基板上で使いにくさが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを握ることをすでに伝えたが（参考資料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→続きを読む]
技術分析（半導体製品）
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新生Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPで勝負
英国のIP（Intellectual Property）ベンダーの一つ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主力製品POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応用もかつての主要1社から多岐に渡る。 [→続きを読む]
Analog Devices、GaNパワーFETを駆動するシリコンICでGaN回路設計を容易に
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023年に新製品として発売していたが、このほどその背景について明らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子移動度も2000cm2/Vsと高く高速動作に適している。一方、高速すぎて使いにくい点もある。 [→続きを読む]
Arm、モバイルにも簡単な生成AIを搭載できるサブシステムIPを開発
IntelやAMD、Qualcommまでがパソコン向けのAI機能内蔵のSoCプロセッサを発表し、パソコンにAI機能がこれから入っていく時代になるが、スマートフォンのようなモバイルにもAI機能が入っていく時代になりそうだ。モバイル半導体IPの覇者ArmがAI機能を搭載できる新IP「Arm Compute Subsystems（CSS）for Client」を発表した。電力効率が高いことが最大の特長となる。 [→続きを読む]
日本生まれのファブレスEdgeCortix、本格的な生成AIチップを製品化
日本生まれのファブレス半導体スタートアップ、EdgeCortixが生成AI用の新しい半導体チップ「SAKURA-II」をリリース（図1）、60 TOPS（Trillion Operations per Second）という高性能ながら、従来のチップよりも消費電力がはるかに少ない8Wだとしている。チップ設計だけではなく、モジュールやカードも製作しており、拡張性もあり4個接続で240 TOPSの性能を持つ。 [→続きを読む]
SiTime、4つのSoCに同時にクロック信号を送れるICを製品化
MEMSを利用する振動子と発振回路、クロック発生器を1パッケージに実装したクロックICは、小型、高性能、低ノイズだけではなく、クロック周りのプリント基板設計も簡易にしてくれる。MEMSベースのクロックICを手掛けてきたSiTimeが4つのSoCを同時にクロックできる4出力のクロックIC「Chorus」を製品化した。 [→続きを読む]
ラピダス、Esperantoとの提携で、TSMCとの違いが明確に
ラピダスがRISC-VのスタートアップEsperanto Technologiesと交わした提携は、実はここで初めてTSMCとの違いが明確に出ていた。Esperantoの会見では天才CPUデザイナーとも言われるDave Ditzel CTO（図1）も同席していたのだ。彼はかつてソフトウエアによる工夫でX86互換プロセッサを設計し、今はRISC-Vの設計を率いる。彼がTSMCとの違いを明確にした。 [→続きを読む]
Micron、232層でQLC（4ビット/セル）のNANDフラッシュSSDを量産開始
Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を持つ、クライエントSSD（半導体ディスク）「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC（Quad Level Cell）を持つNANDフラッシュ（図1）を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量産を開始した。 [→続きを読む]
Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング技術で性能・信頼性を向上
Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2（第2世代）では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。 [→続きを読む]
STMicroelectronics、AI･IoT応用を意識、マイコンのポートフォリオを拡大
STMicroelectronicsがマイコンの製品ポートフォリオを拡大してきた。小さな太陽電池で動作するエネルギーハーベスティング用途のマイコンから、さらにはハイエンドマイコンとしてコスト効率の高いCortex-A35とCortex-M33を集積するSoC+MCUまでSTM32シリーズとして拡大した。今後18nmノードのFD-SOIプロセスPCMメモリ集積マイコンも24年後半サンプル出荷する予定だ。 [→続きを読む]
