onsemi、1〜90V動作可能なアナログ・ミクストシグナルIC「Treo」の戦略
インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサを標榜するonsemiは、それらの中間に位置するアナログプラットフォームを一新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。自動運転車やロボット、ドローンなど自律的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khoury氏がその戦略を語った。 [→続きを読む]
パワー･パワーマネジメント
TIが会津工場でGaNを生産開始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ技術
パワー半導体技術が活発になっている。Texas Instrumentsは、テキサス州ダラス工場に加え、日本の会津工場でもGaNパワー半導体の工場を稼働させたことを発表した。ダラスのGaN第1工場だけでなく会津の第2工場がフル生産するようになると生産能力は4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える生産を構築した。 [→続きを読む]
TI、DLPディスプレイ用のコントローラなどチップセットを刷新
Texas Instrumentsは、DLP（Digital Lighting Processing）ディスプレイのコントローラ（図1）とDMD（Digital Micromirror Device）などのチップセットを一新させた。DMDはMEMS技術を使って、画素ごとに微小なアルミのミラーを操作して光を反射させるプロジェクタに使う半導体チップ。この度4KのUHD（Ultra-High Definition）ディスプレイ駆動チップセットを発売した。 [→続きを読む]
Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセス活用に期待
パワー半導体大手のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨年カナダのGaN Systemsを買収したことで、GaN開発が加速した。GaNパワー半導体は高速ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という特長を併せ持つ。 [→続きを読む]
onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦略
ESGや気候変動に対するサステナビリティは半導体工場でも重要なテーマとなっている。パワー半導体とセンサのonsemiは、2030年までに工場で使う全エネルギーの50%を再生可能エネルギーに代えていく目標を持ち、脱カーボンに注力し効率アップを目指している。このほど来日した同社シニアVPでCMO（Chief Marketing Officer）のFelicity Carson氏にonsemiの脱カーボン戦略を聞いた。 [→続きを読む]
製品の値上げで付加価値を売る、エイブリックの営業戦略
2023年6月にエイブリックの代表取締役社長執行役員に就任した田中誠司氏。2024年6月末には、経営のプロであり、エイブリックの会長兼ミネベアミツミの専務執行役員であった石合信正氏が退任され、田中社長はミネベアミツミの事業執行役を引き続き担っている。社長就任から1年経ち、エイブリックはどう変わったか。 [→続きを読む]
米TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmの面積に小型化
Texas Instrumentsは、POL（Point of Load）と呼ばれる電源用ICとして使う、出力6Aの小型電源用パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出力6AのDC-DCコンバータでさえ、大きさは2.3mm×3mm×1.95mm（高さ）とボードに実装する面積が小さい。このためボードスペースを有効に使うことができる。 [→続きを読む]
2023年、SiCパワーデバイスのトップ5社ランキング
2023年におけるSiCパワー半導体のトップ5社ランキングが発表された。これによると1位のSTMicroelectronicsは前年と同様だが、onsemiが前年の4位から2位に浮上した。トップ5社でSiCデバイス製品販売額の92%を占めているという。これは市場調査会社TrendForceが明らかにしたもの。SiCは電気自動車で今後の発展が見込まれる。 [→続きを読む]
TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを製品化
GaNやSiCのような高速のパワー半導体は性能の優位性は明確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基板上で使いにくさが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを握ることをすでに伝えたが（参考資料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→続きを読む]
Analog Devices、GaNパワーFETを駆動するシリコンICでGaN回路設計を容易に
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023年に新製品として発売していたが、このほどその背景について明らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子移動度も2000cm2/Vsと高く高速動作に適している。一方、高速すぎて使いにくい点もある。 [→続きを読む]
