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パワー・パワーマネジメント

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ON SemiconductorはFairchild Semiconductorの買収を2016年9月19日に完了し、旧Fairchildの組織を含めた日本法人の位置づけを再構成した。このほどわずか2カ月強で、合併後の企業戦略を作り上げこのほどその新戦略を発表した。 [→続きを読む]
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旧三洋電機半導体グループが所属するON Semiconductor(図1)はモバイルバッテリ向けのバッテリマネジメントICを開発した。これはSB 2.0やUSB-PD、Quick Charge 2.0/3.0など6種類の急速充電規格に対応する。Samsung Galaxy Note 7爆発の原因はいまだに明らかではないが、バッテリマネジメントICは、リチウムイオン電池の管理に極めて重要な役割を担う。 [→続きを読む]
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韓国SamsungのファブレットGalaxy Note 7の発火事件以来、リコール、返金や新品との交換といった選択肢を提示、交換してもまた発火事故が消えなかった。このことを受け、Samsungは11日、Note 7の生産を中止することを発表した。原因は何だったのだろうか? その解明はこれからだ。 [→続きを読む]
Analog Devices(ADI)は、電池の要らないエネルギーハーベスティングを利用したIoTデバイス(端末、あるいはセンサデバイス、センサノードなどとも言う)向けのパワーマネジメントIC、「ADP5091」の詳細を明らかにした(図1)。エネルギーハーベスティングは発生する電力が小さく、しかも変動が大きいのにもかかわらず、送信電力は数十mWと大きい。充電マネジメントも含め、安定な電力をどう供給するか。ここにPMICの腕の見せ所がある。 [→続きを読む]
シングルチップのGaNパワーICを英Dialog Semiconductorが開発、スマートフォンのACアダプタ(AC-DCコンバータ)に向け、今後12カ月以内に量産すると発表した。GaNのモノリシックICは世界で初めての量産となる。ファウンドリはTSMCの予定。 [→続きを読む]
Infineon TechnologiesがSiC戦略を大きく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる方針を明らかにした。耐圧1200Vでオン抵抗11mΩ〜45mΩの製品、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社を買収、SiC材料を手に入れ、SiCとGaN製品(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡大できる体制を整えた。 [→続きを読む]
4月下旬に東京ビッグサイトで開かれたTechno-Frontier 2016では、パワーデバイスのさまざまな応用、使い勝手よく動かすためのドライバ、パワーで動くロボットやドローンなどの制御性を上げるためのセンサ、など新しい応用と動力技術が登場した。もともとこのイベントはモータ制御やパワー半導体、電源などに集中しているが、新しい応用を指向する。 [→続きを読む]
Texas InstrumentsがGaNパワーFETに進出した。これまでのGaNやSiCのFETは、少数キャリヤの蓄積時間がないため高速に動作するが、急峻な立ち上がりゆえにリンギングを起こしたりノイズを発生させたり、ゲートドライブ回路の設計が難しかった。TIの新製品(図1)はゲートドライブ回路まで集積したため、使いやすいパワーデバイスとなった。 [→続きを読む]
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携帯電話・スマートフォンの無線充電が日本ではまだ遅れている。国内で力を入れているロームは、このほどWPC(Wireless Power Consortium)セミナーを開催した。WPC会員企業は最新の無線充電技術を紹介すると同時に、展示会によるデモも見せた。WPCの会長であるMenno Treffers氏(図1)への取材も含めて、最新ワイヤレス充電をレポートする。 [→続きを読む]
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世界的な半導体産業再編の中、米国中堅のアナログ半導体メーカー、Maxim Integratedは利益が出ているうちに業界のトレンドにあった形に再構築する、という方針で新しい戦略を練り直した。10以上あった事業部門を4部門に絞り、ファブも売却した。再構築(リストラ)といっても人をカットした訳ではない。 [→続きを読む]
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