STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導体を展示すると共に、AIを使ったモータ制御やIO-Linkインターフェイスを使った産業機器ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導体を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導体単体では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦略だ。 [→続きを読む]
GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの急速充電器などに使われているが、GaN結晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルク結晶も固く、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることが難しかった。ディスコが比較的簡単にスライスできる技術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%増やせることがわかった。 [→続きを読む]
東芝の半導体部門である東芝デバイス&ストレージ社がパワー半導体工場である加賀東芝エレクトロニクスに300mmウェーハプロセスラインを設ける理由が明らかになった。加賀東芝は2023年4月に300mm対応のパワー半導体新製造棟の起工式を行い、2024年度内での稼働を予定しているが、地味なパワー半導体は供給過剰にならないだろうか。 [→続きを読む]
SiCパワー半導体市場が急速に湧き上がっている。クルマの電動化によりインバータやオンボードチャージャーにSiCが使われているが、このEV市場に向けて安定供給するための戦略的な提携やM&Aが活発化している。SiCパワー半導体の市場規模はまだ16億ドル程度だが、2026年にはCAGR35%で53.3億ドルに増加するという見通しまで出てきた（図1）。 [→続きを読む]
日本発の先端ファウンドリのラピダス社が北海道の千歳市に量産工場の設置を決めた。元三洋電機の半導体工場であった新潟工場を日本のファンドが買収、JSファンダリとして2022年12月に出発したが、そのレポートを3月6日の日経産業新聞が報じた。SiC開発を進めてきたロームがGaNパワーIC技術にも乗り出している。 [→続きを読む]
高耐圧のパワー半導体には、物質特性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの方が有利だ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧を得られるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V程度しか耐圧が得られない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導体でこれまでまかり通っていた。 [→続きを読む]
Hassane El-Khoury氏（図1）が、若手の経営者として注目されていたCypress SemiconductorのCEOから、2020年にonsemiのCEOになり、2年が経とうとしている。onsemiはこの間に大きく変わった。自動車と産業用の半導体を持っているonsemiは、インテリジェントパワーとインテリジェントセンサにフォーカスすることを進めてきた。onsemiのメッセージはかなり明確になってきた。CEOのHassane El-Khoury氏にその戦略について聞いた。 [→続きを読む]
SiCデバイスがようやく立ち上がってきた。米onsemiがニューハンプシャー州ハドソンにSiC結晶ブール（Siのインゴット相当）生産の新工場を設立、開所式を行った（図1）。米商務省のジーナ・レモンド国務長官も出席するという力の入れようだった。また、GaNデバイス市場で最大手のNavitasがSiCメーカーのGeneSiC Semiconductorを買収した。 [→続きを読む]
IoTがDX（デジタルトランスフォーメーション）の基本技術として年率20%で着実に成長している間に、エネルギーの効率化を目指すグリーントランスフォーメーション（GX）も着実に始まっている。ここでは半導体とバッテリが基本技術となる。トヨタが家庭用電池事業に参入、米スタートアップが安価な材料で低価格電池の開発、パナソニックが大増産、日立が送電線の点検監視サービス開始、といった動きが目立つ。 [→続きを読む]
EV（電気自動車）の急速充電や再生可能エネルギーのDC-ACコンバータなどの用途に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン抵抗を減らした製品が競い合っている。UnitedSiCを買収したQorvoが1200V耐圧でオン抵抗23mΩ(図1)、SiCデバイス販売額トップのSTMicroelectronicsを追いかけるInfineonが2000V耐圧でオン抵抗20mΩ程度のSiC MOSFETを発表した。 [→続きを読む]
