パワー・パワーマネジメント
GaNパワーデバイスが立ち上がりそうだ(図1)。2019年9月に中国大手スマートフォンメーカーOppoがGaNパワーICを高速充電回路に採用したことを受け、GaN半導体が急速に立ち上がるという予想を市場調査会社のYole Developpementが打ち立てた。民生市場での採用はGaN市場が大きくなるという意味である。
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今年のノーベル化学賞は、リチウムイオン電池の発明者である米国テキサス大学オースチン校のJohn Goodenough氏、ニューヨーク州立大学ビンガムトン校のStanley Whittingham氏と共にリチウムイオン2次電池の実用化にこぎつけた、旭化成の名誉フェロー、吉野彰氏が受賞した。今年の授賞理由は一般にもわかりやすい業績である。
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Infineon Technologiesが強いパワー半導体を戦略的な投資によってさらに強くする。オーストリアのフィラハ工場に2番目の300mmラインを導入、硬いSiCのインゴットから簡単にウェーハをカットできる技術を持つSiltectra社を買収、中国で電気自動車の製造・販売会社を合弁で設立するなど、クルマや産業向けに積極的に投資し未来を盤石にする。
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SiCパワーMOSFETが従来のIGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)に取って代わると言われ続けて数年たったが、SiCパワー半導体の特性向上は着実に進んでいる。性能を競うというより、実用化を加速する動きが出てきた。また、IoTを駆使して生産性を上げるデジタルトランスフォーメーションが始まった。
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ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV(電気自動車)用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場(図1)にSiCデバイスの6インチラインを増設する。
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ディスクリート半導体という汎用製品でどう前に進むか。NXP Semiconductorの旧スタンダード・プロダクト事業部門から2017年2月に分離独立したNexperiaは、どのようにして将来を開くか、このほど来日した同社の製品部門長2名が今後の戦略を語った。
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USB Type-Cは、iPhoneのケーブルのように裏表を逆にしても接続でき、しかも電力を100Wまで供給できるというメリットがある。ディスプレイのHDMIやDisplayPortなどもType-CのAltモードで使えるようになり、パソコンやスマートフォンのケーブルはType-C1本ですむようになる。USB Type-Cの認証チップを最も多くそろえているCypressがUSB-Cチップを続々出せる理由は何か。
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半導体製造装置もニッチ市場で勝負する時代といえそうだ。アルバックは、IGBTパワー半導体に特化した加速エネルギーが2keV〜30keVと低い加速電圧と、最大2400keVと極めて高い加速電圧の2種類のイオン注入装置を発売する。それぞれ浅い、深いpn接合を作るのに使う、両極端のニッチ向け装置だ(図1)。
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