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技術分析(製造・検査装置)

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世界的には4G(第4世代の移動体通信)と呼ばれるLTEの次の5G(第5世代の移動体通信)の測定実験が始まっている。National Instruments、Tektronix、Keysight Technologiesなどが続々5G向け測定器やその実験を発表している。 [→続きを読む]
半導体製造装置もニッチ市場で勝負する時代といえそうだ。アルバックは、IGBTパワー半導体に特化した加速エネルギーが2keV〜30keVと低い加速電圧と、最大2400keVと極めて高い加速電圧の2種類のイオン注入装置を発売する。それぞれ浅い、深いpn接合を作るのに使う、両極端のニッチ向け装置だ(図1)。 [→続きを読む]
ワイヤレス通信に必須のRF回路の特性を評価するためのテスターとして、ネットワークアナライザが有効だが、これまでの半額以下という100万円台の製品(図1)がTektronixから発売された。sパラメータや周波数軸のスペクトルデータを最大6GHzまで測れるという優れモノ。 [→続きを読む]
スペアナのように周波数ドメインの信号やノイズを観測でき、しかもわずか8万円という超低価格のオシロスコープが発売された。これは、旧Hewlett-Packard→Agilent TechnologiesからスピンオフしたKeysight Technologiesが発表したもの。 [→続きを読む]
IoT時代は、端末からクラウドでのデータ解析、可視化まで、システム指向が強まる。商用化が始まっている工場の予防保全(preventive maintenance)のためのIoT端末は、工場ごとに仕様や要求範囲が異なる少量多品種展開となりそうだ。その時代に対応したアイデアがセミコンジャパンに続出した。 [→続きを読む]
1台のクルマに占めるエレクトロニクス(ECU:電子制御ユニット)の割合は自動運転時代には今以上に増えてくる。レーダーやLIDAR、802.11p、V2X、GPS/GNSS、キーレスエントリ、TPMSなど特に無線システムは急増する。それらのテストコストを減らす一つの解決案がNational InstrumentsのHILsだ。 [→続きを読む]
半導体の基本は、やはりトランジスタ。トランジスタの性能を正確に測ろうとすると実はかなり難しくなってきている。オフからオンへの立ち上がりの速いSiCやGaNなどが登場、周波数帯域が拡大した。半導体は太陽電池やディスプレイTFT、ReRAM/PCRAMなど、パラメータ測定が必要な産業が拡大した。Tektronixはそのような性能・産業に向けた半導体測定器をリリースした。 [→続きを読む]
National Instrumentsは、帯域幅1GHzと広い無線通信の設計・テストを行う第2世代のVST(ベクトル信号トランシーバ)測定器「NI PXIe-5840」を発売する。帯域幅が広いため、第5世代の携帯通信(5G)やIEEE802.11ac/axに準拠するデバイスのテストなどRFトランシーバやチップをテストする。 [→続きを読む]
Mentor Graphicsはパワー半導体の熱的信頼性を評価するテスターMicReD Power Tester 600A (図1) を発表した。従来のテスターは電気的特性を評価し、熱の特性はある時点での静的な特性しか測定できない。今回Mentorのテスターは熱による経時変化を評価する信頼性試験のテスターともいえる。 [→続きを読む]
ダイヤモンド薄膜を開発しているElement Six社が、赤外波長10.6µmのCO2レーザーを99%透過できるダイヤモンド円板を開発中である。このほどPhotonix 2016でその試作品を展示した。EUVのX線を作り出すCO2レーザーの窓として使う。 [→続きを読む]
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