前報で現在のAI/半導体技術の壁を乗り越えるには量子技術が重要と述べた（参考資料1）。既に報告したが、米国では既に2018年9月に国家科学技術会議（National Science & Technology Council）科学委員会（Committee on Science）の下部機構である量子情報科学分科会（Subcommittee on Quantum Information Science）から、「量子情報科学の国家戦略全容（National Strategic Overview for Quantum Information Science）」が発表されており、それに基づいて2018年12月に国家量子イニシアティブ法（National Quantum Initiative Act）が施行されている（参考資料2）。 [→続きを読む]
2026年4月における日本製半導体製造装置が史上最高の5000億円を突破した。前年同月比（YoY）は14.1%増、前月比でも6.2%増と大きな伸びを示している。2024年5月に初めて4000億円に達した後、しばらく3000億円台を推移していたが、同年11月に再び4000億円に達した後は、一度も3000億円台に落ちることなく推移してきており、この4月に初めての5000億台を突破した。 [→続きを読む]
【概要】2030年頃と見られていた半導体市場の1兆ドル突破を、英Omdiaが今年だと予測しました。WSTSの実績や、NvidiaやTSMCの発言からも現実味をおびてきました。なぜそういえるのか、これまでのデータから考えてみたいと思います。 【日時】 2026年5月27日（水）10:00〜11:00 [→続きを読む]
2026年第1四半期（1Q）におけるNANDフラッシュの売上額ランキングが発表された。発表した台湾の市場調査会社TrendForceによると、大きな順位の変動はないが、Micron TechnologyとSanDiskが並び4位で3位のキオクシアに迫っている。上位5社合計売上額は、前四半期比（QoQ）で83.7％増の389億ドルと大きく増加した。1位のSamsungのシェアは31.6%と3.6%ポイント増えた。 [→続きを読む]
本日の世界のNewsは、「華為が1.4nmプロセスノードを2031年に実現目標に」を選びました。 [→続きを読む]
半導体メーカートップのNvidiaの最新の四半期決算データが明らかになった。同社の決算期は2月から翌年1月までで、今回の会計年度は2027年度第1四半期（2026年2月〜4月期）である。売上額（図1）は前年同期比（YoY）85%増の816億ドル（約12.6兆円）、営業利益は同147%増（2.47倍）の535億ドルとなり、営業利益率は65.6%にも上った。 [→続きを読む]
国内のロボット産業が相次いでNvidiaと提携を強化、フィジカルAIをロボットに採用する取り組みが始まった。先行の安川電機に続き、川崎重工業、ファナックもNvidiaと提携を強化した。Samsungのストライキが回避されメモリ減産を免れた。今年はホルムズ海峡閉鎖の影響でガソリン価格の上昇でEVが伸びるかもしれない、という予想が出た。 [→続きを読む]
AIブームが吹き荒れる中、いつまでどこまで先行きの懸念を伴いながら、注目の事態の推移を見つめる状態となっている。まずは、Nvidiaの4月26日締め四半期業績が発表され、売上高が前年同期比85%増で過去最高を記録、今四半期もさらに上回る見通しとなっている。半導体市場も、AI半導体関連ベンダーがますます躍進する構図が必至である。次に、Cerebras、OpenAIそしてSpaceXと、AIおよび宇宙関連で最大規模となるIPO申請が相次いでいる。なにやら次元の違う世界での進展模様であり、推移をひたすら見つめる体とならざるを得ない。そして、メモリ不足&高騰の中で不安視されたSamsungでのストライキである。なんとかぎりぎりでの回避の模様である。 [→続きを読む]
本日の世界のNewsはこの3本を選びました。「TSMC、設備投資額312.8億ドルを取締役会で決定」、「ASMLとTata、インド初の300mmウェーハファブで提携」、「TSMCのAIチップ向けウェーハ需要22年比11倍に」、です。TSMCの設備投資額は半導体製造装置メーカーに大きな影響を及ぼします。インドが半導体製造技術に急速に力をつけています。早くも300mmウェーハで工場を動かしASMLのリソグラフィ装置を導入します。TSMCが米国で開いたTechnology SymposiumでAI時代にはウェーハを大量に消費し、それを先端パッケージングに生かします。日本が遅れないように世界のニュースをしっかり伝えます。 [→続きを読む]
中国のSiCパワー半導体の実力が明らかになりつつある。従来、中国の半導体は安かろう悪かろうというレベルであったが、パワー半導体で注目されるSiC材料に関してはSTMicroelectronicsやInfineon Technologiesなどが中国製SiCを使ってパワーMOSFETやショットキーバリアダイオードオードなどを製造してきた。このほど中国のSiCウェーハやデバイスを扱うマルエム商会が中国製12インチ（300mm）SiCウェーハを公開した。 [→続きを読む]
