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「1/fノイズを測りたい」と思うエンジニアに福音。Agilent Technologiesから測定器部門が独立したKeysight Technologiesの日本法人、キーサイト・テクノロジーは、低周波雑音が極めて低い1/f測定器を開発した。1/fノイズの観測できる周波数が20Hz以下と低く、ホワイトノイズが占めるノイズフロアも従来の-177dB2/Hzから-183dB2/Hzと下がった。 [→続きを読む]
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「トリリオンセンサの時代がやって来たことに対し、鈍感な人たちがまだたくさんいる。バイオ、医療、ネットワークなどに必要なセンサの数を指数関数的に計算すれば、何と45兆個のセンサが必要になるのだ。しかし、その多くは、まだ開発されていない」。 [→続きを読む]
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2015年2月に最もよく読まれた記事は、「NANDフラッシュ、大手トップ3社を下位3社が追いかける」であった。NANDフラッシュは長年、1位Samsung、2位東芝、3位San Disk、4位Micron、5位SK Hynix、6位Intelという順位であった。上位3社は前年比ややマイナス成長だが、下位3社は2桁成長という勢いである。 [→続きを読む]
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2月22日から26日まで米国サンフランシスコ市ではISSCC(International Solid State Circuits)が開催され、新聞紙上を賑わした。日本の企業や大学の活躍が報じられている。また、中国やインドなどの電子産業が変わろうとしている。 [→続きを読む]
毎年2月のこの時期は、半導体最先端の回路技術、微細化技術を競い合う国際会議に注目して認識のアップデートである。ISSCC(2015 IEEE international Solid-State Circuits Conference[2月22-26日:San Francisco, CA])、そしてSPIE(International Society for Optics and Photonics[2月22-26日:San Jose, CA])である。14-nmの量産が発表されたばかりの現時点であるが、10-nmそして7-nmを見据えた取り組みの最新状況が、IntelそしてSamsung、TSMCをはじめとして各社から発表されている。 [→続きを読む]
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EUVが着実に進歩している。台湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィ装置を使って、1日に1000枚以上、露光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松製作所の100%子会社)は半導体量産レベルに近い140W、デューティ比50%で連続運転を達成したと発表した。 [→続きを読む]
電磁界結合、磁界共鳴、キャパシタンス結合などでチップ同士やワイヤレス給電などの技術がこれまであったが、まさかと思えるクロストーク結合によるワイヤレス技術が登場した(図1)。慶應大学の黒田忠広教授が提案、ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)2015でその有効性を明らかにした。 [→続きを読む]
16nm FinFETプロセスがいよいよFPGAを手始めに量産が始まる。昨年出荷されたIntelの新しいプロセッサ「Broadwell」にも14nm FinFETプロセスが使われたが、生産工場がパイロット生産工場であり、量産工場ではなかった。このほどXilinxが出荷する16nm FinFETプロセスのUltraScale+ファミリ(図1)が量産チップといえそうだ。 [→続きを読む]
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半導体デバイスの出荷量が2017年には1兆個を超えそうだ。このような予測をIC Insightsが発表した。1978年の326億個が2017年には1兆245億個に増加すると予測している。この39年間での平均出荷数量は9.2%で成長していることになる。 [→続きを読む]
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日本製半導体製造装置が相変わらず好調だ。日本半導体製造装置協会(SEAJ)によると、2015年1月における受注額は3ヵ月の移動平均で1205億9000万円、販売額は同956億9000万円、B/Bレシオは同1.26となった。このところ半導体製造装置は安定に推移している(図1)。 [→続きを読む]

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