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HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へ意気込むSK hynix

HBMの成功の次はNANDフラッシュへ、と成長へ意気込むSK hynix

SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新規格Zoned UFS(あるいはZUFS 4.0)製品を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024年第3四半期に量産する計画である。経時劣化を改良し製品寿命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功に続き、NANDでもAI応用メモリでの成長を狙う。 [→続きを読む]

生成AIやHPC市場に向け、HBM製品の競争始まる

生成AIやHPC市場に向け、HBM製品の競争始まる

長いゴールデンウィークが開け、その間DRAMメーカーのHBM(High Bandwidth Memory)への開発が続々発表された。これまで圧倒的にリードしてきたSK Hynixに続きSamsung、さらにMicron TechnologyなどがHBM製品をサンプル出荷している。2日にはファウンドリPSMCが新工場を台湾に設立、半導体産業は攻めの姿勢を見せた。 [→続きを読む]

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量産開始

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量産開始

Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を持つ、クライエントSSD(半導体ディスク)「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC(Quad Level Cell)を持つNANDフラッシュ(図1)を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量産を開始した。 [→続きを読む]

日台相互協力が今後の半導体の鍵に〜2024年台湾半導体デーから

日台相互協力が今後の半導体の鍵に〜2024年台湾半導体デーから

台湾地震に遭われた方々にお見舞い申し上げます。 その前日(4月2日)、東京で「2024年台湾半導体デー」が開催された。台湾のPSMC(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.)は宮城県に日本のSBIと共同でファウンドリ工場を建設する予定であり、そのPSMCの会長兼CEOのFrank Huang氏がこのイベントで講演した。 [→続きを読む]

AIチップセットとして使われるHBM3EのDRAMの製品化相次ぐ

AIチップセットとして使われるHBM3EのDRAMの製品化相次ぐ

Micron、Samsungが3D-IC技術を使ったDRAMメモリであるHBM3Eを相次いで製品化した(図1)。HBMメモリは大容量のメモリを一度に大量に並列読み出しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサと一緒に使われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリ製品に力を入れてきたが、コストがかかるため他社はあまり力を入れてこなかった。 [→続きを読む]

SamsungのDRAM、SK Hynix全社が23年第4四半期に黒字化に転換

SamsungのDRAM、SK Hynix全社が23年第4四半期に黒字化に転換

先週、2023年第4四半期(4Q)におけるSamsungの決算発表があり、SK hynixと共にメモリトップ2社の4Q業績が明らかになった。これによるとSamsungのDRAMはすでに黒字に転換したと述べ、NANDフラッシュはまだ赤字のままのようだ。DRAMはAIチップとセットで使われるため、生成AI向けに需要の回復が早い。NANDの回復は遅れているようだ。 [→続きを読む]

記録容量を倍増した新HDD技術をSeagateが開発

記録容量を倍増した新HDD技術をSeagateが開発

HDD(ハードディスク装置)の記録密度向上は、一段違うレベルに達した。Seagate Technologyが開発したHAMR(熱補助方磁気記録:ハマーと発音)は、実際の製品に適用されたもので、これまでは提案止まりだった。今回の新技術は、ディスク側の超格子構造と、読み取り/書き込み側の量子アンテナ、という謎めいた言葉がキーワードだ。 [→続きを読む]

DIMMよ、さらば、Micronが新型メモリモジュールLPCAMM2をサンプル出荷

DIMMよ、さらば、Micronが新型メモリモジュールLPCAMM2をサンプル出荷

いよいよメモリモジュールで性能や消費電力が律速される時代がやってきた。長い間、標準となってきた、ソケットに挿し込むタイプのDIMM(Dual Inline Memory Module)やSO(Small Outline)DIMMの交替時期に差し掛かる。これからのAIパソコンやさらなる高性能・低消費電力が要求されるコンピュータ向けに押さえつける接続方式のCAMM(Compression Attached Memory Module)をMicronがサンプル出荷した。 [→続きを読む]

キオクシア、WDとの統合ならず、SBI/PSMC、デンソーなど半導体投資は活発に

キオクシア、WDとの統合ならず、SBI/PSMC、デンソーなど半導体投資は活発に

キオクシアホールディングスとWestern Digitalとの統合交渉が頓挫した、と10月27日の日本経済新聞が報じた。SBIホールディングスと台湾のファウンドリPSMC(Powerchip Semiconductor Manufacturing Co., Ltd)が日本に半導体工場を設立することで合意していたが、宮城県に作る方針を固めた、と28日の日経が報じた。デンソーは2030年までに5000億円を投資、ソシオネクストは3nmプロセス向け設計を手掛ける。 [→続きを読む]

Samsung、32Gビット DRAM開発で、実寸法を12nm級と表現

Samsung、32Gビット DRAM開発で、実寸法を12nm級と表現

Samsung Electronicsが12nm級の微細化技術を使って32GビットDDR5 DRAMを開発した。実寸法の12nmという表現を半導体メーカーがしたことはこれが初めて。これまでメモリメーカーは20nm以下のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1〜2nmずつ刻んできた。ロジックメーカーは、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと呼んできたが、実寸法は14〜13nmで止まったままだ。 [→続きを読む]

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