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メモリ

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8月6日の日本経済新聞は、1面トップに「東芝、サンディスクと半導体新工場、4000億円投資、最新メモリーで巻き返し」という見出しの記事を掲載、半導体業界を驚かせた。ただ、直後の7日に開催された東芝の経営方針説明会では、このことに関して田中久雄社長は一切話をせず質問も出なかった。 [→続きを読む]
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2013年上半期の世界の半導体メーカートップ20社ランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位Qualcommは前年同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→続きを読む]
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MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
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この1週間で久しぶりに明るい話が登場した。東芝とエルピーダがスマートフォンの好調を受けて投資を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東芝はNANDフラッシュメモリの設備増強に最大300億円を投資、エルピーダも台湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM生産を、4月の300mmウェーハ1万枚から年末までに4万枚/月に増産する。 [→続きを読む]
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DRAMの平均単価ASP(average selling price)が2010年第4四半期レベルにまで戻った。2013年第1四半期の1.97ドルが第2四半期には2.42ドルになり、以降の第3四半期、第4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルと市場調査会社のIC Insightsは予測している。 [→続きを読む]
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日本の半導体製造装置メーカーは世界市場で依然、健闘している。VLSI Researchが行った半導体製造・検査装置大手の顧客満足度調査では、日本企業が上位10社中6社を占めている、と6月17日の日経産業新聞が伝えた。先週は、設備関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新市場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→続きを読む]
NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)とLEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。 [→続きを読む]
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世界半導体市場統計(WSTS)が2013年の半導体市場見通しを、前回(2012年11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下方修正した。この最大の理由は、円安によってドル換算での日本の市場規模が大きく押し下げられたためである。もし、為替レートが全く変わらなかったと仮定するなら、今回の予測は計算上4.0%増になる。 [→続きを読む]
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パソコンからモバイルへの動きが加速している。先週のニュースはこの動きを見事に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基板、モバイル通信インフラ、全てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→続きを読む]
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John Kispert氏、CEO Spansion Spansionが富士通のマイコンとアナログの事業部門を買収することが決まった。事業部門1億1000万ドル、棚卸資産6500万ドルの合計1億7500万ドル(約175億円)で富士通から買収する。Spansion CEOのJohn Kispert氏(図1)にその狙いを聞いた。 [→続きを読む]
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