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3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に

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東芝メモリとWestern Digitalは、3D-NAND構造で96層、しかも4ビット/セルというNANDフラッシュメモリを開発(参考資料12)した。1.33Tビット品を東芝は9月からサンプルを提供し、WDはすでにサンプル出荷中である。このメモリは東芝メモリの四日市工場で共同開発・生産されたもの。



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