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技術分析

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Everspin Technologies社は、1Gビットという高集積のST(spin torque)-MRAM(Magnetoresistive random access memory)チップのサンプル出荷を始めた。複数の特定ユーザー向けのチップであり、量産は未定。これまでのST-MRAMの最高集積度は256Mビットだった。 [→続きを読む]
旧沖電気工業の半導体部門を源流とし、現在ローム傘下にあるラピスセミコンダクタが、得意な通信技術を生かし、IoT専用のLPWA(Low Power Wide Area)通信チップ「ML7404」を開発した。妨害波に強いIEEE802.15.4kと、普及しつつあるSigFoxの両モデムを内蔵することで、対応範囲を広げる狙いだ。 [→続きを読む]
東芝メモリと四日市工場を共有しているWestern Digitalは、64層の3D-NANDフラッシュ技術を使った、4ビット/セルの768Gビット(96Gバイト)メモリを開発した(図1)。従来と同じ数のメモリセルを持つ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ容量は512Gビット(64Gバイト)だったが、これよりも50%増加した。 [→続きを読む]
USB Type-Cは、iPhoneのケーブルのように裏表を逆にしても接続でき、しかも電力を100Wまで供給できるというメリットがある。ディスプレイのHDMIやDisplayPortなどもType-CのAltモードで使えるようになり、パソコンやスマートフォンのケーブルはType-C1本ですむようになる。USB Type-Cの認証チップを最も多くそろえているCypressがUSB-Cチップを続々出せる理由は何か。 [→続きを読む]
世界的には4G(第4世代の移動体通信)と呼ばれるLTEの次の5G(第5世代の移動体通信)の測定実験が始まっている。National Instruments、Tektronix、Keysight Technologiesなどが続々5G向け測定器やその実験を発表している。 [→続きを読む]
半導体製造装置もニッチ市場で勝負する時代といえそうだ。アルバックは、IGBTパワー半導体に特化した加速エネルギーが2keV〜30keVと低い加速電圧と、最大2400keVと極めて高い加速電圧の2種類のイオン注入装置を発売する。それぞれ浅い、深いpn接合を作るのに使う、両極端のニッチ向け装置だ(図1)。 [→続きを読む]
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完全固体の薄膜電池を英国のベンチャーIlika社が開発しているが、このほど使用温度範囲を大きく広げ、-40°Cから150°Cまで使える製品Stereax P180を開発した。これは自動車をはじめとする工業用に使えるレベルだ。同社のビジネスモデルは、IPベンダーであり、大手電子部品メーカーにライセンス供与することで、量産へつなげる意向だ。 [→続きを読む]
Bluetoothチップの創業企業とも言えそうなCSR(元Cambridge Silicon Radio)が2年ほど前にQualcommに買収されたが、このほど両者のコラボともいえる新製品が発表された。CSRが買収される前からBluetoothにオーディオを加えることに力を入れてきたが、Qualcommの得意なSnapdragonをベースにした製品もあり、コラボが実ってきたと言えそうだ。 [→続きを読む]
Intelの1部門となったWind Riverは、コネクテッドカーに必要なソフトウエア開発のためのソフトウエアプラットフォーム製品を3種類リリースした(図1)。ADASと自律運転用のHelix Driveと、インフォテインメント向けのHelix Cockpit、そして無線通信でソフトウエアを更新するためのHelix CarSyncである。 [→続きを読む]
工業用のIoTすなわちIIoT用性能重視のMEMS加速度センサをAnalog Devicesが立て続けに発売している。一つは、最大±100g(gは重力加速度)の加速度まで測れ、しかもノイズが30µg/√Hzと低くDCから11kHzまでの周波数振動まで測定できる。もう一つは最大±40gと比較的大きく、しかも3軸加速度を測定する。 [→続きを読む]
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