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フラッシュメモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory startup部門で最優秀賞を英国のスタートアップQuinas Technologyが受賞した（図1）。この新型メモリは量子力学的な井戸型ポテンシャルの共鳴トンネル現象を利用して電荷を出し入れする方式のデバイス。Quinasは英ランカスター大学の発明を事業化する企業。 [→続きを読む]
STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導体を展示すると共に、AIを使ったモータ制御やIO-Linkインターフェイスを使った産業機器ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導体を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導体単体では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦略だ。 [→続きを読む]
Micron Technologyがメモリ容量24GB（ギガバイト）で、転送レート（バンド幅）1.2TB/sという巨大なHBM（High Bandwidth Memory）メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理由は、生成AIの学習に向け、学習時間の短縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング事業部門 VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathan氏は言う。 [→続きを読む]
GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの急速充電器などに使われているが、GaN結晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルク結晶も固く、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることが難しかった。ディスコが比較的簡単にスライスできる技術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%増やせることがわかった。 [→続きを読む]
Nvidiaが半導体メーカーの中で唯一、時価総額1兆ドルを超えた。同社の2024年度第1四半期（2023年2〜4月期）の売上額はまだ前年の金額にも達しなかったにもかかわらず、次の四半期売上額を前四半期比53%増の110億ドルとの見通しを発表したためだ。その原動力は生成AI向けのGPUだ。特に最高性能のH100というGPUの供給が足りないため、生成AI業者はチップを製造するTSMCから順番待ちを強いられている。 [→続きを読む]
TSMCは自動車向けの半導体チップに関してもADAS（先進ドライバー支援システム）や自動運転向けなどの演算主体のSoCプロセッサ向けに、そして最先端の3nmプロセスノードの技術「N3AE」を自動車およびHPC（High Performance Computing）向けに、2024年に提供する。さらに高周波無線技術でも6nmノードを導入する。同社ビジネス開発担当シニアVPのKevin Zhang氏（図1）が語った。 [→続きを読む]
Armが次世代スマートフォン向けの最新版64ビットIPコアセット「Arm Total Compute 2023 (TCS23)」（図1）を発表した。スマホに重要な最新のCPUコアとGPUコアをまとめただけではなく、様々なCPUと共有キャッシュメモリを一致させる（コヒーレントな）システムコアDSU-120も一緒にしたパッケージである。 [→続きを読む]
バッテリ動作が可能な低消費電力ながら、Bluetooth LE（Low Energy）やWi-Fi、さらにメッシュネットワーク仕様のThreadにも対応し、全ての規格に対応できるMatterプロトコルを持ち、IoTセキュリティ規格PSA認証で最も高いレベル3にも対応する近距離無線チップ「nRF54H20」をノルウェーのNordic Semiconductorが日本へ顔見せした。 [→続きを読む]
Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC製品「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの欠点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高速にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発生しがちになる。TIのチップはこの欠点を解消した。 [→続きを読む]
クロックの立ち上がりと降下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）技術は、これまでDRAMの高速化技術であった。これを高速アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは車載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍速いという。 [→続きを読む]
