アドバンテスト、次世代IC製品向けのテスターを続々発表
アドバンテストが次世代IC製品に向けたテスターをセミコンジャパン2022で相次いで発表した。メモリテスター「inteXcell」（図1）や、VR/ARなどのディスプレイや車載用高精度ディスプライドライバICテスター向けのモジュール「LCD HP」、USB-Type CのパワーデリバリーICテスター向けモジュールなど未来志向の製品向けのテスターやモジュールなどである。 [→続きを読む]
技術分析
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sパラ、NF、変調特性も一度に測定できるPXIアナライザをKeysightが発売
次世代の5Gやビヨンド5Gなどミリ波対応のRFチップの高周波特性を測定するネットワークアナライザが驚くほど小型になった。高周波測定器で定評のあるKeysight Technologyは、PXIモジュールベースのネットワークアナライザ「M9834A/M9837A」（図1）を発売した。sパラメータだけではなくLNAのノイズ指数や変調解析も片手で持てるモジュールで測定できる。 [→続きを読む]
ヘテロ集積の先端パッケージ技術はセミコンジャパンの目玉だった
セミコンジャパン2022では、半導体パッケージングのブースが全体の半分近くを占め、プロセスの前工程だけではなく、後工程との間にある特に先端パッケージング技術に注目が集まった。12月15日に開催されたAPCS（Advanced Packaging and Chiplet Summit）2022では、Intel、TSMC、AMDなどの先端パッケージへの取り組みが目を引いた。 [→続きを読む]
imec、「ムーアの法則はこれからも止まらない」、STCOでA2世代まで続く
ムーアの法則、すなわち商用の半導体製品に集積されるトランジスタの数は2年ごとに倍増する、という経済法則は、留まることを知らない。微細化は止まっているもののDTCOによって3次元化で集積度を高める技術は続いているからだ。ベルギーの半導体研究所imecは、将来に備えSTCO（System Technology Co-Optimization）を提唱し、CMOSのスケーリングがさらに続く道筋を示した。 [→続きを読む]
Micron、1β nmノードの64GビットのDDR5x-DRAMをサンプル出荷
米Micron Technologyが1β nmプロセスノードで製造した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル出荷を開始した。Micronが述べる1β nmプロセスノードは、13nm以下のプロセスノードだという。12〜13nmとの見方もある。リソグラフィパターニングの実現には、液浸マルチパターンニングを用いており、EUVは用いていない。製造はまず東広島工場で行う。 [→続きを読む]
IBM、ディープラーニング専用のAIチップを開発
IBMは、汎用CPUに代わってディープラーニング専用の学習と推論を行うAIチップAIU（Artificial Intelligence Unit）を開発した。画像認識から自然言語処理までAIのワークフローを実行し、多数のフォーマットをサポートする専用のAIチップである。32個のプロセッサコアを持ち、5nmプロセスノードで製造されており、230億トランジスタを集積している。 [→続きを読む]
水平･垂直とも20m先まで検出できるドップラーレーダーを日清紡が製品化
日清紡マイクロデバイスは、ドップラーレーダーを利用した人感センサを開発、検出エリアを水平・垂直とも従来の3倍広げた人感センサモジュールを製品化した。ドップラーレーダーは動く物体を検出する。歩行者や自転車クルマなど動く物体を暗闇や濃霧や吹雪、高温・低温の厳しい環境下でも検出する。サイズはわずか17.2mm×25mm×3mm。 [→続きを読む]
Intel、ゲーム用デスクトップPC向け5.8GHzのCPUで巻き返しなるか
Intelが第13世代と呼ぶ新型CoreプロセッサRaptor Lakeを9月中旬のInnovation Dayで発表したが、このほど国内でもその詳細を明らかにした。プロセス的にはIntel7とSuperfin技術を使い、昨年発表した第12世代Core CPUと比べ電力効率を大幅に上げ、同じ性能なら消費電力を1/4に削減、同じ電力なら性能を37%上げた。 [→続きを読む]
Arm、DPUのロードマップを公開
Armは、クラウドサービス企業向けのデータセンターやスーパーコンピュータなど大量のCPUやGPUを使うコンピューティングのインフラに向けたネットワークプロセッサDPUを今後伸ばしていくことを明らかにした。データを移動・処理するためのDPUプロセッサであるNeoverseのロードマップを描き、性能優先、消費電力優先、中間のミッドレンジへと拡大していく（図1）。 [→続きを読む]
Mottスイッチを利用する不揮発性CeRAMセル動作を確認したSymetrix
Mott遷移と呼ばれる、金属と絶縁体との変化を利用したメモリであるCeRAM（参考資料1）のデバイス研究が一歩進んだ。このメモリは、遷移金属酸化物の特性を生かし、高抵抗か低抵抗かの状態を作り出し、1と0に対応させている。300mmウェーハ上にメモリセルを作り出し、その動作を確認した。 [→続きを読む]
