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技術分析

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Analog Devices(ADI)は、電池の要らないエネルギーハーベスティングを利用したIoTデバイス(端末、あるいはセンサデバイス、センサノードなどとも言う)向けのパワーマネジメントIC、「ADP5091」の詳細を明らかにした(図1)。エネルギーハーベスティングは発生する電力が小さく、しかも変動が大きいのにもかかわらず、送信電力は数十mWと大きい。充電マネジメントも含め、安定な電力をどう供給するか。ここにPMICの腕の見せ所がある。 [→続きを読む]
ARMは冗長構成をとりやすくしたCPUコアである、Cortex-R52をリリースした。自動車のブレーキ機能や医療での投薬管理など、命に係わるミッションクリティカルなジョブに対して、冗長構成をとり、より安全性を高めたCPUコアである。Cortex-Rはリアルタイム性を実現しやすいコア製品シリーズ。 [→続きを読む]
半導体の基本は、やはりトランジスタ。トランジスタの性能を正確に測ろうとすると実はかなり難しくなってきている。オフからオンへの立ち上がりの速いSiCやGaNなどが登場、周波数帯域が拡大した。半導体は太陽電池やディスプレイTFT、ReRAM/PCRAMなど、パラメータ測定が必要な産業が拡大した。Tektronixはそのような性能・産業に向けた半導体測定器をリリースした。 [→続きを読む]
シングルチップのGaNパワーICを英Dialog Semiconductorが開発、スマートフォンのACアダプタ(AC-DCコンバータ)に向け、今後12カ月以内に量産すると発表した。GaNのモノリシックICは世界で初めての量産となる。ファウンドリはTSMCの予定。 [→続きを読む]
National Instrumentsが主催したプライベートイベント、NIWeek 2016(参考資料1)では、昨年の同じイベントで方向性を打ち出した、IIoT(工業用IoT)と5Gの具体例を紹介した。IIoTでは、データ解析にマシンラーニング(人工知能:AI)を使い始める例が数件あった。IoTはAIとの組み合わせがメジャーになりそうだ。 [→続きを読む]
Infineon TechnologiesがSiC戦略を大きく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる方針を明らかにした。耐圧1200Vでオン抵抗11mΩ〜45mΩの製品、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社を買収、SiC材料を手に入れ、SiCとGaN製品(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡大できる体制を整えた。 [→続きを読む]
National Instrumentsは、帯域幅1GHzと広い無線通信の設計・テストを行う第2世代のVST(ベクトル信号トランシーバ)測定器「NI PXIe-5840」を発売する。帯域幅が広いため、第5世代の携帯通信(5G)やIEEE802.11ac/axに準拠するデバイスのテストなどRFトランシーバやチップをテストする。 [→続きを読む]
ルネサスは、IoTデバイスに使うマイコン内部に暗号化キーを格納するIPを開発、それをマイコンに集積しセキュアに守るという仕組みを導入した(図1)。このマイコンRX231は、センサ機能を持つIoTデバイスをサイバー攻撃から守ることができる。 [→続きを読む]
FPGAメーカーのXilinxがARMコアのCPU、GPU、メモリなどを集積したSoCである、「Zynq」に加え、FPGAアクセラレータ応用と共に、四つのメガトレンド(図1)に対応できる体制を整えた。すなわち、クラウドコンピューティング、組み込みビジョンシステム、工業用IoT、そして5Gモバイルネットワークに向けた対応力を示したことになる。 [→続きを読む]
半導体チップに暗号キーを埋め込み、簡単にアクセスできないようにするIPを台湾のeMemoryが開発、日本や欧州のセキュリティを重視する企業にアプローチしている。顧客企業を絞り日本、欧州とそれぞれ3〜4社と話し合ってきたが、日本企業は相変わらず対応が遅く、欧州の顧客1社とは共同開発に入ったという。 [→続きを読む]
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