Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2（第2世代）では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。