Semiconductor Portal

技術分析

» セミコンポータルによる分析 » 技術分析

TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを製品化

TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを製品化

GaNやSiCのような高速のパワー半導体は性能の優位性は明確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基板上で使いにくさが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを握ることをすでに伝えたが(参考資料1)、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール(図1)をTexas Instrumentsが開発した。 [→続きを読む]

新生Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPで勝負

新生Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPで勝負

英国のIP(Intellectual Property)ベンダーの一つ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主力製品POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応用もかつての主要1社から多岐に渡る。 [→続きを読む]

Analog Devices、GaNパワーFETを駆動するシリコンICでGaN回路設計を容易に

Analog Devices、GaNパワーFETを駆動するシリコンICでGaN回路設計を容易に

Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023年に新製品として発売していたが、このほどその背景について明らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子移動度も2000cm2/Vsと高く高速動作に適している。一方、高速すぎて使いにくい点もある。 [→続きを読む]

Arm、モバイルにも簡単な生成AIを搭載できるサブシステムIPを開発

Arm、モバイルにも簡単な生成AIを搭載できるサブシステムIPを開発

IntelやAMD、Qualcommまでがパソコン向けのAI機能内蔵のSoCプロセッサを発表し、パソコンにAI機能がこれから入っていく時代になるが、スマートフォンのようなモバイルにもAI機能が入っていく時代になりそうだ。モバイル半導体IPの覇者ArmがAI機能を搭載できる新IP「Arm Compute Subsystems(CSS)for Client」を発表した。電力効率が高いことが最大の特長となる。 [→続きを読む]

SiTime、4つのSoCに同時にクロック信号を送れるICを製品化

SiTime、4つのSoCに同時にクロック信号を送れるICを製品化

MEMSを利用する振動子と発振回路、クロック発生器を1パッケージに実装したクロックICは、小型、高性能、低ノイズだけではなく、クロック周りのプリント基板設計も簡易にしてくれる。MEMSベースのクロックICを手掛けてきたSiTimeが4つのSoCを同時にクロックできる4出力のクロックIC「Chorus」を製品化した。 [→続きを読む]

ラピダス、Esperantoとの提携で、TSMCとの違いが明確に

ラピダス、Esperantoとの提携で、TSMCとの違いが明確に

ラピダスがRISC-VのスタートアップEsperanto Technologiesと交わした提携は、実はここで初めてTSMCとの違いが明確に出ていた。Esperantoの会見では天才CPUデザイナーとも言われるDave Ditzel CTO(図1)も同席していたのだ。彼はかつてソフトウエアによる工夫でX86互換プロセッサを設計し、今はRISC-Vの設計を率いる。彼がTSMCとの違いを明確にした。 [→続きを読む]

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量産開始

Micron、232層でQLC(4ビット/セル)のNANDフラッシュSSDを量産開始

Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を持つ、クライエントSSD(半導体ディスク)「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC(Quad Level Cell)を持つNANDフラッシュ(図1)を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量産を開始した。 [→続きを読む]

高NA EUVリソグラフィ装置第1号をIntelオレゴン工場に導入、組み立てた

高NA EUVリソグラフィ装置第1号をIntelオレゴン工場に導入、組み立てた

Intelは1.8nmプロセスノードに相当するIntel 18Aに向け、オランダASML社製の高NAのEUVリソグラフィ装置「TWINSCAN EXE:5000」(図1)をプロセス開発拠点のあるオレゴン工場に導入した。まずIntel 18Aプロセスノードから導入し、Intel 14Aノードへと拡張していく予定だ。Intelのファウンドリ事業部が導入しTSMCに追いつき追い越す計画を進める。 [→続きを読む]

Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング技術で性能・信頼性を向上

Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング技術で性能・信頼性を向上

Infineon Technologiesは、第2世代のトレンチ構造のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について明らかにした。このG2(第2世代)では、オン抵抗を1桁ミリオームに下げると共に、熱抵抗を12%減らし電流容量を上げた。新製品は650Vと1200Vの2種類で、パッケージもピン挿入型と表面実装型を用意する。G2でパワーMOSFETのチップ設計から見直している。 [→続きを読む]

STMicroelectronics、AI・IoT応用を意識、マイコンのポートフォリオを拡大

STMicroelectronics、AI・IoT応用を意識、マイコンのポートフォリオを拡大

STMicroelectronicsがマイコンの製品ポートフォリオを拡大してきた。小さな太陽電池で動作するエネルギーハーベスティング用途のマイコンから、さらにはハイエンドマイコンとしてコスト効率の高いCortex-A35とCortex-M33を集積するSoC+MCUまでSTM32シリーズとして拡大した。今後18nmノードのFD-SOIプロセスPCMメモリ集積マイコンも24年後半サンプル出荷する予定だ。 [→続きを読む]

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 次のページ »