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技術分析

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GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET技術と同等な性能を持つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)技術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと一緒に14nm Fin FET技術を開発してきただけに、なぜ今この技術なのか、同社CMOS Platforms Business部門長でシニアVPのGregg Bartlett氏(図1)が電話インタビューで答えた。 [→続きを読む]
パワーマネジメントIC(PMIC)に力を入れてきたアナログ・ミクストシグナル半導体のIntersil社と、元々パワーマネジメント専門メーカーの日本のファブレス半導体であるトレックスセミコンダクター社。偶然にもほぼ同時に日本の新社長が生まれた。共にパワーマネジメントをさらに強化する。 [→続きを読む]
パワー半導体のテストコストを下げる提案をケースレー・インスツルメンツが行った。これは、テクトロニクス・ケースレーイノベーション・フォーラムで明らかにしたもの。並列のパラメータテストやTDDB試験、高温バイアス試験、データ解析での時間短縮事例を紹介した。 [→続きを読む]
コンビナトリアルと呼ばれる手法を使って新材料を開発するビジネスが活発になってきた。多元系材料の薄膜を形成するのに組成を連続的に変え、最適な組成を見出すのに使う(図1)。2007年にSEMICON Westで展示した米Intermolecular社の材料組成やプロセス条件を変える方式とは違い、薄膜の組成を連続的に変えられる。真空装置やスパッタリング装置を使う。英国のIlika(イリカと発音)社、日本のコメット社を紹介する。 [→続きを読む]
メモリメーカーのMicron TechnologyがDRAMを3次元的にTSVで積層するHMC(Hybrid Memory Cube)について、SPIフォーラム「3次元実装への道」で紹介したが、AMDはコンピュータシステムを高速動作させるためのTSVによる、新しい2.5D IC技術を明らかにした。 [→続きを読む]
XilinxがプログラマブルSoC(CPUコアやメモリなどのコンピューティング回路と、FPGAを集積したシステムLSI)のロードマップを示した。FPGAメーカーのXilinxがあえて、SoCと呼ぶのは、FPGAだけで独自回路を構成するのには大きすぎ、かといってCPUソフトウエアだけで動作させるのは遅すぎる、といった新しい市場が見えてきたからだ。 [→続きを読む]
Analog Deviceは、久々に新しいデュアルコアDSPベースのSoC、「ADSP-SC58x」(図1)を開発、サンプル出荷をしている。これまでの「SHARC」プロセッサと比べ、動作時の消費電力が2W未満で、電力効率、すなわち消費電力に対する性能を5倍以上と大幅に上げた。これまではオーディオプロセッサ用途を主としていたが、今回の開発により多軸モータ制御も可能になった。 [→続きを読む]
日本ナショナルインスツルメンツ(NI)が、PXIベースのワイヤレス機器のテスターWTS(Wireless Test System)を発表した(図1)。この汎用測定器を使えば、スマートフォンやIoT、無線チップなどの無線デバイスなどの性能・機能のテストが簡単になる。 [→続きを読む]
ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放熱設計を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学品メーカーのADEKA(旧旭電化工業)とパナソニックが全く異なるアプローチから新しい放熱フィルムを開発した。 [→続きを読む]
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シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO(In、Ga、Znの酸化物)半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]
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