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生成AIだけがこれからのAIではない〜Intel、AMD、IBMの戦略から見えるAI

生成AIだけがこれからのAIではない〜Intel、AMD、IBMの戦略から見えるAI

Intelのチップレットを多用した新しいSoCチップMeteor LakeはCPUとGPUとNPUから構成され、AIエンジンとなるNPUが確実に搭載されている。またAMDの最新チップRyzen PRO 7000シリーズにもAI回路が搭載されている。IBMが最近明かした生成AIは小規模から中規模の生成AIモデルをビジネスにすることを明らかにした。いずれも大規模言語モデルだけがAIではないことを見据えている。 [→続きを読む]

MEMS発振器が水晶を超え、データセンターなど高精度・高信頼性分野へ

MEMS発振器が水晶を超え、データセンターなど高精度・高信頼性分野へ

MEMSタイミングデバイスがこれまでの温度制御型水晶発振器並みの精度を高めるようになった。しかも水晶よりもずっと小型で、長時間の使用中にも性能劣化が少なく、長期、中期の信頼性も高い。この新製品「Epoch Platform」(図1)を開発したSiTimeは、データセンターや航空宇宙、産業などインフラ用向けの高精度クロック市場を狙う。 [→続きを読む]

AMDの新Ryzen PRO7040、AIエンジンやセキュリティプロセッサを集積

AMDの新Ryzen PRO7040、AIエンジンやセキュリティプロセッサを集積

AMDは2022年に前年比44%増の236億ドルを売り上げ、急成長を遂げたが、そのカギはパソコンやデータセンター用サーバー向けCPU製品の高性能化を進めただけではなく、旧Xilinxグループのアダプティブコンピュータ用の開発キットなど全ての製品ポートフォリオをユーザーの使い勝手を考慮したことだ。このほど発売した最高性能のCPU「AMD Pro 7040」シリーズのプロセッサ(SoC)の考え方を明らかにした。 [→続きを読む]

パワーデバイスの真のスイッチング特性を得る測定器をKeysightがデモ

パワーデバイスの真のスイッチング特性を得る測定器をKeysightがデモ

ガレージ実験室から始まったHewlett-Packard社をルーツに持つKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高速パワーデバイスのダイナミック特性を測る計測器「PD1550A」(図1)をKeysight World 2023で展示した。もともと高周波測定機に強いKeysightが、パワー半導体の測定にもその強みを発揮する。特にSiCのスイッチング動作に悩まされてきたエンジニアには福音となる。 [→続きを読む]

共鳴トンネリングを利用する新不揮発性RAMで英ベンチャーが最優秀賞を受賞

共鳴トンネリングを利用する新不揮発性RAMで英ベンチャーが最優秀賞を受賞

フラッシュメモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory startup部門で最優秀賞を英国のスタートアップQuinas Technologyが受賞した(図1)。この新型メモリは量子力学的な井戸型ポテンシャルの共鳴トンネル現象を利用して電荷を出し入れする方式のデバイス。Quinasは英ランカスター大学の発明を事業化する企業。 [→続きを読む]

SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションで勝負

SiCトップのSTMicro、パワーだけでなくエッジAI含めソリューションで勝負

STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワー半導体を展示すると共に、AIを使ったモータ制御やIO-Linkインターフェイスを使った産業機器ネットワーク向けのソリューションなど、パワー半導体を使ったソリューションをTechno-Frontier 2023で見せた。パワー半導体単体では差別化しにくいが、ソリューションで顧客にメリットを見える化する戦略だ。 [→続きを読む]

Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8枚スタックした24GB HBM3を出荷

Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8枚スタックした24GB HBM3を出荷

Micron Technologyがメモリ容量24GB(ギガバイト)で、転送レート(バンド幅)1.2TB/sという巨大なHBM(High Bandwidth Memory)メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理由は、生成AIの学習に向け、学習時間の短縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング事業部門 VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathan氏は言う。 [→続きを読む]

GaN結晶からウェーハにスライスするレーザー技術で生産性を上げる

GaN結晶からウェーハにスライスするレーザー技術で生産性を上げる

GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの急速充電器などに使われているが、GaN結晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルク結晶も固く、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることが難しかった。ディスコが比較的簡単にスライスできる技術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%増やせることがわかった。 [→続きを読む]

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