技術分析

IntelとMicronが3D-NANDフラッシュをそれぞれが独自に開発と販売を進めるとしたのはほんの数カ月前。このほど再び共同開発することを表明した。それも4ビット/セルで96層の3D-NANDの開発である。単位面積当たりのビット密度は最も高い競争力のあるチップとなる。 [→続きを読む]

Armは、IoTプラットフォームの「Arm Mbed Platform」を数年前に発表したが、このほどその進化について明らかにした。すでに30万人の開発者コミュニティと80社以上のパートナー企業を持ち、このほどIBMやGMOグローバルサインとも提携、IBMのWatson IoT Platformでもデバイス管理ができるようにし、GMOがMbed Cloudを利用できるように認証した。 [→続きを読む]

組み込みソフトウエア大手のWind RiverのマルチコアSoC向けのリアルタイムOS（RTOS）であるVxWorks 653 4.0マルチコア版では、仮想化構成を採ることができるが、その安全性(safety)とセキュリティについて、来日した同社ビジネス開発ディレクターのAlex Wilson氏(図1)が解説した。 [→続きを読む]

Nvidiaは単なるファブレス半導体メーカーにとどまっていない。AI（ディープラーニング）やHPC（高性能コンピューティング）のマシンを設計するコンピュータメーカーでもある。最強のGPUであるTesla V100（図1）を使いこなす。AIでは学習だけではなく推論用にGPUを動かすための推論ソフトウエアTensorRTの新バージョンも開発した。自動運転用プラットフォーム、IoT用の推論アクセラレータも提供する。こんな姿が浮かび上がる。 [→続きを読む]

オランダの太陽電池コンソーシアムSollianceは、144cm2の面積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構造のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構造の太陽電池は、有機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最近注目が急速に集まっている。2011年に小面積だが10%を超えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも急だからである。 [→続きを読む]

ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV（電気自動車）用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場（図1）にSiCデバイスの6インチラインを増設する。 [→続きを読む]

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス規制/低燃費に対応し、コネクテッドカー向けのセキュリティと大容量フラッシュメモリ容量、そして機能安全のASIL-Dに準拠し自動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設計したフラッシュマイコン。 [→続きを読む]

磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今年末から一気に加速しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ部門と、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018年末に組み込みMRAM（eMRAM）のリスクプロダクションを開始すると東北大学主催のCIES（Center for Innovative Integrated Electronic Systems）Technology Forumで発表した。 [→続きを読む]

家庭内のWi-Fi機器が数十台もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに力を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON技術も開発した。 [→続きを読む]

クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの市場としてもカーエレクトロニクス市場は大きい。ヘッドランプ/テールランプ用LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも活躍する。パワー関係もいくつか拾ってみる。 [→続きを読む]