技術分析（プロセス）

米ニューヨーク州アルバニーにおけるIBM研究所が2nmデザインのナノシート技術を使ったトランジスタを開発、このトランジスタを500億個集積したICテストチップを300mmウェーハ上に試作した（図1）。IBMは、PowerアーキテクチャのCPUを独自に開発しているが、今年後半に7nmプロセスのPower10をリリースするため、2nmチップが登場するのは2025年以降になりそうと見られている。 [→続きを読む]

Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm（15nm前後）プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量産を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ需要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演算にも必ず使うため、今後の需要の期待が大きい。1パッケージに8枚のDRAMチップを重ね、16GBを構成している（図1）。 [→続きを読む]

ALD（原子層デポジション）技術を大気中で、しかもロール2ロール方式の連続量産ラインで使える技術Spatial ALDをオランダの研究機関であるHolst Centreが明らかにした。ALDは原子1層ずつ堆積する技術であるため、これまでは表面吸着を利用して1層ずつ堆積するため処理時間が長かった。この常識を打ち破るフレキシブルエレクトロニクス向けの新技術で、装置も作っている（図1）。 [→続きを読む]

中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash（中天弘宇集成電路）と呼ばれるファブレスだ。製造はファウンドリに依頼する。今から市場に入る以上、特長が必要だが、これまでの中国のメモリメーカーとは全く違う。後述するが、新開発の独自メモリ技術を持ち、元IntelのStefan Lai氏（図1）がCTOとなっている企業だ。 [→続きを読む]

「おっしゃられて、貸そうか、まぁ」。覚えておられる方がいるだろう。高校生の頃、化学で習ったクラーク数（地球上に存在する元素の内、多い順に並べた元素の割合）「O, Si, Al, Fe, Ca, Na, K, Mg」 の覚え方である。この順に地球にやさしい元素といえる。この内のFe（鉄）とAl（アルミニウム）、Si（シリコン）だけで作った熱電変換素子を産業技術総合研究所、NEDO、アイシン精機、茨城大学のグループが開発した。 [→続きを読む]

Micron Technologyがシンガポールの北にある工場を拡張するというニュースをすでに伝えたが（参考資料1）、その理由について後編では紹介しよう。Micronは、シンガポール工場をNANDフラッシュの中心ともいうべきCoE（Centre of Excellence）と位置づけた。工場を拡張するには、その意味がある。 [→続きを読む]

TSMCが10年ぶりに日本で記者会見を開いた。同社は毎年TSMC Technology Symposiumを世界各地で開催しており、米国や台湾のメディアは参加できたが日本のシンポジウムはメディアを締め出し記者会見さえ開催してこなかった。TSMCの現状をレポートする。 [→続きを読む]

薄膜技術による全固体リチウムイオン電池は、半導体プロセス技術で製造するウェーハベースのバッテリ製造技術であるが、医療用に人体に埋め込む用途では10年以上使えるメドが立った。英国のファブレス企業Ilika（イリカと発音）社は、新型電池Stereax M50を開発、生体埋め込み可能な応用としてその製造方法をライセンス開始した。 [→続きを読む]

オランダ応用科学研究機構（TNO: The Netherlands Organization for Applied Scientific Research）はベルギーのIMECと共にフレキシブルエレクトロニクスに力を入れてきたが、筐体や3次元構造に配線を簡単に描くことのできるインモールド技術をこのほど開発した。コストが安く、これまでの3D配線技術を置き換えられる可能性がある。 [→続きを読む]

オランダの太陽電池コンソーシアムSollianceは、144cm2の面積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構造のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構造の太陽電池は、有機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最近注目が急速に集まっている。2011年に小面積だが10%を超えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも急だからである。 [→続きを読む]