Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工程の評価手法を開発
半導体工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研究開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工程における環境負荷を定量的に評価するシミュレーションを発表した。半導体プロセスの環境評価によりCO2削減への対策を打つことができる。まずはリソとエッチング工程でEUVの優位性が示された。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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GaNの常識を覆す1200Vの技術でEV市場を狙うパワー半導体ベンチャー
高耐圧のパワー半導体には、物質特性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの方が有利だ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧を得られるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V程度しか耐圧が得られない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導体でこれまでまかり通っていた。 [→続きを読む]
先端パッケージの3D-ICパッケージングの低温実装を推進するコネクテック
先端パッケージ技術が次世代の高集積化技術として注目されている。チップレットや3次元ICのパッケージングでは、これまでとは異なる技術が求められる。研究開発向け半導体チップのパッケージングを手掛けるコネクテックジャパンがインプリント法で10µmピッチの電極を形成する技術や、80°Cで半田バンプをチップ接続する技術で受注を獲得し続けている（図1）。 [→続きを読む]
PCMメモリ集積で車載ドメインコントローラ/SDVを狙うSTMicroelectronics
STMicroelectronicsが自動車仕様にPCM（相変化メモリ）を集積したマイクロコントローラ（MCU）Stellarファミリを東京ビッグサイトで開催されたオートモーティブワールド2023で展示した。Intel/Micron連合がPCMを利用したX-Point Memoryの事業を断念したのとは対照的だ。STの狙うのはあくまでも160°Cのような高温でも使えるPCMを開発、車載コンピュータへの応用だ。なぜか。 [→続きを読む]
ヘテロ集積の先端パッケージ技術はセミコンジャパンの目玉だった
セミコンジャパン2022では、半導体パッケージングのブースが全体の半分近くを占め、プロセスの前工程だけではなく、後工程との間にある特に先端パッケージング技術に注目が集まった。12月15日に開催されたAPCS（Advanced Packaging and Chiplet Summit）2022では、Intel、TSMC、AMDなどの先端パッケージへの取り組みが目を引いた。 [→続きを読む]
imec、「ムーアの法則はこれからも止まらない」、STCOでA2世代まで続く
ムーアの法則、すなわち商用の半導体製品に集積されるトランジスタの数は2年ごとに倍増する、という経済法則は、留まることを知らない。微細化は止まっているもののDTCOによって3次元化で集積度を高める技術は続いているからだ。ベルギーの半導体研究所imecは、将来に備えSTCO（System Technology Co-Optimization）を提唱し、CMOSのスケーリングがさらに続く道筋を示した。 [→続きを読む]
Mottスイッチを利用する不揮発性CeRAMセル動作を確認したSymetrix
Mott遷移と呼ばれる、金属と絶縁体との変化を利用したメモリであるCeRAM（参考資料1）のデバイス研究が一歩進んだ。このメモリは、遷移金属酸化物の特性を生かし、高抵抗か低抵抗かの状態を作り出し、1と0に対応させている。300mmウェーハ上にメモリセルを作り出し、その動作を確認した。 [→続きを読む]
TSMCがN2プロセスまでの戦略を発表、開発投資はますます巨額に
TSMCが8月30日に台湾でTechnology Symposiumを開催した後、今回は3年ぶりに日本に立ち寄りその概略を紹介、N2プロセスノードまでのロードマップを示した。ただ、1次元的な微細化寸法はもはや意味がなく、TSMCは1次元的なスケーリングから2次元的な面積スケーリングへとシフトしてきている。同社ビジネス開発のシニアVP、Kevin Zhang氏（図1）に同社の戦略を聞く。なお、9月28日に開催予定のセミコンポータル会員限定Free Webinarは「TSMC研究」がテーマである。 [→続きを読む]
Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高速化
Micron Technologyがこれまで最多のセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発（図1）、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた（参考資料1）。量産は2022年末になる見込みだ。232層と3ビット/セル技術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。 [→続きを読む]
3nmプロセスノードでTSMCとSamsungが激しく競い合う
3nmプロセスを巡ってTSMCとSamsungが技術を競っている。TSMCは、6月に米国で開いたTechnology Symposiumで3nmプロセスノードのN3およびN3EのFinFET技術と、2nmノードのN2プロセスを発表した。SamsungはGAA（ゲートオールアラウンド）構造の3nmプロセスノードでチップ生産を始めたと発表した。 [→続きを読む]
