インベンサス、新生テセラの半導体パッケージ企業として革新技術で再稼働
2012年はじめに日本オフィスを閉じたテセラ（Tessera）社。今は持ち株会社としての存在で、事業会社として半導体パッケージング技術会社のInvensasと、カメラモジュール会社のDigital Opticsを傘下に持つ新生テセラとして生まれ変わった。インベンサス（Invensas）は新型パッケージのソリューションを提供する研究開発会社として再稼働し始めた。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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LEAP、LSI消費電力削減のためMOSの��Vt低減、不揮発性メモリに力点
LEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）が2012 IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits (通称VLSI Symposium)で3件もの論文を発表した。同研究組合は、コンピュータシステムを論理回路、1次メモリ、2次メモリ、外部記憶と分けて、それぞれの低消費電力技術に取り組んでいる。 [→続きを読む]
インテルの22nmFINFETプロセスをファウンドリとして使うTabula社
インテル社の22nm、FINFETプロセスをファウンドリとして利用する契約を、新興FPGAメーカーのタブラ（Tabula）社が締結した。タブラ社は、ロジックを時分割にリコンフィギュア(再構成)することで、これまでのハイエンドFPGAよりも小さな面積でFPGAを実現できる3D Space Timeアーキテクチャを特長としてきたベンチャーだ。 [→続きを読む]
リチウムイオン電池を10倍長持ちさせられる負極材料を英ベンチャーが量産へ
シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採用することで、電流容量を数倍から10倍に上げようという試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を克服できる技術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル寿命は従来並みを確保、電流容量は業界トップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを得ている。 [→続きを読む]
6インチのGaN on Siウェーハで1 mm2のパワーLEDチップの光出力が634mW
ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社（OSRAM Opto Semiconductors：www.osram-os.com）は、6インチSiウェーハ上にGaN層を形成し、青色LEDおよび黄色い薄膜を被覆させた白色LEDを開発、試作量産ラインに流した。使われたシリコンウェーハは市販のものを用いた。 [→続きを読む]
英ベンチャーがMEMS方式IRセンサをけん引、高感度の商品ラインを拡大中
英国のベンチャーPyreos社がMEMSを使い、検出波長が0.7〜500μmと極めて広いIR（赤外線）センサの商品ラインを拡充している。欧州のIMECやLETIが今、研究開発しているテーマ（MEMSのIRセンサ）を先駆けた。MEMSメンブレンを使うと、検出する熱成分が逃げにくいため、感度が高く、冷却する必要がない。 [→続きを読む]
MEMSでなければ性能出せない製品が登場、センサネットワークへの応用も進展
MEMS製品の性能が上がっている。振動子では水晶の性能を超えた製品も出てきた。ドイツのボッシュ（Bosch）からスピンアウトした米サイタイム（SiTime）社は水晶の置き換えを狙い、-40〜+85℃に渡り周波数安定性がわずか±10ppmで、1〜220MHzでプログラム可能なMEMS発振器製品を発売し、米MEMSICは慣性センサをコアにスマホからセンサネットワークまでの応用を可能にするシステムまで製品を広げている。 [→続きを読む]
TSMCが20nmのプロセスを来年第3四半期にリリース、14nmにも開発着手
最先端のIC開発では28nmの量産が始まったが、早くも20nmプロセスを2012年の第3四半期にリリースする、と台湾TSMC社のCTOであるJack Sun氏(図1)は語った。Sun氏は次の14nm以降についてもその見通しを語り、ここからはリソグラフィもデバイス構造も大きく変わることを示唆している。しかし、自信に充ち溢れている。なぜか。 [→続きを読む]
サファイヤ結晶の大口径化によりLED基板価格は2013年に半減を期待
白色LED照明の原材料となるサファイヤ基板結晶を製造する装置と、サファイヤ結晶インゴットを製造販売する米GT Advanced TechnologyがLED Japanで存在感を示した。大きな体積のサファイヤ基板の8インチ化を可能にし、しかもインゴット直径当たりの価格も下げられる見通しだ。サファイヤの市場は拡大成長すると見る。展示会での同社の標語はGrowth begins here（成長はここから始まる）であった。 [→続きを読む]
GaN-on-Siのベンチャー続出、白色LED・パワーHEMTを狙いVCも活発に投資
Siウェーハ上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実用化させるベンチャー企業が米国を中心に続出している。このGaN-on-Si技術はもはや研究フェーズではない。実用化開発に焦点が移っている。限定ユーザー向けにサンプル出荷をしている所もある。 [→続きを読む]
