技術分析（プロセス）

米国のLED（発光ダイオード）専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ上にGaNの白色LEDを作り、色温度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、従来のサファイヤやSiC基板で作ったLED並みの明るさを実現した。クラックのないGaN結晶層を実現できたためで、2年後には商品化したいとしている。 [→続きを読む]

MEMS市場は比較的中小企業でも参入できるという特長がある。それも応用に特化したメーカーは着実に市場をつかもうとしている。マイクロフォンに特化するアクースティカ（Akustica）社、水晶発振器の置き換えを狙うサイタイム（SiTime）社は、それぞれの応用に向け設計から製造・応用技術、全てを提供する。 [→続きを読む]

MEMS産業には、MEMSファウンドリからファブレス、コンサルティングなどさまざまな業態が出てきている。MEMSデバイス製品を広範囲で持とうとすると、ファブレスで素早く市場へ対応するか、ファウンドリでさまざまなユーザーに対応するか、あるいはIDMなら特定用途に絞り込みソリューションとして提供する。ここではファウンドリのIMT社とファブライトのVTI社を紹介する。 [→続きを読む]

完全空乏型（fully depleted）SOI CMOS技術は20nm以降のCMOS技術として性能、消費電力、コストの点でバルクCMOSと比べ有利になることをSOIインダストリコンソーシアムが発表した。このため携帯機器に使うべきSoCには向いていると同コンソーシアムの上級ディレクタを務めるHoracio Mendez氏は主張する。 [→続きを読む]

米テクノロジーライセンス会社のテセラは、今後もPoP（パッケージオンパッケージ）が携帯機器向けアプリケーションプロセサとメモリーの3次元実装パッケージの主流になるとし、そのための薄型化技術とフリップチップがしばらくは続くと見ている。TSVを使う3D実装は低コスト化のメドがいまだに見えず、主流にはなりえないだろうとし、PoPビジネスに注力している。 [→続きを読む]

米国ニューヨーク市から300kmほど離れた北部の町、ニューヨーク州アルバニーにあるニューヨーク州立大学ナノテクセンターCNSEの実態が明らかになった。これは、東京新宿で開催された、国際半導体生産技術シンポジウムISSM（International Symposium on Semiconductor Manufacturing）2010の中で、同大の平山誠教授が基調講演で述べたもの。 [→続きを読む]

米ザイリンクス社は、シリコンインターポーザ技術を使い、FPGAチップを複数つなぐ新しい高集積化技術を開発したと発表した。3D IC用の技術であるTSV（through silicon via）を使いながら3次元にチップを積み重ねるのではなく、2次元に配置する。縦に積むとTSVホールの配置の制限やインターポーザにおける配線設計の自由度が損なわれるため、現段階では一部のイメジャーを除いて製品化されていない。 [→続きを読む]

フランスの国立研究開発機関のLETIが東京でコンファレンスLETI Dayを開催、日本半導体産業とLETIとの交流を積極的に進めることを訴えた。その第1弾として2010年5月にLETIと日本の産業技術総合研究所との間で技術交流を中心としたMOU契約を交わした。共にもう少し大きな組織として、産総研はTIA（つくばイノベーションアリーナ）、LETIは政府のCEA-DRTとの間でのMOUとなっている。その詳細が明らかになった。 [→続きを読む]

TSMCが28nmプロセスにおいてゲートラストを選択することを発表した。7月2日開催するTSMC2010 Technology Symposium Japanに先だって、1日にメディア向けにその概要を発表したが、メディアに対してエンバーゴをかけ、本日正午を持って発表となった。 [→続きを読む]

半導体技術とプリント回路基板技術の境目が見えなくなってきた。これまでは、プリント回路技術は半導体技術の後を追いかけてきた。回路線幅/線間隔（L/S）で表される幅は、半導体技術では30nmくらいまで微細化が進んできたのに対して、プリント回路技術は最も微細なパターンでさえ10/10μmだ。しかし、テクノロジーでは逆転現象も見える。 [→続きを読む]