技術分析（プロセス）

厚さ0.15mm(150µm)とA4用紙のように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商品化された。Siウェーハ上に薄膜を形成する製法を使うため、Si LSI回路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP（Package on package）や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは米ベンチャーのCymbet社。 [→続きを読む]

英国の工業用ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での活動を本格化させている。これまで工業用のダイヤモンド砥粒やパウダーなど物理的に固いという特長を生かし機械的な作業の分野に注力していたが、エレクトロニクスにも力を入れ始めた。熱伝導の良さに注目している。 [→続きを読む]

イスラエルに本社を置くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを明らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger氏が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→続きを読む]

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]

Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]

ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量産品を出荷しており、その量産規模拡大を進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち上げに狙いを絞っていることを明らかにした(図1)。 [→続きを読む]

EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]

FPGA大手のAltera（アルテラ）は、14nm時代に向けた製品のロードマップ(図1)とポートフォリオを明らかにした。14nmではIntelをファウンドリとして使う旨も表明しており、その意図を取材した。 [→続きを読む]

かつて、バリアブルコンデンサと呼ばれる、ラジオチューナ用の可変キャパシタがあった。空気を絶縁体として用い、向かい合わせた金属板の片面だけを機械的に回転させることで金属板が向かい合う面積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金属板間の距離を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで超小型にした。 [→続きを読む]

MEMS発振器は、性能も機能も水晶を完全に抜くようになった。米サイタイム（SiTime）社は、1Hzから32.768kHzまでの周波数を選択でき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振器を製品化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットも大きい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→続きを読む]