finFETを全面リニューアルに
16/14nm以降のFinFETは、形状、サイズ、ピッチ、材料、製造プロセスから見直すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノードのプロセッサHaswellから使われたが、その延長では済まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポートする。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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Infineonの完全自動化200mmラインとパワー半導体用300mmラインを見た
ドイツのInfineon Technologiesは、パワー半導体向けに300mmウェーハラインをドレスデンに設置し稼働させている。パワー半導体は数量の点ではデジタルやアナログ製品に劣るが、そのチップを大口径化するメリットはやはり低コスト化にある。加えて、人件費の高いドイツでもコスト的に見合う生産をするため200mmラインを完全自動化した。 [→続きを読む]
7nmと5nm時代はやってくるのだろうか？
新材料と新トランジスタでムーアの法則を1.5nm以下まで伸ばすことはできそうだが、問題は山積みで、まだ解のない問題も多い。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringは先端技術を開発する大手半導体メーカーを取材した。 [→続きを読む]
14nm以降に実用期を迎える3次元IC
3次元スタックダイ(3D IC)の実用化には時間がかかると10年前から言われてきた。市場調査会社のGartnerによると、3D ICをすでに作製できるようになったTSMCは、1年後にはサンプル生産を終えるという。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringが最近の3次元ICの動きをレビューした。 [→続きを読む]
Element Six社、GaN on Diamondウェーハで熱抵抗を4割削減
電気的には絶縁体ながら熱伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発熱の大きな高周波パワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今夏に販売するという。 [→続きを読む]
新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命名
LEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考資料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と名付けることが決まった。GeTe/Sb2Te3超格子の中のGeの移動だけで低抵抗と高抵抗をスイッチングする。このカルコゲン材料による超格子を、トポロジカル絶縁体と物性物理学の世界で呼んでいる。 [→続きを読む]
東大グループ、プラスチックICで13.56MHzのRF ID動作に成功
東京大学のグループは、プラスチックで作製した集積回路で、13.56MHzのRF ID送受信動作に成功した。これは、移動度が10cm2/Vsと有機トランジスタとしては極めて大きいトランジスタを作製したことで得られたとしている。 [→続きを読む]
少電流・高速・1億回書き換え可能な相変化メモリをLEAPが開発
相変化メモリがRAMとして使える可能性が出てきた。超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）は、結晶Aと結晶Bの遷移だけで相転移できる原理を利用したメモリを開発し、1億回を超える書き換え回数を得た。これ以上の書き換えテストは時間がかかりすぎるため、中止したという。 [→続きを読む]
厚さ150µmのLiイオンバッテリ、半導体プロセスで作製、商品化1号
厚さ0.15mm(150µm)とA4用紙のように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商品化された。Siウェーハ上に薄膜を形成する製法を使うため、Si LSI回路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP（Package on package）や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは米ベンチャーのCymbet社。 [→続きを読む]
銅の5倍の熱伝導性を持つ合成ダイヤ薄膜で、日本市場狙うElement Six社
英国の工業用ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での活動を本格化させている。これまで工業用のダイヤモンド砥粒やパウダーなど物理的に固いという特長を生かし機械的な作業の分野に注力していたが、エレクトロニクスにも力を入れ始めた。熱伝導の良さに注目している。 [→続きを読む]
