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技術分析(プロセス)

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三洋電機の研究開発本部は、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い結晶型シリコン太陽電池セルを開発した。N型シリコン基板の厚みは98μmと従来の半分程度に薄い。省資源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→続きを読む]
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多層配線技術を使い、配線層部分にMEMS可動部を設けるという、1チップ技術が登場した。日立製作所の中央研究所がCMOSプロセスに妥協することなくMEMSを集積できるプロセスを第20回マイクロマシン/MEMS展で発表した。 [→続きを読む]
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米GlobalFoundries社がニューヨーク州サラトガ郡に建設する300mmプライムウェーハ工場Fab2の起工式を7月24日に行うことを明らかにした。かつてアプライドマテリアルズ社やLSIロジックに在籍していたことのある、Fab2の責任者Norm Armour氏がセミコンウェスト2009において、「装置メーカーにとってのグッドニュースは米国に最先端の工場を戻したこと」と述べ、拍手喝采を浴びた。 [→続きを読む]
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