高い熱伝導性をもつ新しい絶縁材料、エポキシ樹脂とフィラーの開発進む
熱をよく逃がすが、電気は通さない、という放熱用の絶縁材料を、エポキシにフィラー粒子として混ぜることで熱伝導の優れた樹脂が使えるようになる日が近い。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、熱伝導率の高いエポキシ樹脂を研究している関西大学の原田研究室が、マイクロ・ナノファブリケーション研究会で顔を合わせた。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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8インチSiウェーハ上に形成した白色LEDが160 lm/Wの輝度を達成
米国のLED（発光ダイオード）専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ上にGaNの白色LEDを作り、色温度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、従来のサファイヤやSiC基板で作ったLED並みの明るさを実現した。クラックのないGaN結晶層を実現できたためで、2年後には商品化したいとしている。 [→続きを読む]
MEMS特集：デジタルマイクICに徹するAkustica、水晶置き換え狙うSiTime
MEMS市場は比較的中小企業でも参入できるという特長がある。それも応用に特化したメーカーは着実に市場をつかもうとしている。マイクロフォンに特化するアクースティカ（Akustica）社、水晶発振器の置き換えを狙うサイタイム（SiTime）社は、それぞれの応用に向け設計から製造・応用技術、全てを提供する。 [→続きを読む]
MEMS特集：ファウンドリ、ファブライトに集中して製品群を広げるIMT、VTI
MEMS産業には、MEMSファウンドリからファブレス、コンサルティングなどさまざまな業態が出てきている。MEMSデバイス製品を広範囲で持とうとすると、ファブレスで素早く市場へ対応するか、ファウンドリでさまざまなユーザーに対応するか、あるいはIDMなら特定用途に絞り込みソリューションとして提供する。ここではファウンドリのIMT社とファブライトのVTI社を紹介する。 [→続きを読む]
FD-SOI CMOSは20nm以降ではバルクよりも断然有利とSOIコンソーシアムが発表
完全空乏型（fully depleted）SOI CMOS技術は20nm以降のCMOS技術として性能、消費電力、コストの点でバルクCMOSと比べ有利になることをSOIインダストリコンソーシアムが発表した。このため携帯機器に使うべきSoCには向いていると同コンソーシアムの上級ディレクタを務めるHoracio Mendez氏は主張する。 [→続きを読む]
PoPこそベストソリューション、TSVの時代は当分来ない、テセラのPoP戦略
米テクノロジーライセンス会社のテセラは、今後もPoP（パッケージオンパッケージ）が携帯機器向けアプリケーションプロセサとメモリーの3次元実装パッケージの主流になるとし、そのための薄型化技術とフリップチップがしばらくは続くと見ている。TSVを使う3D実装は低コスト化のメドがいまだに見えず、主流にはなりえないだろうとし、PoPビジネスに注力している。 [→続きを読む]
新しい形のコラボレーションを模索するアルバニーのナノテクセンター
米国ニューヨーク市から300kmほど離れた北部の町、ニューヨーク州アルバニーにあるニューヨーク州立大学ナノテクセンターCNSEの実態が明らかになった。これは、東京新宿で開催された、国際半導体生産技術シンポジウムISSM（International Symposium on Semiconductor Manufacturing）2010の中で、同大の平山誠教授が基調講演で述べたもの。 [→続きを読む]
TSVの商品化を早める平面配置手法によりFPGAの集積度を上げるザイリンクス
米ザイリンクス社は、シリコンインターポーザ技術を使い、FPGAチップを複数つなぐ新しい高集積化技術を開発したと発表した。3D IC用の技術であるTSV（through silicon via）を使いながら3次元にチップを積み重ねるのではなく、2次元に配置する。縦に積むとTSVホールの配置の制限やインターポーザにおける配線設計の自由度が損なわれるため、現段階では一部のイメジャーを除いて製品化されていない。 [→続きを読む]
産総研を中心としたTIAとフランスのデバイス研究所LETIとの役割分担が明確に
フランスの国立研究開発機関のLETIが東京でコンファレンスLETI Dayを開催、日本半導体産業とLETIとの交流を積極的に進めることを訴えた。その第1弾として2010年5月にLETIと日本の産業技術総合研究所との間で技術交流を中心としたMOU契約を交わした。共にもう少し大きな組織として、産総研はTIA（つくばイノベーションアリーナ）、LETIは政府のCEA-DRTとの間でのMOUとなっている。その詳細が明らかになった。 [→続きを読む]
TSMCが28nmプロセスをゲートラストで構築、20nm以下の見通しも語る
TSMCが28nmプロセスにおいてゲートラストを選択することを発表した。7月2日開催するTSMC2010 Technology Symposium Japanに先だって、1日にメディア向けにその概要を発表したが、メディアに対してエンバーゴをかけ、本日正午を持って発表となった。 [→続きを読む]
