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技術分析(プロセス)

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MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
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Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]
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ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量産品を出荷しており、その量産規模拡大を進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち上げに狙いを絞っていることを明らかにした(図1)。 [→続きを読む]
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EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
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FPGA大手のAltera(アルテラ)は、14nm時代に向けた製品のロードマップ(図1)とポートフォリオを明らかにした。14nmではIntelをファウンドリとして使う旨も表明しており、その意図を取材した。 [→続きを読む]
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かつて、バリアブルコンデンサと呼ばれる、ラジオチューナ用の可変キャパシタがあった。空気を絶縁体として用い、向かい合わせた金属板の片面だけを機械的に回転させることで金属板が向かい合う面積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金属板間の距離を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで超小型にした。 [→続きを読む]
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MEMS発振器は、性能も機能も水晶を完全に抜くようになった。米サイタイム(SiTime)社は、1Hzから32.768kHzまでの周波数を選択でき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振器を製品化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットも大きい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→続きを読む]
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STマイクロエレクトロニクスは、日本時間2月27日にバルセロナのCCCB(Centre de Cultura Comtemporania de Barcelona)においてジャーナリスト・投資アナリスト向けの会見を開催、MEMSとMCUに関する現状を紹介すると同時に、FD-SOIプロセスの戦略方針を語った(図1)。 [→続きを読む]
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神戸大学と超先端電子技術開発機構(ASET)は共同で、4096本のTSVバスを持つインターポーザを介して、メモリチップとロジックチップを積層した3次元ICを試作、100Gバイト/秒の高速データ伝送を実証した。これを米サンフランシスコで開かれたISSCC(International Solid-State Circuits Conference)で発表した。 [→続きを読む]
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カーエレクトロニクスに搭載するパワーMOSFETをリードレスパッケージに収容しても200Aを流すことのできる実装技術を、インフィニオンが明らかにした。これまでのD2PAK型パッケージでは180Aが最大電流だったが、新開発のTO-LL表面実装型パッケージは200Aまで流せることで、インバータの小型化につながる。 [→続きを読む]

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