技術分析（プロセス）

ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量産品を出荷しており、その量産規模拡大を進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち上げに狙いを絞っていることを明らかにした(図1)。 [→続きを読む]

EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]

FPGA大手のAltera（アルテラ）は、14nm時代に向けた製品のロードマップ(図1)とポートフォリオを明らかにした。14nmではIntelをファウンドリとして使う旨も表明しており、その意図を取材した。 [→続きを読む]

かつて、バリアブルコンデンサと呼ばれる、ラジオチューナ用の可変キャパシタがあった。空気を絶縁体として用い、向かい合わせた金属板の片面だけを機械的に回転させることで金属板が向かい合う面積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金属板間の距離を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで超小型にした。 [→続きを読む]

MEMS発振器は、性能も機能も水晶を完全に抜くようになった。米サイタイム（SiTime）社は、1Hzから32.768kHzまでの周波数を選択でき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振器を製品化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットも大きい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→続きを読む]

STマイクロエレクトロニクスは、日本時間2月27日にバルセロナのCCCB（Centre de Cultura Comtemporania de Barcelona）においてジャーナリスト・投資アナリスト向けの会見を開催、MEMSとMCUに関する現状を紹介すると同時に、FD-SOIプロセスの戦略方針を語った（図1）。 [→続きを読む]

神戸大学と超先端電子技術開発機構（ASET）は共同で、4096本のTSVバスを持つインターポーザを介して、メモリチップとロジックチップを積層した3次元ICを試作、100Gバイト/秒の高速データ伝送を実証した。これを米サンフランシスコで開かれたISSCC（International Solid-State Circuits Conference）で発表した。 [→続きを読む]

カーエレクトロニクスに搭載するパワーMOSFETをリードレスパッケージに収容しても200Aを流すことのできる実装技術を、インフィニオンが明らかにした。これまでのD2PAK型パッケージでは180Aが最大電流だったが、新開発のTO-LL表面実装型パッケージは200Aまで流せることで、インバータの小型化につながる。 [→続きを読む]

経済産業省・NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）が支援する「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」の成果報告会が行われ、低電圧技術の進展が発表された。原子レベルの微細化に近づくにつれ、不純物原子の影響が顕著に表れるようになってきている。動作電圧を下げ、原子レベルに挑戦する試みがこのプロジェクトである。IEDM2012でも発表された技術も含めいくつか紹介する。 [→続きを読む]

半導体産業の老舗、フェアチャイルドセミコンダクター（Fairchild Semiconductor）がSiCのバイポーラトランジスタを来年前半に製品化する。日本メーカーのMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに替わるSiC第3のトランジスタとしてのバイポーラも登場という位置付けになる。 [→続きを読む]