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技術分析(プロセス)

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SuVolta社、富士通に続き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

SuVolta社、富士通に続き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]

MEMSでバリコン、2mm3のリードスイッチを実現・商品化するベンチャーと老舗

MEMSでバリコン、2mm3のリードスイッチを実現・商品化するベンチャーと老舗

かつて、バリアブルコンデンサと呼ばれる、ラジオチューナ用の可変キャパシタがあった。空気を絶縁体として用い、向かい合わせた金属板の片面だけを機械的に回転させることで金属板が向かい合う面積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金属板間の距離を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで超小型にした。 [→続きを読む]

SiTime、性能も機能も水晶振動子の上を行くMEMS発振器を製品化

SiTime、性能も機能も水晶振動子の上を行くMEMS発振器を製品化

MEMS発振器は、性能も機能も水晶を完全に抜くようになった。米サイタイム(SiTime)社は、1Hzから32.768kHzまでの周波数を選択でき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振器を製品化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットも大きい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→続きを読む]

STマイクロがファブライト戦略を採りながらもIDMにこだわる狙いとは

STマイクロがファブライト戦略を採りながらもIDMにこだわる狙いとは

STマイクロエレクトロニクスは、日本時間2月27日にバルセロナのCCCB(Centre de Cultura Comtemporania de Barcelona)においてジャーナリスト・投資アナリスト向けの会見を開催、MEMSとMCUに関する現状を紹介すると同時に、FD-SOIプロセスの戦略方針を語った(図1)。 [→続きを読む]

神戸大/ASET、4096個のTSVを介して3D積層IC試作、100GB/sの速度を実証

神戸大/ASET、4096個のTSVを介して3D積層IC試作、100GB/sの速度を実証

神戸大学と超先端電子技術開発機構(ASET)は共同で、4096本のTSVバスを持つインターポーザを介して、メモリチップとロジックチップを積層した3次元ICを試作、100Gバイト/秒の高速データ伝送を実証した。これを米サンフランシスコで開かれたISSCC(International Solid-State Circuits Conference)で発表した。 [→続きを読む]

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