東大グループ、プラスチックICで13.56MHzのRF ID動作に成功
東京大学のグループは、プラスチックで作製した集積回路で、13.56MHzのRF ID送受信動作に成功した。これは、移動度が10cm2/Vsと有機トランジスタとしては極めて大きいトランジスタを作製したことで得られたとしている。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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少電流・高速・1億回書き換え可能な相変化メモリをLEAPが開発
相変化メモリがRAMとして使える可能性が出てきた。超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）は、結晶Aと結晶Bの遷移だけで相転移できる原理を利用したメモリを開発し、1億回を超える書き換え回数を得た。これ以上の書き換えテストは時間がかかりすぎるため、中止したという。 [→続きを読む]
厚さ150µmのLiイオンバッテリ、半導体プロセスで作製、商品化1号
厚さ0.15mm(150µm)とA4用紙のように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商品化された。Siウェーハ上に薄膜を形成する製法を使うため、Si LSI回路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP（Package on package）や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは米ベンチャーのCymbet社。 [→続きを読む]
銅の5倍の熱伝導性を持つ合成ダイヤ薄膜で、日本市場狙うElement Six社
英国の工業用ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での活動を本格化させている。これまで工業用のダイヤモンド砥粒やパウダーなど物理的に固いという特長を生かし機械的な作業の分野に注力していたが、エレクトロニクスにも力を入れ始めた。熱伝導の良さに注目している。 [→続きを読む]
TowerJazz、デザインセンターを社内に置きサポートの充実図る
イスラエルに本社を置くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを明らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger氏が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→続きを読む]
SuVolta社、富士通に続き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか
Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]
台湾UMC、20nmをスキップ、14nmFINFETプロセスで巻き返し狙う
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量産品を出荷しており、その量産規模拡大を進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち上げに狙いを絞っていることを明らかにした(図1)。 [→続きを読む]
EUV時代が見えてきたか、IntelがASMLと歩調を合わせ10nmに照準
EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
Altera、14nmのIntelファウンドリ、55nmフラッシュ、ロードマップを語る
FPGA大手のAltera（アルテラ）は、14nm時代に向けた製品のロードマップ(図1)とポートフォリオを明らかにした。14nmではIntelをファウンドリとして使う旨も表明しており、その意図を取材した。 [→続きを読む]
