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技術分析(プロセス)

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MEMSでバリコン、2mm3のリードスイッチを実現・商品化するベンチャーと老舗

MEMSでバリコン、2mm3のリードスイッチを実現・商品化するベンチャーと老舗

かつて、バリアブルコンデンサと呼ばれる、ラジオチューナ用の可変キャパシタがあった。空気を絶縁体として用い、向かい合わせた金属板の片面だけを機械的に回転させることで金属板が向かい合う面積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金属板間の距離を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで超小型にした。 [→続きを読む]

SiTime、性能も機能も水晶振動子の上を行くMEMS発振器を製品化

SiTime、性能も機能も水晶振動子の上を行くMEMS発振器を製品化

MEMS発振器は、性能も機能も水晶を完全に抜くようになった。米サイタイム(SiTime)社は、1Hzから32.768kHzまでの周波数を選択でき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振器を製品化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットも大きい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→続きを読む]

STマイクロがファブライト戦略を採りながらもIDMにこだわる狙いとは

STマイクロがファブライト戦略を採りながらもIDMにこだわる狙いとは

STマイクロエレクトロニクスは、日本時間2月27日にバルセロナのCCCB(Centre de Cultura Comtemporania de Barcelona)においてジャーナリスト・投資アナリスト向けの会見を開催、MEMSとMCUに関する現状を紹介すると同時に、FD-SOIプロセスの戦略方針を語った(図1)。 [→続きを読む]

神戸大/ASET、4096個のTSVを介して3D積層IC試作、100GB/sの速度を実証

神戸大/ASET、4096個のTSVを介して3D積層IC試作、100GB/sの速度を実証

神戸大学と超先端電子技術開発機構(ASET)は共同で、4096本のTSVバスを持つインターポーザを介して、メモリチップとロジックチップを積層した3次元ICを試作、100Gバイト/秒の高速データ伝送を実証した。これを米サンフランシスコで開かれたISSCC(International Solid-State Circuits Conference)で発表した。 [→続きを読む]

インフィニオン、カーエレ用パワー半導体の新パッケージ技術を明らかに

インフィニオン、カーエレ用パワー半導体の新パッケージ技術を明らかに

カーエレクトロニクスに搭載するパワーMOSFETをリードレスパッケージに収容しても200Aを流すことのできる実装技術を、インフィニオンが明らかにした。これまでのD2PAK型パッケージでは180Aが最大電流だったが、新開発のTO-LL表面実装型パッケージは200Aまで流せることで、インバータの小型化につながる。 [→続きを読む]

LEAPの低消費電力・不揮発性メモリはノイズマージン広げ、高集積化目指す

LEAPの低消費電力・不揮発性メモリはノイズマージン広げ、高集積化目指す

経済産業省・NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)が支援する「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」の成果報告会が行われ、低電圧技術の進展が発表された。原子レベルの微細化に近づくにつれ、不純物原子の影響が顕著に表れるようになってきている。動作電圧を下げ、原子レベルに挑戦する試みがこのプロジェクトである。IEDM2012でも発表された技術も含めいくつか紹介する。 [→続きを読む]

フェアチャイルドがSiCバイポーラTrを来年前半発売、IGBT可能性も浮上

フェアチャイルドがSiCバイポーラTrを来年前半発売、IGBT可能性も浮上

半導体産業の老舗、フェアチャイルドセミコンダクター(Fairchild Semiconductor)がSiCのバイポーラトランジスタを来年前半に製品化する。日本メーカーのMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに替わるSiC第3のトランジスタとしてのバイポーラも登場という位置付けになる。 [→続きを読む]

効率29%でフレキシブルな太陽電池を米ベンチャーがサンプル出荷、来年量産へ

効率29%でフレキシブルな太陽電池を米ベンチャーがサンプル出荷、来年量産へ

プラスチック基板上に作った太陽電池は、フレキシブルで折り曲げ自由なため、電柱の柱に沿って設置したり、自動車の屋根やボンネットの上に設置したりすることができる。反面、光電変換効率が悪く、せいぜい8%程度しか得られなかったため、広い面積に渡って設置しなければ使い物にならなかった。今回、フレキシブルながら効率28.8%という優れモノが登場した。 [→続きを読む]

GlobalFoundries、10年間のfinFET開発を経て14nmプロセスで実現へ

GlobalFoundries、10年間のfinFET開発を経て14nmプロセスで実現へ

「これまでプロセス世代は2年間の開発期間を経てきたが、20nmから14nmへは1年で到達できそうだ」。こう語るのは、グローバルファウンドリーズ(GlobalFoundries)のグローバルセールス兼マーケティング担当上級バイスプレジデントであるMike Noonen氏。アジア各地でメディアとのロードショーを行い、最終地の台北と東京との間で電話会見を行った。 [→続きを読む]

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