インフィニオン、カーエレ用パワー半導体の新パッケージ技術を明らかに
カーエレクトロニクスに搭載するパワーMOSFETをリードレスパッケージに収容しても200Aを流すことのできる実装技術を、インフィニオンが明らかにした。これまでのD2PAK型パッケージでは180Aが最大電流だったが、新開発のTO-LL表面実装型パッケージは200Aまで流せることで、インバータの小型化につながる。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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LEAPの低消費電力・不揮発性メモリはノイズマージン広げ、高集積化目指す
経済産業省・NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）が支援する「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」の成果報告会が行われ、低電圧技術の進展が発表された。原子レベルの微細化に近づくにつれ、不純物原子の影響が顕著に表れるようになってきている。動作電圧を下げ、原子レベルに挑戦する試みがこのプロジェクトである。IEDM2012でも発表された技術も含めいくつか紹介する。 [→続きを読む]
フェアチャイルドがSiCバイポーラTrを来年前半発売、IGBT可能性も浮上
半導体産業の老舗、フェアチャイルドセミコンダクター（Fairchild Semiconductor）がSiCのバイポーラトランジスタを来年前半に製品化する。日本メーカーのMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに替わるSiC第3のトランジスタとしてのバイポーラも登場という位置付けになる。 [→続きを読む]
効率29%でフレキシブルな太陽電池を米ベンチャーがサンプル出荷、来年量産へ
プラスチック基板上に作った太陽電池は、フレキシブルで折り曲げ自由なため、電柱の柱に沿って設置したり、自動車の屋根やボンネットの上に設置したりすることができる。反面、光電変換効率が悪く、せいぜい8%程度しか得られなかったため、広い面積に渡って設置しなければ使い物にならなかった。今回、フレキシブルながら効率28.8%という優れモノが登場した。 [→続きを読む]
GlobalFoundries、10年間のfinFET開発を経て14nmプロセスで実現へ
「これまでプロセス世代は2年間の開発期間を経てきたが、20nmから14nmへは1年で到達できそうだ」。こう語るのは、グローバルファウンドリーズ(GlobalFoundries)のグローバルセールス兼マーケティング担当上級バイスプレジデントであるMike Noonen氏。アジア各地でメディアとのロードショーを行い、最終地の台北と東京との間で電話会見を行った。 [→続きを読む]
インベンサス、新生テセラの半導体パッケージ企業として革新技術で再稼働
2012年はじめに日本オフィスを閉じたテセラ（Tessera）社。今は持ち株会社としての存在で、事業会社として半導体パッケージング技術会社のInvensasと、カメラモジュール会社のDigital Opticsを傘下に持つ新生テセラとして生まれ変わった。インベンサス（Invensas）は新型パッケージのソリューションを提供する研究開発会社として再稼働し始めた。 [→続きを読む]
LEAP、LSI消費電力削減のためMOSの��Vt低減、不揮発性メモリに力点
LEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）が2012 IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits (通称VLSI Symposium)で3件もの論文を発表した。同研究組合は、コンピュータシステムを論理回路、1次メモリ、2次メモリ、外部記憶と分けて、それぞれの低消費電力技術に取り組んでいる。 [→続きを読む]
インテルの22nmFINFETプロセスをファウンドリとして使うTabula社
インテル社の22nm、FINFETプロセスをファウンドリとして利用する契約を、新興FPGAメーカーのタブラ（Tabula）社が締結した。タブラ社は、ロジックを時分割にリコンフィギュア(再構成)することで、これまでのハイエンドFPGAよりも小さな面積でFPGAを実現できる3D Space Timeアーキテクチャを特長としてきたベンチャーだ。 [→続きを読む]
リチウムイオン電池を10倍長持ちさせられる負極材料を英ベンチャーが量産へ
シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採用することで、電流容量を数倍から10倍に上げようという試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を克服できる技術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル寿命は従来並みを確保、電流容量は業界トップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを得ている。 [→続きを読む]
6インチのGaN on Siウェーハで1 mm2のパワーLEDチップの光出力が634mW
ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社（OSRAM Opto Semiconductors：www.osram-os.com）は、6インチSiウェーハ上にGaN層を形成し、青色LEDおよび黄色い薄膜を被覆させた白色LEDを開発、試作量産ラインに流した。使われたシリコンウェーハは市販のものを用いた。 [→続きを読む]
