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技術分析(プロセス)

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MIRAIプロジェクトがhp22 nm時代に向けたMOSトランジスタの指針構築に向けてキャリヤ移動度の高いGe(ゲルマニウム)トランジスタの試作状況についてまとめた。これは12月中旬、茨城県つくば市で行われた「2009年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会」で発表されたもの。このほど、スライドの使用許可をセミコンポータルにいただいた。 [→続きを読む]
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「RFやミクストシグナルASICの設計から製造・パッケージング・量産までワンストップショップで顧客に提案できる」と、NXP Semiconductors社戦略ビジネス開発マネジャーのJacob van der Pol氏は胸を張る。これまでのこなれたプロセスを武器にRFやアナログ、ミクストシグナルのチップの設計ツールの提供から製造・パッケージング・テストまで全てを請け負う体制ができた。 [→続きを読む]
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ウェーハごとにばらつくゲート酸化膜厚の測定データを蓄積し、その後のウェーハごとの変動を予測し品質管理に生かす、というパナソニックの生産技術論文がAEC/APC Symposium-Asia 2009のベストペーパー賞を受賞した。このシンポジウムは東京・神田一ツ橋記念講堂で行われ、パナソニックが半導体の品質を管理できる事例を発表した。 [→続きを読む]
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10月24日から一般公開されたモーターショーにおいて、カーエレクトロニクスの専門メーカーであるデンソーはSiCのMOSFETを展示した。ドレイン耐圧1200V、ドレイン電流は放熱フィンを付けて100A程度流せる。同社が作製するSiC結晶の品質は群を抜いていると言われている。なぜ、どうやって高品質なSiC結晶を作っているのか、デンソーに取材した。 [→続きを読む]
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IMECが創立25周年を迎えた。これまでの売り上げはずっと右肩上がりでやってきた。2009年7月に新たにCEOに就任したリュック・バンデンホッフ氏にインタビューすると、最初からグローバルにやってきたわけではないという。何が成功した要因なのか、インタビューを通してその謎に迫ってみた。 [→続きを読む]
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スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと米インテルとの合弁会社であるニューモニクスが、128Mビットの相変化メモリー(PCメモリー)を量産する。現在、特定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなく一般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設計している。年明けには1Gビット品も出したいと意気込んでいる。 [→続きを読む]
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さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]
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三洋電機の研究開発本部は、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い結晶型シリコン太陽電池セルを開発した。N型シリコン基板の厚みは98μmと従来の半分程度に薄い。省資源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→続きを読む]
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多層配線技術を使い、配線層部分にMEMS可動部を設けるという、1チップ技術が登場した。日立製作所の中央研究所がCMOSプロセスに妥協することなくMEMSを集積できるプロセスを第20回マイクロマシン/MEMS展で発表した。 [→続きを読む]
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米GlobalFoundries社がニューヨーク州サラトガ郡に建設する300mmプライムウェーハ工場Fab2の起工式を7月24日に行うことを明らかにした。かつてアプライドマテリアルズ社やLSIロジックに在籍していたことのある、Fab2の責任者Norm Armour氏がセミコンウェスト2009において、「装置メーカーにとってのグッドニュースは米国に最先端の工場を戻したこと」と述べ、拍手喝采を浴びた。 [→続きを読む]
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