技術分析（プロセス）

シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採用することで、電流容量を数倍から10倍に上げようという試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を克服できる技術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル寿命は従来並みを確保、電流容量は業界トップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを得ている。 [→続きを読む]

ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社（OSRAM Opto Semiconductors：www.osram-os.com）は、6インチSiウェーハ上にGaN層を形成し、青色LEDおよび黄色い薄膜を被覆させた白色LEDを開発、試作量産ラインに流した。使われたシリコンウェーハは市販のものを用いた。 [→続きを読む]

英国のベンチャーPyreos社がMEMSを使い、検出波長が0.7〜500μmと極めて広いIR（赤外線）センサの商品ラインを拡充している。欧州のIMECやLETIが今、研究開発しているテーマ（MEMSのIRセンサ）を先駆けた。MEMSメンブレンを使うと、検出する熱成分が逃げにくいため、感度が高く、冷却する必要がない。 [→続きを読む]

MEMS製品の性能が上がっている。振動子では水晶の性能を超えた製品も出てきた。ドイツのボッシュ（Bosch）からスピンアウトした米サイタイム（SiTime）社は水晶の置き換えを狙い、-40〜+85℃に渡り周波数安定性がわずか±10ppmで、1〜220MHzでプログラム可能なMEMS発振器製品を発売し、米MEMSICは慣性センサをコアにスマホからセンサネットワークまでの応用を可能にするシステムまで製品を広げている。 [→続きを読む]

最先端のIC開発では28nmの量産が始まったが、早くも20nmプロセスを2012年の第3四半期にリリースする、と台湾TSMC社のCTOであるJack Sun氏(図1)は語った。Sun氏は次の14nm以降についてもその見通しを語り、ここからはリソグラフィもデバイス構造も大きく変わることを示唆している。しかし、自信に充ち溢れている。なぜか。 [→続きを読む]

白色LED照明の原材料となるサファイヤ基板結晶を製造する装置と、サファイヤ結晶インゴットを製造販売する米GT Advanced TechnologyがLED Japanで存在感を示した。大きな体積のサファイヤ基板の8インチ化を可能にし、しかもインゴット直径当たりの価格も下げられる見通しだ。サファイヤの市場は拡大成長すると見る。展示会での同社の標語はGrowth begins here（成長はここから始まる）であった。 [→続きを読む]

Siウェーハ上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実用化させるベンチャー企業が米国を中心に続出している。このGaN-on-Si技術はもはや研究フェーズではない。実用化開発に焦点が移っている。限定ユーザー向けにサンプル出荷をしている所もある。 [→続きを読む]

熱をよく逃がすが、電気は通さない、という放熱用の絶縁材料を、エポキシにフィラー粒子として混ぜることで熱伝導の優れた樹脂が使えるようになる日が近い。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、熱伝導率の高いエポキシ樹脂を研究している関西大学の原田研究室が、マイクロ・ナノファブリケーション研究会で顔を合わせた。 [→続きを読む]

米国のLED（発光ダイオード）専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ上にGaNの白色LEDを作り、色温度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、従来のサファイヤやSiC基板で作ったLED並みの明るさを実現した。クラックのないGaN結晶層を実現できたためで、2年後には商品化したいとしている。 [→続きを読む]

MEMS市場は比較的中小企業でも参入できるという特長がある。それも応用に特化したメーカーは着実に市場をつかもうとしている。マイクロフォンに特化するアクースティカ（Akustica）社、水晶発振器の置き換えを狙うサイタイム（SiTime）社は、それぞれの応用に向け設計から製造・応用技術、全てを提供する。 [→続きを読む]