技術分析（プロセス）

厚さが1mmと薄く、リーク電流が従来のリチウムイオン電池の1/10、エネルギー密度がmA/cm2クラスの全固体リチウムイオン電池を英国のベンチャー、Ilika（イリカと発音）が開発した。ARMと同様、IPライセンスビジネスを主力に据え、量産パートナーを探している。 [→続きを読む]

人間の体の断層を撮影するCTスキャナー。このComputed Tomography（トモグラフィ）技術を使って3次元ICの内部を見ようという検査装置をCarl Zeissが開発中である。3D構造のFinFETや3D-NANDセル、あるいはICチップをスタックする3D-ICなど3次元構造を見ることができる。 [→続きを読む]

GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET技術と同等な性能を持つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)技術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと一緒に14nm Fin FET技術を開発してきただけに、なぜ今この技術なのか、同社CMOS Platforms Business部門長でシニアVPのGregg Bartlett氏(図1)が電話インタビューで答えた。 [→続きを読む]

シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの酸化物）半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]

GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]

Infineon Technologiesがドイツのバールシュタイン（Warstein）にパワー半導体パッケージング工程の新工場を稼働させ、このほど公開した。パワー半導体といえども、LSI同様、小型化・低消費電力(高効率)化・使いやすさを求められている。このため、単体のトランジスタから、複数のベアチップを実装したモジュールへとパッケージは進化している。 [→続きを読む]

英Element Six社がGaN-on-Diamondの4インチウェーハをサンプル出荷した。ダイアモンドの魅力は何といっても絶縁体ながら熱抵抗が極めて低いこと。このため、高周波パワートランジスタにはうってつけ(参考資料1)。熱伝導率が1600W/mKと高く、放熱性が優れているため、従来のSiCを基板とするGaNよりも性能が高い。 [→続きを読む]

16/14nm以降のFinFETは、形状、サイズ、ピッチ、材料、製造プロセスから見直すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノードのプロセッサHaswellから使われたが、その延長では済まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポートする。 [→続きを読む]

ドイツのInfineon Technologiesは、パワー半導体向けに300mmウェーハラインをドレスデンに設置し稼働させている。パワー半導体は数量の点ではデジタルやアナログ製品に劣るが、そのチップを大口径化するメリットはやはり低コスト化にある。加えて、人件費の高いドイツでもコスト的に見合う生産をするため200mmラインを完全自動化した。 [→続きを読む]

新材料と新トランジスタでムーアの法則を1.5nm以下まで伸ばすことはできそうだが、問題は山積みで、まだ解のない問題も多い。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringは先端技術を開発する大手半導体メーカーを取材した。 [→続きを読む]