技術分析（プロセス）

Infineon Technologiesがドイツのバールシュタイン（Warstein）にパワー半導体パッケージング工程の新工場を稼働させ、このほど公開した。パワー半導体といえども、LSI同様、小型化・低消費電力(高効率)化・使いやすさを求められている。このため、単体のトランジスタから、複数のベアチップを実装したモジュールへとパッケージは進化している。 [→続きを読む]

英Element Six社がGaN-on-Diamondの4インチウェーハをサンプル出荷した。ダイアモンドの魅力は何といっても絶縁体ながら熱抵抗が極めて低いこと。このため、高周波パワートランジスタにはうってつけ(参考資料1)。熱伝導率が1600W/mKと高く、放熱性が優れているため、従来のSiCを基板とするGaNよりも性能が高い。 [→続きを読む]

16/14nm以降のFinFETは、形状、サイズ、ピッチ、材料、製造プロセスから見直すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノードのプロセッサHaswellから使われたが、その延長では済まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポートする。 [→続きを読む]

ドイツのInfineon Technologiesは、パワー半導体向けに300mmウェーハラインをドレスデンに設置し稼働させている。パワー半導体は数量の点ではデジタルやアナログ製品に劣るが、そのチップを大口径化するメリットはやはり低コスト化にある。加えて、人件費の高いドイツでもコスト的に見合う生産をするため200mmラインを完全自動化した。 [→続きを読む]

新材料と新トランジスタでムーアの法則を1.5nm以下まで伸ばすことはできそうだが、問題は山積みで、まだ解のない問題も多い。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringは先端技術を開発する大手半導体メーカーを取材した。 [→続きを読む]

3次元スタックダイ(3D IC)の実用化には時間がかかると10年前から言われてきた。市場調査会社のGartnerによると、3D ICをすでに作製できるようになったTSMCは、1年後にはサンプル生産を終えるという。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringが最近の3次元ICの動きをレビューした。 [→続きを読む]

電気的には絶縁体ながら熱伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発熱の大きな高周波パワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今夏に販売するという。 [→続きを読む]

LEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考資料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と名付けることが決まった。GeTe/Sb2Te3超格子の中のGeの移動だけで低抵抗と高抵抗をスイッチングする。このカルコゲン材料による超格子を、トポロジカル絶縁体と物性物理学の世界で呼んでいる。 [→続きを読む]

東京大学のグループは、プラスチックで作製した集積回路で、13.56MHzのRF ID送受信動作に成功した。これは、移動度が10cm2/Vsと有機トランジスタとしては極めて大きいトランジスタを作製したことで得られたとしている。 [→続きを読む]

相変化メモリがRAMとして使える可能性が出てきた。超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）は、結晶Aと結晶Bの遷移だけで相転移できる原理を利用したメモリを開発し、1億回を超える書き換え回数を得た。これ以上の書き換えテストは時間がかかりすぎるため、中止したという。 [→続きを読む]