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技術分析(プロセス)

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経済産業省・NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)が支援する「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」の成果報告会が行われ、低電圧技術の進展が発表された。原子レベルの微細化に近づくにつれ、不純物原子の影響が顕著に表れるようになってきている。動作電圧を下げ、原子レベルに挑戦する試みがこのプロジェクトである。IEDM2012でも発表された技術も含めいくつか紹介する。 [→続きを読む]
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半導体産業の老舗、フェアチャイルドセミコンダクター(Fairchild Semiconductor)がSiCのバイポーラトランジスタを来年前半に製品化する。日本メーカーのMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに替わるSiC第3のトランジスタとしてのバイポーラも登場という位置付けになる。 [→続きを読む]
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プラスチック基板上に作った太陽電池は、フレキシブルで折り曲げ自由なため、電柱の柱に沿って設置したり、自動車の屋根やボンネットの上に設置したりすることができる。反面、光電変換効率が悪く、せいぜい8%程度しか得られなかったため、広い面積に渡って設置しなければ使い物にならなかった。今回、フレキシブルながら効率28.8%という優れモノが登場した。 [→続きを読む]
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「これまでプロセス世代は2年間の開発期間を経てきたが、20nmから14nmへは1年で到達できそうだ」。こう語るのは、グローバルファウンドリーズ(GlobalFoundries)のグローバルセールス兼マーケティング担当上級バイスプレジデントであるMike Noonen氏。アジア各地でメディアとのロードショーを行い、最終地の台北と東京との間で電話会見を行った。 [→続きを読む]
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2012年はじめに日本オフィスを閉じたテセラ(Tessera)社。今は持ち株会社としての存在で、事業会社として半導体パッケージング技術会社のInvensasと、カメラモジュール会社のDigital Opticsを傘下に持つ新生テセラとして生まれ変わった。インベンサス(Invensas)は新型パッケージのソリューションを提供する研究開発会社として再稼働し始めた。 [→続きを読む]
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LEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)が2012 IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits (通称VLSI Symposium)で3件もの論文を発表した。同研究組合は、コンピュータシステムを論理回路、1次メモリ、2次メモリ、外部記憶と分けて、それぞれの低消費電力技術に取り組んでいる。 [→続きを読む]
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インテル社の22nm、FINFETプロセスをファウンドリとして利用する契約を、新興FPGAメーカーのタブラ(Tabula)社が締結した。タブラ社は、ロジックを時分割にリコンフィギュア(再構成)することで、これまでのハイエンドFPGAよりも小さな面積でFPGAを実現できる3D Space Timeアーキテクチャを特長としてきたベンチャーだ。 [→続きを読む]
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シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採用することで、電流容量を数倍から10倍に上げようという試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を克服できる技術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル寿命は従来並みを確保、電流容量は業界トップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを得ている。 [→続きを読む]
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ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社(OSRAM Opto Semiconductors:www.osram-os.com)は、6インチSiウェーハ上にGaN層を形成し、青色LEDおよび黄色い薄膜を被覆させた白色LEDを開発、試作量産ラインに流した。使われたシリコンウェーハは市販のものを用いた。 [→続きを読む]
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英国のベンチャーPyreos社がMEMSを使い、検出波長が0.7〜500μmと極めて広いIR(赤外線)センサの商品ラインを拡充している。欧州のIMECやLETIが今、研究開発しているテーマ(MEMSのIRセンサ)を先駆けた。MEMSメンブレンを使うと、検出する熱成分が逃げにくいため、感度が高く、冷却する必要がない。 [→続きを読む]

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