3D構造体に沿った配線回路を簡単に形成する新インモールド技術
オランダ応用科学研究機構（TNO: The Netherlands Organization for Applied Scientific Research）はベルギーのIMECと共にフレキシブルエレクトロニクスに力を入れてきたが、筐体や3次元構造に配線を簡単に描くことのできるインモールド技術をこのほど開発した。コストが安く、これまでの3D配線技術を置き換えられる可能性がある。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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144cm2の大面積で効率14.5%のペロブスカイト・ソーラーセル
オランダの太陽電池コンソーシアムSollianceは、144cm2の面積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構造のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構造の太陽電池は、有機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最近注目が急速に集まっている。2011年に小面積だが10%を超えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも急だからである。 [→続きを読む]
使えるフリップチップ技術が登場、IoTデバイスに最適
これまで難しかったフリップチップ技術によるLSIパッケージが実用化できるようになりそうだ。電極にかかる荷重が従来の1/20となる0.12g重/バンプと小さく、しかも接合温度が80°Cと従来の1/3で可能になるからだ。このようなLSIパッケージ技術を日本のベンチャーであるコネクテックジャパンが開発、数百件の引き合いに沸いている。 [→続きを読む]
完全固体薄膜電池のパートナーを求める英Ilika社
完全固体の薄膜電池を英国のベンチャーIlika社が開発しているが、このほど使用温度範囲を大きく広げ、-40°Cから150°Cまで使える製品Stereax P180を開発した。これは自動車をはじめとする工業用に使えるレベルだ。同社のビジネスモデルは、IPベンダーであり、大手電子部品メーカーにライセンス供与することで、量産へつなげる意向だ。 [→続きを読む]
オランダのDENS、結晶成長をリアルタイムで観察するツール
オランダと言えば、国営大企業フィリップスがエレクトロニクスをけん引してきた国、というイメージが強い。しかし、そのフィリップスから完全独立して生まれたASMLの方が今や企業規模はフィリップスよりも大きい。このほどナノテク訪問団がやってきた。ナノテクに対する政府の資金は、対GDP比で0.04%と他の国よりも大きい。 [→続きを読む]
自己放電少なく1万回の充放電サイクル可能な全固体Liイオン電池
厚さが1mmと薄く、リーク電流が従来のリチウムイオン電池の1/10、エネルギー密度がmA/cm2クラスの全固体リチウムイオン電池を英国のベンチャー、Ilika（イリカと発音）が開発した。ARMと同様、IPライセンスビジネスを主力に据え、量産パートナーを探している。 [→続きを読む]
CTスキャナーの原理で3D-IC内部を観測
人間の体の断層を撮影するCTスキャナー。このComputed Tomography（トモグラフィ）技術を使って3次元ICの内部を見ようという検査装置をCarl Zeissが開発中である。3D構造のFinFETや3D-NANDセル、あるいはICチップをスタックする3D-ICなど3次元構造を見ることができる。 [→続きを読む]
GlobalFoundriesが22nm FD-SOI技術を発表した理由
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET技術と同等な性能を持つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)技術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと一緒に14nm Fin FET技術を開発してきただけに、なぜ今この技術なのか、同社CMOS Platforms Business部門長でシニアVPのGregg Bartlett氏(図1)が電話インタビューで答えた。 [→続きを読む]
短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ
シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの酸化物）半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]
GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET
GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]
