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さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]
三洋電機の研究開発本部は、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い結晶型シリコン太陽電池セルを開発した。N型シリコン基板の厚みは98μmと従来の半分程度に薄い。省資源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→続きを読む]
多層配線技術を使い、配線層部分にMEMS可動部を設けるという、1チップ技術が登場した。日立製作所の中央研究所がCMOSプロセスに妥協することなくMEMSを集積できるプロセスを第20回マイクロマシン/MEMS展で発表した。 [→続きを読む]
米GlobalFoundries社がニューヨーク州サラトガ郡に建設する300mmプライムウェーハ工場Fab2の起工式を7月24日に行うことを明らかにした。かつてアプライドマテリアルズ社やLSIロジックに在籍していたことのある、Fab2の責任者Norm Armour氏がセミコンウェスト2009において、「装置メーカーにとってのグッドニュースは米国に最先端の工場を戻したこと」と述べ、拍手喝采を浴びた。 [→続きを読む]
