25周年を迎えたIMEC、ずっと右肩上がりでやってきたその成長の謎を探る
IMECが創立25周年を迎えた。これまでの売り上げはずっと右肩上がりでやってきた。2009年7月に新たにCEOに就任したリュック・バンデンホッフ氏にインタビューすると、最初からグローバルにやってきたわけではないという。何が成功した要因なのか、インタビューを通してその謎に迫ってみた。 [→続きを読む]
技術分析（プロセス）
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ニューモニクス、満を持してPCメモリーをまもなく量産、90nmで128M品から
スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと米インテルとの合弁会社であるニューモニクスが、128Mビットの相変化メモリー（PCメモリー）を量産する。現在、特定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなく一般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設計している。年明けには1Gビット品も出したいと意気込んでいる。 [→続きを読む]
MEMSとCMOSとの最適な集積化によりICの性能向上が明確に
さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]
三洋電機、開放電圧0.743V、変換効率22.8%の薄型結晶Si太陽電池セルを開発
三洋電機の研究開発本部は、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い結晶型シリコン太陽電池セルを開発した。N型シリコン基板の厚みは98μmと従来の半分程度に薄い。省資源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→続きを読む]
日立製作所がMEMS可動部を多層配線に設ける1チップCMOSセンサーを試作
多層配線技術を使い、配線層部分にMEMS可動部を設けるという、1チップ技術が登場した。日立製作所の中央研究所がCMOSプロセスに妥協することなくMEMSを集積できるプロセスを第20回マイクロマシン/MEMS展で発表した。 [→続きを読む]
GlobalFoundriesが28nm/22nmのFab2ラインの起工式を7月24日に行う
米GlobalFoundries社がニューヨーク州サラトガ郡に建設する300mmプライムウェーハ工場Fab2の起工式を7月24日に行うことを明らかにした。かつてアプライドマテリアルズ社やLSIロジックに在籍していたことのある、Fab2の責任者Norm Armour氏がセミコンウェスト2009において、「装置メーカーにとってのグッドニュースは米国に最先端の工場を戻したこと」と述べ、拍手喝采を浴びた。 [→続きを読む]
