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Mottスイッチを利用する不揮発性CeRAMセル動作を確認したSymetrix

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Mott遷移と呼ばれる、金属と絶縁体との変化を利用したメモリであるCeRAM(参考資料1)のデバイス研究が一歩進んだ。このメモリは、遷移金属酸化物の特性を生かし、高抵抗か低抵抗かの状態を作り出し、1と0に対応させている。300mmウェーハ上にメモリセルを作り出し、その動作を確認した。



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