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Micronの232層NANDフラッシュは1Tビットの高集積+2.4GB/sの高速化

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Micron Technologyがこれまで最多のセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発(図1)、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた(参考資料1)。量産は2022年末になる見込みだ。232層と3ビット/セル技術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。



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