Semiconductor Portal

メモリ

» キーワード » 製品 » メモリ

NANDフラッシュは若干成長するもDRAMが急落する2016年

NANDフラッシュは若干成長するもDRAMが急落する2016年

2016年はメモリにとって良い年ではなさそうだ。米市場調査会社のIC Insights社は、2016年のメモリ市場は11%減になりそうだという見通しを発表した(図1)。特にDRAMが19%減と最悪で、NANDフラッシュは2%増と成長するが、メモリ全体の足を引っ張るのがDRAMでメモリ全体としては11%減という予測を導いた。 [→続きを読む]

東芝、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント

東芝、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント

久しぶりに半導体の明るいニュースが先週駆け巡った。東芝が、微細化技術としてナノインプリント技術を使ってNANDフラッシュを微細化するというニュースだ。6月3日の日本経済新聞が報じたもの。NANDフラッシュは、クラウドストレージ向けにこれから必要性が増し、IoTシステムの一環を形成する。クラウドビジネスがIoTと一緒になりAI(人工知能)によるデータ解析にも活きていく。 [→続きを読む]

VLSI Symposium、日本技術の存在感

VLSI Symposium、日本技術の存在感

6月13〜17日ハワイで開催される2016 Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称、VLSI Symposium)の採択論文が決まった。VLSIのデバイス・プロセスを扱うTechnologyでは、全投稿件数214の内、採択された論文は85件、回路技術を扱うCircuitsでは、375件の投稿に対して97件の採択であった。回路関係の内容はIoT一色である。 [→続きを読む]

Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採用

Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採用

Intelは、米国時間3月31日に開催されたCloud Dayにおいて、クラウド市場でのストレージの高速化のため、3D-NANDフラッシュを利用したSSD(半導体ディスク)をはじめ、XeonプロセッサE5-2600 v4もセットで発表した。Intelが3D-NANDのSSDを発表したのはこれが初めて。 [→続きを読む]

SanDisk、クルマ用のフラッシュカードに進出

SanDisk、クルマ用のフラッシュカードに進出

東芝の四日市工場でNANDフラッシュを生産しているSanDiskがSDカードで車載分野に進出する。4月には、8GBから16GB、32GB、64GBという容量を持ち、最大20MB/sのシーケンシャル書き込み/読み出し性能を実現し、しかも安全仕様AEC-Q100規格の認証を取得したSDカードを出荷する。動作温度範囲が-40℃〜85℃と広く、自動車に使えるレベルに達している。 [→続きを読む]

東芝、メモリを軸にパワー、システムLSIは継続

東芝、メモリを軸にパワー、システムLSIは継続

先週の3月18日金曜日の夕方、東芝は「2016年度事業計画説明会」を開催した。仙台での取材を終えると筆者は東京へとんぼ返りし、説明会に参加した。在京テレビ局が集結し、テレビカメラがずらりと並んでいた。そのような中、室町正志代表執行役社長は、淡々と説明会資料を読み上げた。同日Samsungが設備投資を半減するというニュースも入った。 [→続きを読む]

<<前のページ 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 次のページ »