セミコンポータル: メモリ

Samsung、4チップ積層TSVで128GBのDIMMを量産開始

2015年11月27日｜技術分析（半導体製品）

Samsung ElectronicsがTSV（Through silicon via）を使い、DRAMチップを4枚重ねた構造のメモリパッケージを9個使った128GバイトのDDR4メモリモジュールの量産を開始した。ハイエンドの企業向けサーバーやデータセンター向けのメモリモジュール。 [→続きを読む]

ISSCC 2016、全体の共通キーワードはIoT、日本が高採択率

2015年11月19日｜会議報告（プレビュー）

ISSCC2016は、IoT一色といえそうだ。産業界からの講演が増え(図1)、しかも日本からの発表が米国に次ぐ件数となっている。参加者も60%が産業界から。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信回路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。 [→続きを読む]

Rambus、IPライセンス事業からメモリ製品事業へ拡大

2015年9月 1日｜技術分析（半導体製品）

メモリのIPライセンスビジネスを展開してきたRambusが、ファブレスとしてDRAMチップ販売ビジネスも手掛けることになった。最先端高速DRAMとしてのDDR4規格に準じたDRAMおよびそれを搭載したメモリモジュールDIMM用メモリインターフェースチップをチップセットとして販売する。 [→続きを読む]

Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに離される

2015年8月18日｜市場分析

DRAMの単価が下がり、2015年第2四半期における世界のDRAM売上額は、前四半期比4.8%減の114億ドルに下がる一方（参考資料1）、モバイルDRAMは逆に同7.7%増で成長している(参考資料2)。このような調査結果をTrendForce傘下のDRAMeXchangeが発表した。トップ5社ランキングも掲載している(表1)。 [→続きを読む]

Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量産開始

2015年8月11日｜産業分析

8月4日に東芝が48層積層の256Gビット3D NANDフラッシュの開発をアナウンスした矢先、Samsungは同じように48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量産を始めたというニュースが飛び込んできた。米国サンタクララで開かれたFlash Memory Summit 2015で明らかにしたもの。 [→続きを読む]

IntelとMicron、クロスポイント型不揮発性メモリをサンプル出荷へ

2015年7月30日｜技術分析（半導体製品）

IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと呼ぶ）技術と名付けたこの不揮発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ速く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え回数が1000倍多いという。 [→続きを読む]

SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ

2015年5月12日｜技術分析（半導体応用）

書込みレイテンシが15µs、とストレージ装置としては3ケタ高速のフラッシュストレージ製品(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10～20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を埋めることができる上、ストレージそのものの速度を底上げすることになりそうだ。 [→続きを読む]

SPIフォーラム「3次元実装への道」が示した3D-ICの現実解

2015年4月 8日｜会議報告（レビュー）

セミコンポータル主催のSPIフォーラム「3次元実装への道」が3月25日、開催された(図1)。高集積化の手段をこれまでの微細化だけではなく、縦に積み上げる方式も加わると見て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は着実に進んでいる。 [→続きを読む]

3D-NANDの製品発表相次ぐ

2015年3月30日｜週間ニュース分析

先週末、東芝が3D-NANDの製品を発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内に縦方向にメモリを直列接続した構造で、リソグラフィを多少緩くしても容量を上げられる。ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構造に大きな差があった。 [→続きを読む]