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SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ

SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ

書込みレイテンシが15µs、とストレージ装置としては3ケタ高速のフラッシュストレージ製品(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を埋めることができる上、ストレージそのものの速度を底上げすることになりそうだ。 [→続きを読む]

SPIフォーラム「3次元実装への道」が示した3D-ICの現実解

SPIフォーラム「3次元実装への道」が示した3D-ICの現実解

セミコンポータル主催のSPIフォーラム「3次元実装への道」が3月25日、開催された(図1)。高集積化の手段をこれまでの微細化だけではなく、縦に積み上げる方式も加わると見て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は着実に進んでいる。 [→続きを読む]

3D-NANDの製品発表相次ぐ

3D-NANDの製品発表相次ぐ

先週末、東芝が3D-NANDの製品を発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内に縦方向にメモリを直列接続した構造で、リソグラフィを多少緩くしても容量を上げられる。ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構造に大きな差があった。 [→続きを読む]

SSDより速いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷

SSDより速いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷

NANDフラッシュを大量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位展開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、大量に使われることを意味する。これまでは速度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメイン用途だった。 [→続きを読む]

TSVを使った新型メモリHMCの詳細がまもなく明らかに

TSVを使った新型メモリHMCの詳細がまもなく明らかに

DRAMのデータレート(バンド幅)を1ピン当たりDDR4の8.5倍速いHMC(Hybrid Memory Cube)の概略が明らかになった。HMCは、TSV(Through Silicon Via)を使ってDRAMチップを縦に積み上げる3D-ICの一種で、基地局やデータセンターなどに向け消費電力を上げずに高速性を得るRAMメモリである。詳細は3月25日に開催されるSPIフォーラム「3次元実装への道」で明らかになる。 [→続きを読む]

「ダブルパターニングが曲者」を露呈したFinFET技術のSPIフォーラム

「ダブルパターニングが曲者」を露呈したFinFET技術のSPIフォーラム

セミコンポータル主催のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東京御茶ノ水で開催された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのような縦型メモリといったプロセスの3次元化を採り上げた。2014年12月のIEDMでもFinFETが大きなトピックスを占めたようだ。 [→続きを読む]

10〜12月期の四半期決算が明らかに、半導体の好調続く

10〜12月期の四半期決算が明らかに、半導体の好調続く

半導体産業の好調が依然として続いている。この2014年10〜12月期の四半期決算が明らかになり、半導体メーカーだけではなく、関連材料メーカーやテスターメーカーも好調という結果が出ている。東芝、ルネサス、信越化学、JSR、ディスコ、アドバンテストの四半期決算が相次いで報道された。 [→続きを読む]

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