MRAMを軸に成長の機会を探る、2nd CIES Tech Forum
「東日本大震災からの復興とは、元に戻すことだけにとどまらない。次への成長を期待できる仕組みを作ることだ」。このような思いを胸に、東北大学は「2nd CIES Technology Forum」3月17〜18日、仙台で開催する。東北大学が進めているスピントロニクス利用のMRAMとその応用を中心とするテーマで、2日間に渡る。 [→続きを読む]
メモリ
新しいメモリ企業が誕生
久々に新しい半導体メーカーが誕生しそうだ。2012年に経営破たんしたエルピーダメモリの社長を務めた坂本幸雄氏が半導体新会社「サイノキングテクノロジー」を設立した、と2月22日の日本経済新聞が伝えた。これから開催される記者会見の案内が19日にセミコンポータルにも届いていたため、これは、日経が会見前に報じた記事といえる。 [→続きを読む]
2015年の世界半導体市場は横ばいとWSTSが見通しを発表
WSTS（世界半導体市場統計）が2015〜2017年の半導体市場の見通しについて、11月中旬に会議を開き、予想を立て、このほど発表した。これによると2015年の世界半導体市場は、5月時点での見通しの前年比3.4%増の3472億4800万ドルから下方修正し、0.2%増の3363億9200万ドルになると予想する。 [→続きを読む]
Samsung、4チップ積層TSVで128GBのDIMMを量産開始
Samsung ElectronicsがTSV（Through silicon via）を使い、DRAMチップを4枚重ねた構造のメモリパッケージを9個使った128GバイトのDDR4メモリモジュールの量産を開始した。ハイエンドの企業向けサーバーやデータセンター向けのメモリモジュール。 [→続きを読む]
ISSCC 2016、全体の共通キーワードはIoT、日本が高採択率
ISSCC2016は、IoT一色といえそうだ。産業界からの講演が増え(図1)、しかも日本からの発表が米国に次ぐ件数となっている。参加者も60%が産業界から。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信回路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。 [→続きを読む]
Rambus、IPライセンス事業からメモリ製品事業へ拡大
メモリのIPライセンスビジネスを展開してきたRambusが、ファブレスとしてDRAMチップ販売ビジネスも手掛けることになった。最先端高速DRAMとしてのDDR4規格に準じたDRAMおよびそれを搭載したメモリモジュールDIMM用メモリインターフェースチップをチップセットとして販売する。 [→続きを読む]
Micron(旧エルピーダ)、モバイルDRAMでHynixに離される
DRAMの単価が下がり、2015年第2四半期における世界のDRAM売上額は、前四半期比4.8%減の114億ドルに下がる一方（参考資料1）、モバイルDRAMは逆に同7.7%増で成長している(参考資料2)。このような調査結果をTrendForce傘下のDRAMeXchangeが発表した。トップ5社ランキングも掲載している(表1)。 [→続きを読む]
Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量産開始
8月4日に東芝が48層積層の256Gビット3D NANDフラッシュの開発をアナウンスした矢先、Samsungは同じように48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量産を始めたというニュースが飛び込んできた。米国サンタクララで開かれたFlash Memory Summit 2015で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
IntelとMicron、クロスポイント型不揮発性メモリをサンプル出荷へ
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと呼ぶ）技術と名付けたこの不揮発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ速く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え回数が1000倍多いという。 [→続きを読む]
SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ
書込みレイテンシが15µs、とストレージ装置としては3ケタ高速のフラッシュストレージ製品(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を埋めることができる上、ストレージそのものの速度を底上げすることになりそうだ。 [→続きを読む]
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