21回を迎えたISSMと、台湾TSIA主催のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、台湾、新竹市のAmbassador Hsinchu Hotelにて開催され、260名の参加者が集った。会場はTSMCを中心とした台湾の若いエンジニアが全体の8割以上を占め、活気溢れる会合であった。 [→続きを読む]
東芝は8月23日、四日市工場の第5製造棟の第2期工事の起工式を行ったと発表した。これまで伝えてきたように（参考資料1）、NANDフラッシュの3Dプロセスや次世代リソグラフィプロセス品などの製造を目的としており、2014年夏に竣工予定となっている。 [→続きを読む]
8月6日にサムスン電子が3次元NANDフラッシュメモリの量産を開始するというニュースを発表したが(参考資料1)、その完成度は実はかなり高いことがわかった。13日にはこの同じ3次元NANDフラッシュを用いたSSD（ソリッドステートドライブ）を生産開始したと発表したのである。 [→続きを読む]
8月6日の日本経済新聞は、1面トップに「東芝、サンディスクと半導体新工場、4000億円投資、最新メモリーで巻き返し」という見出しの記事を掲載、半導体業界を驚かせた。ただ、直後の7日に開催された東芝の経営方針説明会では、このことに関して田中久雄社長は一切話をせず質問も出なかった。 [→続きを読む]
2013年上半期の世界の半導体メーカートップ20社ランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位Qualcommは前年同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→続きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
この1週間で久しぶりに明るい話が登場した。東芝とエルピーダがスマートフォンの好調を受けて投資を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東芝はNANDフラッシュメモリの設備増強に最大300億円を投資、エルピーダも台湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM生産を、4月の300mmウェーハ1万枚から年末までに4万枚/月に増産する。 [→続きを読む]
DRAMの平均単価ASP（average selling price）が2010年第4四半期レベルにまで戻った。2013年第1四半期の1.97ドルが第2四半期には2.42ドルになり、以降の第3四半期、第4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルと市場調査会社のIC Insightsは予測している。 [→続きを読む]
日本の半導体製造装置メーカーは世界市場で依然、健闘している。VLSI Researchが行った半導体製造・検査装置大手の顧客満足度調査では、日本企業が上位10社中6社を占めている、と6月17日の日経産業新聞が伝えた。先週は、設備関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新市場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→続きを読む]
NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）とLEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→続きを読む]
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