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iPhone 6に見る半導体製品の変化

iPhone 6に見る半導体製品の変化

先週、最大の話題はApple社のiPhone 6と6Plusや時計型端末のApple Watchなどの発表会であった。iPhone 6ファミリは発表前から画面サイズ (4.7と5.5インチ)が漏れ聞こえてきていたが、詳細はやはり正式発表を待たざるを得なかった。iPhoneを巡る半導体産業への影響も大きく、NANDフラッシュの東芝が四日市工場の新生産棟の起工式を行った。また先週IDFもあったが、これは長見レポート(参考資料1)を参照してほしい。 [→続きを読む]

Qualcomm、60GHzのWi-Gi企業を買収、802.11b/g/n/ac/adチップ実現へ

Qualcomm、60GHzのWi-Gi企業を買収、802.11b/g/n/ac/adチップ実現へ

先週、Qualcommが、60GHzのWi-Fi規格である、IEEE802.11ad(別名WiGig)を手に入れたというニュース発表があった。LTEの特許獲得にもアグレッシブに動く同社が今回、数Gbpsという非常に高いデータレートをサポートする60GHz帯の企業Wilocityを買収した。強い成長分野をますます強くするQualcommは攻め続けている。 [→続きを読む]

NANDフラッシュの勢力図に変化あり

NANDフラッシュの勢力図に変化あり

2014年の第1四半期におけるNANDフラッシュの売り上げでは、1位のSamsungが21億7500万ドル、2位の東芝は15億4770万ドル、3位のSanDiskは13億6700万ドルであった。これは、シンガポールを拠点とするメモリの市場調査会社DRAMeXchangeが発表したもの。 [→続きを読む]

LEAP、FPGA用スイッチ、STT-MRAM、TRAMをVLSI Sympoで発表

LEAP、FPGA用スイッチ、STT-MRAM、TRAMをVLSI Sympoで発表

米国時間6月10日からハワイで開かれる2014 Symposia on VLSI Technology and CircuitsでLEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)が3種類のメモリを発表する。FPGAのスイッチとして使う「原子移動型スイッチデバイス」とSTT-MRAMの一種「磁性変化デバイス」、PCRAMの一種「相変化デバイス」である。 [→続きを読む]

東芝、3次元NANDフラッシュ専用の設備導入に投資

東芝、3次元NANDフラッシュ専用の設備導入に投資

東芝が四日市工場の第2棟を建て替え、3次元構造のNANDフラッシュの専用設備を設置する拡張スペースを確保する、と5月14日のプレスリリースで発表した。その日の朝、日本経済新聞は、1Tビットを5年以内に製造すると報じている。東芝はSanDiskと共同で投資を行い、合計5000億円の投資になると日経は伝えている。 [→続きを読む]

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