2021年の世界の半導体市場、60兆円規模に成長；WSTSの最新見通し
2021年の世界半導体市場は前年比25.6%成長の5529億6100万ドル（約60兆円）になりそうだ、とWSTS（世界半導体市場統計）が発表した。成長率の最も小さい日本市場でさえ19.5%成長としている。2020年から継続して成長し、ワクチン接種で経済活動が再開したためとWSTSは見ている。この予測はWSTS加盟各社の9月までの数字を元に作成された。 [→続きを読む]
メモリ
2桁成長したNANDフラッシュのランキングをTrendForceが発表
2021年第2四半期におけるNANDフラッシュメモリのトップ6社ランキングが発表された。1位Samsung、2位キオクシアと変わらないが、SK HynixはMicronを昨年ようやく抜いたかと思うとますます引き離している。2QにおけるNAND全体の市場は前年（参考資料1）の144億6290万ドルから13.5%増の164億1950万ドルとなった。 [→続きを読む]
2021年第2四半期、SamsungがIntelを再び抜いた
7月末に韓国のSamsungとSK Hynix、台湾のTSMC、UMCなどの決算発表があり、2021年第2四半期（4〜6月期）の半導体メーカーの売上額や営業利益などの数字が出そろった。これによると、この四半期では半導体トップに君臨していたIntelが売上額でSamsungに抜かれたことがわかった。 [→続きを読む]
新しいメモリシステムがデータセンターを変革する〜GSA Memory+会議から
メモリがこれからのシステムの中心になる。こういった動きがGSA Memory+ Conferenceで登場した。これからのメモリを探る上でメモリセル単体から、データセンターのようなシステムレベルでのメモリの高速化、大容量化につながるCXL（Compute Express Link）インターコネクト、3D-NANDに刺激された3D-NORへの道など、新しいメモリの動きが明らかになりつつある。 [→続きを読む]
中国、フランス、AIチップ/AI技術のスタートアップに力点
中国におけるAIチップのスタートアップが続出、フランスもAIチップを加速する。昨今の半導体不足はDRAMにも及ぶ。DRAMは今後、CPUやAIチップともセットで使われる。Samsungの簡単な売り上げと営業利益だけが発表され、6月30日のMicronの発表と併せ、再びDRAMはカルテル的な様相を見せ始めた。 [→続きを読む]
半導体不足に対応、新工場建設相次ぐ
世界的な半導体不足が報じられ、早くも各社が新工場の建設に動き出した。台湾の南亜科技は台湾北の新北市にあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場の稼働を6月に始める。Intelはファウンドリ事業の潜在顧客が50社いるとCEOのPat Gelsinger氏が21年第1四半期決算報告で述べた。 [→続きを読む]
「キオクシアをMicronかWestern Digitalが買う」報道を分析する
先週ショッキングなニュースが流れた。Micron Technologyか、Western Digitalがキオクシアを買収する可能性を検討していると、米国経済紙Wall Street Journalが報じた（参考資料1）。このWSJの報道を受けて、日本経済新聞（参考資料2）や通信社ロイターや、ITビジネス流通系メディアのCRN（参考資料3）やビジネスニューステレビのCNBC（参考資料4）、ダウジョーンズ発行のITビジネスメディアのBarron’sも報じた（参考資料5）。 [→続きを読む]
NANDフラッシュの世界ランキング、キオクシアは大打撃受けるも2位を維持
NANDフラッシュの主要企業の直近2020年第4四半期における売上額ランキングが発表された。NANDフラッシュ全体の市場は前期比2.9%減の140億9900万ドルとやや伸びが鈍化した（図1）。中国華為科技への出荷が9月15日以降停まったことに加え、在庫調整による。特にキオクシアの打撃が最も大きく11.4%減となった。 [→続きを読む]
Micron、1α nmプロセスのLPDDR4 DRAM製品を限定ユーザーにサンプル出荷
Micron Technologyが初めて1α(アルファ) nm（15nm以下とみられる）のプロセスで設計・製造したDRAMの量産を発表した。これまでDRAMプロセスでは、20nm以下の設計ルールを1x (19〜18)nm 、1Y nm (17〜16)、1z (16〜15) nm、と小刻みに刻んできた。今回は1z nmよりも1段微細なプロセスで作ったということになる。 [→続きを読む]
Micronが176層NANDフラッシュの設計思想を明らかに
チップ同士を重ね合わせる3次元ICが本格化する。メモリメーカーのMicron Technologyが176層のNANDフラッシュを開発した技術（参考資料1）を明らかにした。実は88層のNANDフラッシュメモリセルを重ね合わせて構成していた。 [→続きを読む]
