メモリは2023年第2四半期も悲惨だが、光明も見えた
Samsung、SK Hynixの2023年第2四半期(2Q)決算が発表になった。それぞれ営業損益は、4兆3600億ウォン、2兆8820億ウォンの大幅な赤字となった。メモリはファウンドリと比べるとキズは深い。逆に好調なときはファウンドリより利益が大きい。また近い将来、SEMICON Indiaが開催されそうになってきた。その準備が進んでいる。 [→続きを読む]
Samsung、SK Hynixの2023年第2四半期(2Q)決算が発表になった。それぞれ営業損益は、4兆3600億ウォン、2兆8820億ウォンの大幅な赤字となった。メモリはファウンドリと比べるとキズは深い。逆に好調なときはファウンドリより利益が大きい。また近い将来、SEMICON Indiaが開催されそうになってきた。その準備が進んでいる。 [→続きを読む]
クロックの立ち上がりと降下でトリガーをかけるLPDDR(Low Power Double Data Rate)技術は、これまでDRAMの高速化技術であった。これを高速アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは車載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍速いという。 [→続きを読む]
6月11日から京都で開催されるVLSI Symposiumのプログラムが決まった。投稿論文数はこの10年間で最多の359件、採択数は123件、採択率は34%となった。2017年から回路とプロセスが一体化したVLSI Sympoだが、2023年の全体テーマは「持続可能な未来のため、VLSIデバイス技術と回路技術を再始動」である。FinFETの次となるGAAやCFET、など新トランジスタ技術や裏面電源技術などの実装技術が話題になりそうだ。 [→続きを読む]
2022年の世界半導体メーカーのランキング確定値を市場調査会社のGartnerがこのほど発表した。これによると1位Samsung、2位Intelはこれまでと変わらないが、3位には前年比27.4%成長したQualcommが入った。逆にメモリメーカーは全てマイナス成長となった。メモリは大量生産ビジネスだけに好不況の影響を強く受ける。 [→続きを読む]
Samsungが韓国内に今後20年間で300兆ウォン(約31兆円)を投じ、新たな半導体生産工場を設立すると表明した。また、日本では韓国との懸案事項であった半導体材料3品目の輸出管理を緩和すると経済産業省が発表した。また、三菱電機は熊本のパワー半導体工場において1000億円を投資、SiCのための新棟を建設する。Infineonが車載マイコンでUMCと長期契約した。 [→続きを読む]
米Micron Technologyが1β nmプロセスノードで製造した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル出荷を開始した。Micronが述べる1β nmプロセスノードは、13nm以下のプロセスノードだという。12〜13nmとの見方もある。リソグラフィパターニングの実現には、液浸マルチパターンニングを用いており、EUVは用いていない。製造はまず東広島工場で行う。 [→続きを読む]
キオクシアとWestern Digitalが共同で投資してきた四日市工場第7製造棟が完成、10月26日共同で竣工式を行った。総投資額は約1兆円。その内、政府からの支援、すなわち「特定高度情報通信技術活用システムの開発供給及び導入の促進に関する法律」による補助金も交付される予定となっている。 [→続きを読む]
なぜか新聞では報道されなかったが、Micron Technologyの2022年度第4半期(6月2日〜9月1日期)の決算では前年同期比23%減の売上額になり、次の四半期見通しでは同45%減の42.5億ドルと大きく下がる見通しとなった(図1)。メモリ不況に入ったといえそうだ。Samsungは不況期でも投資すると語り、投資意欲はそれほど下がっていない。日立ハイテクは韓国・台湾威に拠点を設ける投資を行う。 [→続きを読む]
キオクシアと同じ四日市と北上の工場に投資・運用しているWestern Digitalは、次の時代のコンピュータシステムがCPUセントリックからデータセントリックに変わる、との認識を示した。それらはクラウドからネットワークを経てエッジやデバイスに至るまで広がっていくとした。データ生成量は2026年には現在の2倍の2ZB(ゼッタバイト)を超える勢いで増加する(図1)。 [→続きを読む]
Micron Technologyがこれまで最多のセル層数である232層の3D-NANDフラッシュメモリを開発(図1)、それを搭載したCrucialブランドのSSDのサンプル出荷を限定ユーザー向けに始めた(参考資料1)。量産は2022年末になる見込みだ。232層と3ビット/セル技術でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケージ容量を実現できるという。 [→続きを読む]