メモリ
世界的な半導体不足が報じられ、早くも各社が新工場の建設に動き出した。台湾の南亜科技は台湾北の新北市にあるTaishan Nanlin Technology工業団地で、300mmウェーハのDRAM工場を新設すると発表した。ソニーセミコンダクタソリューションズは、長崎県に建設していた新工場の稼働を6月に始める。Intelはファウンドリ事業の潜在顧客が50社いるとCEOのPat Gelsinger氏が21年第1四半期決算報告で述べた。
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NANDフラッシュの主要企業の直近2020年第4四半期における売上額ランキングが発表された。NANDフラッシュ全体の市場は前期比2.9%減の140億9900万ドルとやや伸びが鈍化した(図1)。中国華為科技への出荷が9月15日以降停まったことに加え、在庫調整による。特にキオクシアの打撃が最も大きく11.4%減となった。
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Micron Technologyが初めて1α(アルファ) nm(15nm以下とみられる)のプロセスで設計・製造したDRAMの量産を発表した。これまでDRAMプロセスでは、20nm以下の設計ルールを1x (19〜18)nm 、1Y nm (17〜16)、1z (16〜15) nm、と小刻みに刻んできた。今回は1z nmよりも1段微細なプロセスで作ったということになる。
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韓国のSK Hynixは、Intelが中国の大連工場に持つNANDフラッシュとストレージ事業を90億ドルで買収すると発表した。NAND製品とウェーハプロセス事業も含む。SKにとって最大のライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも資本参加してきた。Intelは、3D-Xpointメモリ製品であるOptane製品事業に関しては手放さない。
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Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm(15nm前後)プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量産を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ需要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演算にも必ず使うため、今後の需要の期待が大きい。1パッケージに8枚のDRAMチップを重ね、16GBを構成している(図1)。
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AIチップと連動するメモリは、DRAMをスタックに積み重ねたHBM2Eか、それともGDDR6 SDRAMか、どちらが適しているのだろうか。その答えをRambusがこのほど明らかにした(図1)。自動運転のレベル3になると物体認識の演算処理でメモリバンド幅は200GB/sを超えるようになる。では、どのメモリを選択すべきか。
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この1週間はニュースが盛りだくさんで、中国のDRAM計画、NTTとNECの通信提携、TSMC対Samsungレポート、そしてシリコンバレーのVCであるSequoia Capitalの日本進出、スーパーコンピュータ富岳の世界一などがあった。これらのニュースの大半に共通するのは米中貿易戦争との深い関係であることが読み取れる。
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