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メモリ

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Samsung Electronicsがクルマ用256 GB汎用組み込みフラッシュストレージ(eUFS)の量産を開始した。同社は2017年9月に128GBのクルマ用のeUFSを初めて量産化したが、今回はストレージ容量を倍増させた上に、JEDEC UFS 3.0標準規格に準拠したもの。 [→続きを読む]
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4種類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮遊ゲート型のメモリセル構造を持つ。東芝やSamsungがMNOS構造を採用したのとは対照的。SSDとしての工夫も多い。 [→続きを読む]
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2017年の世界半導体売上額は前年比22.2%増の4197億ドル(46兆5867億円)となった、と米市場調査会社のGartnerが発表した。トップはメモリバブルで沸いたSamsungで、52.6%増の612億1500万ドル。1992年以来1位の座にいたIntelは577億1200万ドルで2位に陥落した。メモリ企業の伸びが著しい。トップ10位以内では唯一NXPだけがマイナス成長となった。 [→続きを読む]
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中国の半導体は、メモリとファウンドリ、そしてファブレスが主力になりそうだ。これはSEMICONジャパン2017でのセミナーで中国市場を調査したSEMI台湾のClark Treng氏が示したもの。メモリはDRAMと3D-NANDフラッシュが主力となる。中国地場企業だけではなく外国企業の投資による設備投資も増加している。 [→続きを読む]
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DRAM価格が再び上昇に向かった。12月5日の日経は1週間前に比べ1%下落したと報じたが、12月の大口価格は11月と比べ1〜3%上がったと16日の日経が報じた。iPhone Xの好調によりDRAM需要が強まっている。iPhone Xを生産している鴻海精密工業の11月の売上額は前月比9.3%と好調さがそれを裏付けている。東芝とウェスタンデジタル(WD)はようやく元のさやに納まりそうだ。 [→続きを読む]
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2017年第4四半期のDRAM販売額は、64%増の210億6100万ドルとなりそうだ、と米市場調査会社IC Insightsが発表した(図1)。2017年を通して前年比は74%になる。やはり2017年の半導体市場はメモリバブルと言えそうだ。この第4四半期の211億ドルは四半期ベースでも今年最高額。 [→続きを読む]
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今日の隆盛をけん引しているDRAMの第3四半期における世界の売上額が前四半期比16.2%増という驚異的な伸びを依然として見せている。DRAMの契約価格も同5%増であるため、今は生産量も伸びて来たことから売り上げ増に大きく貢献しているが、生産量が伸びてもまだ需要が旺盛だということになる。 [→続きを読む]
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IntelとMicron Technologyは、両社合弁の不揮発性メモリ会社であるIM Flashが米国ユタ州レーイにあるIM Flashの工場の内、ビルディング60(B60)の拡張工事を終えたと発表した(参考資料1)。ここは3D Xpointメモリの主力工場である。 [→続きを読む]
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日本経済新聞をはじめ、さまざまなメディアが報じたニュースだが、東芝は9月28日、東芝メモリの売却先を「日米韓」連合に決めた。先週末から土日にかけてこのニュースとその解説が飛び交った。日本の半導体産業にとっても歴史的な「事件」である。 [→続きを読む]
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東芝経営陣が迷走を続ける中、恐れたことが起きつつある。人材紹介サービスが東芝メモリのプロセスエンジニアのスカウトに動いていると、9月14日の日経産業新聞が報じた。米国時間12日にはAppleが新しいiPhoneを発表し、NANDフラッシュの品薄感を加速することになろう。東芝メモリの現場は「もういい加減に」という本音を漏らす。 [→続きを読む]
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