メモリ

半導体メーカー5社が2019年シリコンウェーハ生産能力の53%を占めた。このような結果をIC Insightsが発表した。Samsung、TSMC、Micron、SK Hynix、キオクシア/Western Digitalグループ、の5グループ（6社）である。メモリメーカー4グループ(5社)とファウンドリ1社が製品を大量に生産するための能力を高めている。 [→続きを読む]

旧東芝メモリのキオクシアの社長がこれまでの成毛康雄氏から早坂伸夫氏に交替することが決まり、その1週間前にはSSDフォーラムを開催するなどキオクシアが活発に情報発信している。SSDフォーラム2020では最近のSSDやNANDフラッシュの活動を明らかにし、NANDフラッシュメモリを5ビット/セルとして動作させることに成功したと発表した。 [→続きを読む]

今年の景気は悪くないといわれているが、今や全半導体販売額の3割にも達していたメモリの動向がある意味、景気の指数となってきた。このほどメモリのトップ3社であるSamsung、SK Hynix、Micron Technologyの最新決算レポートが揃った。韓国2社はカレンダー年と同じ四半期(10~12月)だが、Micronは異なる四半期(9~11月)となっている。 [→続きを読む]

2019年の世界の半導体市場は、前年比11.9%減の4183億ドルになったとGartnerが発表した(参考資料1)。上位10社の半導体メーカーのトップはやはりIntelが返り咲いた（表1）。Samsungはメモリバブルがはじけ2位に落ちた。 [→続きを読む]

中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash（中天弘宇集成電路）と呼ばれるファブレスだ。製造はファウンドリに依頼する。今から市場に入る以上、特長が必要だが、これまでの中国のメモリメーカーとは全く違う。後述するが、新開発の独自メモリ技術を持ち、元IntelのStefan Lai氏（図1）がCTOとなっている企業だ。 [→続きを読む]

NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10年に渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構想をMicron Technologyが打ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども明確にした。 [→続きを読む]

NANDフラッシュアレイ製品やソフトウエアをビジネスとしているPure Storage社がQLC（4ビット/セル）方式のフラッシュメモリを採用した製品を発表、ストレージクラスメモリをキャッシュとして用いる選択肢も提示した。「All Flash Arrayを発明して10年経った」と述べる同社戦略部門VPのMatt Kixmoeller氏がこのほど最新状況を紹介した。 [→続きを読む]

Samsungは、12枚のDRAMアレイチップを積層し、TSV（Through Silicon Via）で接続した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンド市場向けにまもなく量産すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以上に達するとしている。 [→続きを読む]

東芝メモリが10月1日から「キオクシア（KIOXIA）」と社名を変更した。先週は、その直前の9月30日に、Western Digitalの技術&戦略担当プレジデントのSiva Sivaram氏とのインタビュー記事や、四日市工場への投資計画などの記事、HDDのディスクを生産する昭和電工の記事などSSDとHDDの記事が、新生キオクシアを後押ししている。 [→続きを読む]

中国内のNANDフラッシュメーカーであるYMTC（長江メモリ技術）が64層の3D-NANDフラッシュ製品の量産を今年中に始めると複数のメディアが報じた。中国の重慶市で開催された「2019 Smart China Expo」で展示されたという。YMTCは現在、紫光集団の半導体1部門である。 [→続きを読む]