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メモリ

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半導体産業は、世界中が伸び日本だけが成長していないという現実が突きつけられている。例えば、不揮発性メモリIPベンダーの台湾eMemory社は、日本でのビジネスに苦戦している。しかし同社のメモリIPを集積したシリコンウェーハは、世界市場では2013年だけで8インチで200万枚を超え、累計で730万枚を突破した。 [→続きを読む]
AMDが新しいGPU「Radeon E8860:コード名Adelaar」をリリースした。このシリーズは、コンピュータ向けというよりも、ゲーム機(パチンコやスロットマシーンなど)、デジタルサイネージ、医療画像装置、産業用制御機器、通信インフラなどの組み込み機器を狙ったグラフィックスプロセッサ。組み込み系に力を入れた製品の一環だ。 [→続きを読む]
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東芝の半導体メモリに関する技術情報を、東芝の提携先であるSanDisk元社員が持ち出したとして逮捕された。今回の事件の第1報は、13日の日本経済新聞夕刊に掲載された。その後、事件は明らかになってきた。これは、企業秘密を持ち出し、競合企業に提供するといった産業スパイ行為そのものである。 [→続きを読む]
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2013年の半導体市場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの需給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依然として活発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧州での超小型EV(電気自動車)の実験にはトヨタが参加し、ホンダが参加を目指す。 [→続きを読む]
Spansionが最大333MB/sと高速のデータレートで読み出せる新しいメモリインタフェースバスHyperBusを提案、このインタフェースを組み込んだ高速のNORフラッシュ製品HyperFlashの第1弾をリリースした。ピン数はわずか12ピンで読み出せるため、省スペースのクルマなどに向く。 [→続きを読む]
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LEAP(超低電圧デバイス技術研究組合)が2013 IEDM(International Electron Devices Meeting)で発表した新しい相変化メモリ(参考資料1)は、TRAM(Topological switching RAM)と名付けることが決まった。GeTe/Sb2Te3超格子の中のGeの移動だけで低抵抗と高抵抗をスイッチングする。このカルコゲン材料による超格子を、トポロジカル絶縁体と物性物理学の世界で呼んでいる。 [→続きを読む]
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米国では、AMDやTI(Texas Instruments)の収益構造が改善、エルピーダはDRAMに800億円を投資する計画を発表、東芝は米OCZ Technology社のSSD事業買収を完了した。ソニーはインドの特許業務委託大手Evalueserveとの合弁会社を設立、欧米への特許出願を促進する。 [→続きを読む]
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相変化メモリがRAMとして使える可能性が出てきた。超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、結晶Aと結晶Bの遷移だけで相転移できる原理を利用したメモリを開発し、1億回を超える書き換え回数を得た。これ以上の書き換えテストは時間がかかりすぎるため、中止したという。 [→続きを読む]
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IHSグローバルが2013年の世界半導体市場見通しを発表した。2013年の半導体市場見通しについてはすでにIC Insightsが発表している(参考資料1)が、IHSの統計にはファウンドリを含まない。このため、本ランキングの合計金額が半導体全体の市場を表していることになる。 [→続きを読む]
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ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。一見関係のない言葉だが、半導体のプロセスがITデータセンターの技術と今、深く結びついている。AEC/APCレポート(参考資料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導体プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと置き換わる過渡期にある。 [→続きを読む]
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