東芝の四日市工場でコラボレーションしているWestern DigitalがNANDフラッシュのクルマ応用に力を入れている。昨年のクルマ関係の展示会でも、温度規格を満たす信頼性試験データなどを公開してきた。WDがなぜ3D-NAND方式でも車載に使えるメモリを実現できたのか、その理由を同社Automotive & Connected Solution部門製品マーケティングマネージャーのRussell Ruben氏(図1)が明らかにした。 [→続きを読む]
東北大学CIES主催のテクノロジーフォーラム（図1）が今年も開催され、STT-MRAM技術の位置づけがより明確になってきた。マイコンやロジックへの組み込みメモリ（RAM）としての位置づけである。ReRAMやPCRAMのような書き換え回数に制限のあるデバイスは、不揮発性メモリROMに近い使い方に留まる。 [→続きを読む]
DRAM価格の下落に刺激されて、NANDフラッシュの価格も大きく下がってきた。2018年のはじめからNANDフラッシュ価格は少しずつ下がってきたが、この2018年第4四半期は前四半期比16.8%減という販売額であった。これは台湾系の市場調査会社TrendForceが発表したものだが、NAND各社の販売額は下がってきており、特にSamsungは同28.9%も下げた。 [→続きを読む]
今年に入り、これまで単価の値上がりによって営業利益率が60%〜70%という「儲けすぎ」を享受してきたDRAMメーカーは、この第1四半期（1〜3月）前四半期比20%減という大幅な値下げを経験しそうだ。これはメモリ市場をウォッチしてきた市場調査会社のTrendForceの一部門であるDRAMeXchangeが見通しを述べたもの（参考資料1）。 [→続きを読む]
2018年の世界最大の半導体製造装置サプライヤはやはり、Applied Materials社になりそうだ（表1）。これは、1月6〜9日にSEMI主催のISS（Industry Strategy Symposium）がカリフォルニア州ハーフムーンベイで開催され、その場でVLSI Researchのアナリスト、Andrea Lati氏が発表したもの。 [→続きを読む]
フラッシュストレージのようなストレージ装置を製品としてきた米Pure Storage社がストレージデータをクラウドでサービス提供するというビジネスモデルへと広げた。これまでのハードウエアを生かしてサービスを行うというビジネスへの展開となる。 [→続きを読む]
先週、WSTSが2018年と2019年の世界半導体市場見通しについて発表した。それを巡って、2019年の見通しを6月に発表したときは4.4%増としていたが、今回は2.6%増と下方修正したと11月28日に報じ、29日の日本経済新聞は「半導体サイクル、試練、メモリー4%成長、一転マイナス」という悲観的な記事を掲載した。一方、パワー半導体は世界的にようやく立ち上がりそうだ。 [→続きを読む]
先週、米国のペンス副大統領が中国政策に関する演説を行い、11月2日の日本経済新聞は演説の概要を掲載した。また、日経産業新聞は、ArmのシガースCEO、Micronのバーティア幹部、IDTのウォーターズCEOとのインタビュー記事をそれぞれ11月2日、5日、1日に掲載した。昨今の半導体市況を確認している。 [→続きを読む]
Micron Technologyは、4ビット/セル（QLC）方式で64層の3D-NANDの512Gビットチップを4個1パッケージに収容したICを2個実装した、500GBのSSDカード（図1）を一般市場に10月27日に発売する。「Crucial P1」と名付けられた1TBのSSDカードは、最大シーケンシャル読み出し速度2000MB/s、書き込み速度1700MB/sだという。 [→続きを読む]
メモリバブルがようやくはじけた。2018年第4四半期にDRAMの単価が前四半期比でようやく値下がり始めるもようだ。市場調査会社のTrendForceは、2018年の第4四半期におけるDRAMの価格が当初1〜3%で値下がりするとみていたが、9月26日のニュースリリース（参考資料1）によると、5%の値下がりになるとみている。 [→続きを読む]
