GaNデバイス製造用8インチウェーハ対応のMOCVD装置を大陽日酸が発売へ

LEDのチップ面積増大や個数増加に対応したり、あるいはチップ面積の大きなパワー半導体にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入手できるようになる。大陽日酸が8インチSiウェーハ上にGaN膜を形成できるMOCVD装置、モデルUR26Kを開発、セミコンジャパンで展示した。 [→続きを読む]
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LEDのチップ面積増大や個数増加に対応したり、あるいはチップ面積の大きなパワー半導体にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入手できるようになる。大陽日酸が8インチSiウェーハ上にGaN膜を形成できるMOCVD装置、モデルUR26Kを開発、セミコンジャパンで展示した。 [→続きを読む]
米アプライドマテリアルズ社は、22nm/20nmノード以降の微細化プロセスに対応した新しい製造装置OptivaおよびOnyxと検査装置1機種を発表した。Optivaはチップ同士を重ねる3次元IC向けのTSV技術の側壁酸化膜の堆積にも使える装置。ウェーハプロセスメーカー、アセンブリメーカー、どちらにも供給できる。 [→続きを読む]
米テクトロニクス社は、周波数を横軸とするスペクトルアナライザ機能と、時間を横軸とするオシロスコープの機能を持たせた新型のオシロスコープMDO4000シリーズを発売する。最近の流行語であるコネクティビティとワイヤレスインターネットという言葉で代表されるモバイル機器にはRF回路は欠かせない。このオシロはRFからデジタルまで使える。 [→続きを読む]
米テクトロニクス(Tektronix)社は周波数帯域33GHz、2チャンネルでサンプリング周波数100Gサンプル/秒という超ハイエンドのリアルタイムオシロスコープを発売した。測定器は計測すべき試料の持つ特性をカバーしなければならないため、ただでさえ高性能が求められるがこのオシロの設計にはIBMの高速SiGeバイCMOS技術を使った。 [→続きを読む]
アルバックの100%子会社で、熱制御技術をコアとするアルバック理工は、温度差を利用する3kWクラスの発電機を開発した。温度差を利用するもののゼーベック効果のような半導体素子を使うのではなく、機械式の回転子に冷媒の蒸気圧を加えることで回転子を回しモーターを回転させ発電するという原理だ。工場の排熱利用を促進できる。 [→続きを読む]
無線LANやCDMA方式の携帯電話、Bluetooth、などのスペクトラム拡散方式の無線通信、LTEや地デジなどのOFDM変調といったデジタル変調方式の無線通信が華やかになっているが、これらの方式では時間軸での振幅や位相の波形が正常かどうか観察したい。テクトロニクスはこれまでの振幅に加え位相、周波数をリアルタイムに時間軸で観察できるシグナルアナライザRSA5000を発売した。 [→続きを読む]
セミコンジャパン2010においても、半導体の高集積化や高機能化によってシステムのコストダウンを図るというチップユーザーの視点は変わらない。半導体メーカーが常に意識していることはコストダウンである。コストアップを避けるため、テスター分野でもスループットを上げるプローブカードや、450mmの薄いウェーハを支持する軽いフレーム、手軽に実験できるクリーンルームなどもデモされた。 [→続きを読む]
12月はじめ幕張で開かれたセミコンジャパン2010では、これまでの微細化一本槍からスループットの改善や新型クリーンルームなど、多様化する半導体プロセスを象徴するような展示品に大きな関心が集まった。出展社は昨年よりも減少し回復が遅れてはいるものの、微細化、大口径といったこれまでとの違いがはっきり見える。 [→続きを読む]
アルバックが3次元実装技術であるTSV(through silicon via)プロセスを穴あけからメタル埋め込みまでターンキーで行う製造装置を開発、セミコンジャパンで発表する。ターンキーソリューションの最大のメリットは、リソグラフィとウェーハ薄型加工を除く工程の装置コストが4割も減ること。スループットも高くなるとしている。 [→続きを読む]
高周波測定器でかつて定評のあったヒューレット-パッカード社から1999年スピンオフしたアジレントテクノロジーだが、さらに2006年スピンオフしたヴェリジー社が高速メモリーのテスターV93000プラットフォームや、53,000本以上のプローブを使って1回で試験するテスターV6000メモリー専用テスターなど進化させている。 [→続きを読む]