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技術分析(製造・検査装置)

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テクトロ、最大26.5GHzで500万円台のリアルタイムスペアナを発売

テクトロ、最大26.5GHzで500万円台のリアルタイムスペアナを発売

測定可能な周波数帯域が15GHzおよび26.5GHzと非常に高いにもかかわらず、基本仕様の価格がそれぞれ516万円、576万円と手頃なリアルタイムスペクトラムアナライザRSA5115AおよびRSA5126Aをテクトロニクス(Tektronix)社がリリースした。無線通信用の機器や半導体チップのノイズ解析・対策に強力な手段となる。 [→続きを読む]

アドバンテスト、プラットフォーム戦略でモジュール製品など続々開発

アドバンテスト、プラットフォーム戦略でモジュール製品など続々開発

アドバンテストは、T2000半導体テスタープラットフォームをベースにしたモジュールをセミコンジャパン2012で続々発表した。CMOSのイメージセンサを64個並列にテストできるモジュール、8Gbpsのテスト速度でSoCの各種インターフェースをテストするモジュール、フラッシュ内蔵マイコンやスマートカードICなど最大256個同時にテストできるテスターなどである。 [→続きを読む]

大学発ベンチャーのイニシアム、分子間力や微量な質量の小型測定器を開発

大学発ベンチャーのイニシアム、分子間力や微量な質量の小型測定器を開発

アルバックの100%子会社であるイニシアムは、たんぱく質や微粒子などの質量や分子間相互作用などをリアルタイムに測定できる小型の装置AFFINIX Q8を発売した。ノートパソコンとイーサーネットケーブルでつなぎ、測定結果を表示する。 [→続きを読む]

デュポン、10μm台の薄いポリイミド絶縁材料でLEDの放熱性を改善

デュポン、10μm台の薄いポリイミド絶縁材料でLEDの放熱性を改善

最大90度まで折れ曲がった放熱板にも取り付けられる電気的絶縁材料として、デュポンがポリイミド材料CooLamシリーズを開発した。LEDの放熱基板向けに使う。曲げられる柔らかい材料なので丸い電球形状の基板に複数のLEDを張り付けることができる。この結果、白熱灯並みに広がりを持った光をLED電球で得ることができる(図1)。 [→続きを読む]

手のひらサイズのIRスペクトロスコピー、MEMS技術のおかげ

手のひらサイズのIRスペクトロスコピー、MEMS技術のおかげ

IR(赤外線)スペクトロスコピー(図1)が手のひらサイズになった。これは、英国のベンチャー、パイレオス(Pyreos)社が開発したMEMS技術によるIRセンサを使い、自社で開発したものだ。従来、IRスペクトロスコピー(分光分析器)はデスクトップのサイズしかなく、重量は数十kgもあり、しかも温度補償が必要であり、100万円以上と高価だった。 [→続きを読む]

拡張性を常に意識、テクノロジーを未来へ発展させるNIの成長戦略

拡張性を常に意識、テクノロジーを未来へ発展させるNIの成長戦略

半導体企業やその関連企業はすべてテクノロジー企業である。テクノロジー企業を成長させるためには製品や技術に発展性あるいは拡張性を持たせることが必要だろう。拡張性があれば既存の回路やシステムは、再利用し低コストで次の世代のテクノロジーにつなげることができる。半導体メーカーではないが、測定器メーカーから出発したNational Instruments社は、拡張性あるテクノロジーを開発し続け成長している(図1)。 [→続きを読む]

NIがワイヤレス分野に本格参入、ハンドヘルドの802.11ac測定器を開発

NIがワイヤレス分野に本格参入、ハンドヘルドの802.11ac測定器を開発

ナショナルインスツルメンツ(NI)社は、ワイヤレス通信で欠かせないRF信号を使った回路や半導体チップをテストするための簡便なツールを発表した。これは次世代の高速Wi-Fi規格である802.11acやLTEに対応する信号発生器と信号解析器をPXIモジュール内に搭載した、超小型のVST(ベクトル信号トランシーバ)である。 [→続きを読む]

アプライド、メガトレンドに沿った3D/20nm以下対応製造装置を着実に提供

アプライド、メガトレンドに沿った3D/20nm以下対応製造装置を着実に提供

アプライドマテリアルズ(Applied Materials)社は、3D IDや20nm以下の装置をいくつかSEMICON Westで発表したが、半導体市場のメガトレンドを見据えたビジネス戦略を改めて確認した。同社日本法人代表取締役社長の渡辺徹氏は、モビリティが市場をけん引しているため、それに合わせた装置開発を続ける姿勢を崩さない、と断言する。 [→続きを読む]

GaNデバイス製造用8インチウェーハ対応のMOCVD装置を大陽日酸が発売へ

GaNデバイス製造用8インチウェーハ対応のMOCVD装置を大陽日酸が発売へ

LEDのチップ面積増大や個数増加に対応したり、あるいはチップ面積の大きなパワー半導体にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入手できるようになる。大陽日酸が8インチSiウェーハ上にGaN膜を形成できるMOCVD装置、モデルUR26Kを開発、セミコンジャパンで展示した。 [→続きを読む]

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