パワー・パワーマネジメント
パワー半導体の巨人Infineon Technologiesが、冬の時代を迎えているパワー半導体への次の手を打ち始めた。シリコンのパワーMOSFETやIGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTなどパワー半導体の製品ポートフォリオを広げ、しかもクルマ市場をにらみながら新型コロナ後を狙って着々と準備を進めている。
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GaNパワーデバイスが立ち上がりそうだ(図1)。2019年9月に中国大手スマートフォンメーカーOppoがGaNパワーICを高速充電回路に採用したことを受け、GaN半導体が急速に立ち上がるという予想を市場調査会社のYole Developpementが打ち立てた。民生市場での採用はGaN市場が大きくなるという意味である。
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今年のノーベル化学賞は、リチウムイオン電池の発明者である米国テキサス大学オースチン校のJohn Goodenough氏、ニューヨーク州立大学ビンガムトン校のStanley Whittingham氏と共にリチウムイオン2次電池の実用化にこぎつけた、旭化成の名誉フェロー、吉野彰氏が受賞した。今年の授賞理由は一般にもわかりやすい業績である。
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Infineon Technologiesが強いパワー半導体を戦略的な投資によってさらに強くする。オーストリアのフィラハ工場に2番目の300mmラインを導入、硬いSiCのインゴットから簡単にウェーハをカットできる技術を持つSiltectra社を買収、中国で電気自動車の製造・販売会社を合弁で設立するなど、クルマや産業向けに積極的に投資し未来を盤石にする。
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SiCパワーMOSFETが従来のIGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)に取って代わると言われ続けて数年たったが、SiCパワー半導体の特性向上は着実に進んでいる。性能を競うというより、実用化を加速する動きが出てきた。また、IoTを駆使して生産性を上げるデジタルトランスフォーメーションが始まった。
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ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV(電気自動車)用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場(図1)にSiCデバイスの6インチラインを増設する。
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ディスクリート半導体という汎用製品でどう前に進むか。NXP Semiconductorの旧スタンダード・プロダクト事業部門から2017年2月に分離独立したNexperiaは、どのようにして将来を開くか、このほど来日した同社の製品部門長2名が今後の戦略を語った。
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