オン抵抗7mΩまで削減した1200V のSiC MOSFETをInfineonが開発
耐圧1200Vと高く、しかもオン抵抗7mΩと損失の小さなSiCパワーMOSFETをInfineon Technologiesが出荷し始めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、標準のTO247パッケージの単体トランジスタに加え、インバータなどに適したパワーモジュールEasy 3Bパッケージも提供する。
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セミコンポータル編集長
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