Wolfspeed再起動、チャプター11からの素早い復帰で攻めに転ずる
SiCパワーデバイスの基板やデバイスを提供していたWolfspeedが再起動する。2025年6月に日本の民事再生法に相当する米連邦破産法第11条（通称チャプター11）の適用を申請、以来再建の道を歩んできたが、このほど財務の再構築を成功裏に終えた。フリーキャッシュフローの自己資金を元にSiCの200mm垂直統合ラインを活用していくという。 [→続きを読む]
パワー･パワーマネジメント
STMicroelectronics、SiPパッケージを駆使、パワーICソリューションに注力
STMicroelectronicsがパワー半導体のシグナルチェーンにおいて、SiP（システムインパッケージ）手法を用いて、モータドライブ用の半導体開発に活かしている。パワー半導体がシリコンのMOSFETからGaN HEMTやSiC MOSFETなどに変わっても、このシステムは変わらない。SiPは、小型、インテリジェント、高性能、低コストなどメリットは多い。 [→続きを読む]
AIデータセンター電源を高効率へ；Infineon、ルネサス、STMicro
パワー半導体の新しい市場としてAIデータセンターの電源に注目が集まっている。Infineon Technologies、ルネサスエレクトロニクス、ST MicroelectronicsなどがAIデータセンターの電源を根本的に見直し始めた。AIデータセンターは大量の電力を消費することから電源システム全体を見直そうという訳だ。少しでも無駄な消費電力を減らす。 [→続きを読む]
TI、データセンターに向け最大6kWまで並列接続できる電子フューズIC
Texas Instrumentsは、並列接続により最大6kWまでの電力を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電力を消費するデータセンターの電源を確保できるようになる。一般のeFuseをただ単に並列にしても、MOSFETのオン抵抗や配線パターンの抵抗やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い部分に電流集中が起こりやすくなる。しかしこれを防いだ。 [→続きを読む]
AI需要に続きパワー半導体も動き出す、半導体設計にも経産省が支援
2025年もAIデータセンター需要が活発になることを多くのアナリストが指摘しているように、TSMCが史上最高の900億ドル（13.5兆円）を売り上げたのをはじめ台湾のAI向けビジネスは好調だ。長期的にEV需要に応えるため、Infineonがタイに後工場を設立、ルネサスは新型パワーMOSFETを発売し、SCREENはパワー半導体需要の200mm製造装置の新工場を設立する。 [→続きを読む]
アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導体テスターを開発
アドバンテストは、ダイシングフィルム上でパワー半導体をテストできるシステムを開発した。数百V、数十Aという高電圧・大電流を扱うパワー半導体では、安全性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスター装置の経験豊かなイタリアCREA（Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.）社を2022年8月に買収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導体のテスターに進出した。 [→続きを読む]
onsemi、1〜90V動作可能なアナログ・ミクストシグナルIC「Treo」の戦略
インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサを標榜するonsemiは、それらの中間に位置するアナログプラットフォームを一新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。自動運転車やロボット、ドローンなど自律的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khoury氏がその戦略を語った。 [→続きを読む]
TIが会津工場でGaNを生産開始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ技術
パワー半導体技術が活発になっている。Texas Instrumentsは、テキサス州ダラス工場に加え、日本の会津工場でもGaNパワー半導体の工場を稼働させたことを発表した。ダラスのGaN第1工場だけでなく会津の第2工場がフル生産するようになると生産能力は4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える生産を構築した。 [→続きを読む]
TI、DLPディスプレイ用のコントローラなどチップセットを刷新
Texas Instrumentsは、DLP（Digital Lighting Processing）ディスプレイのコントローラ（図1）とDMD（Digital Micromirror Device）などのチップセットを一新させた。DMDはMEMS技術を使って、画素ごとに微小なアルミのミラーを操作して光を反射させるプロジェクタに使う半導体チップ。この度4KのUHD（Ultra-High Definition）ディスプレイ駆動チップセットを発売した。 [→続きを読む]
Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセス活用に期待
パワー半導体大手のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨年カナダのGaN Systemsを買収したことで、GaN開発が加速した。GaNパワー半導体は高速ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という特長を併せ持つ。 [→続きを読む]
