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Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセス活用に期待

パワー半導体大手のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨年カナダのGaN Systemsを買収したことで、GaN開発が加速した。GaNパワー半導体は高速ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という特長を併せ持つ。

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