パッケージング技術でパワーMOSFETの熱抵抗を大きく改善したInfineon
パワー半導体の巨人Infineon Technologiesが、冬の時代を迎えているパワー半導体への次の手を打ち始めた。シリコンのパワーMOSFETやIGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTなどパワー半導体の製品ポートフォリオを広げ、しかもクルマ市場をにらみながら新型コロナ後を狙って着々と準備を進めている。 [→続きを読む]
パワー半導体の巨人Infineon Technologiesが、冬の時代を迎えているパワー半導体への次の手を打ち始めた。シリコンのパワーMOSFETやIGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTなどパワー半導体の製品ポートフォリオを広げ、しかもクルマ市場をにらみながら新型コロナ後を狙って着々と準備を進めている。 [→続きを読む]
GaNパワーデバイスが立ち上がりそうだ(図1)。2019年9月に中国大手スマートフォンメーカーOppoがGaNパワーICを高速充電回路に採用したことを受け、GaN半導体が急速に立ち上がるという予想を市場調査会社のYole Developpementが打ち立てた。民生市場での採用はGaN市場が大きくなるという意味である。 [→続きを読む]
今年のノーベル化学賞は、リチウムイオン電池の発明者である米国テキサス大学オースチン校のJohn Goodenough氏、ニューヨーク州立大学ビンガムトン校のStanley Whittingham氏と共にリチウムイオン2次電池の実用化にこぎつけた、旭化成の名誉フェロー、吉野彰氏が受賞した。今年の授賞理由は一般にもわかりやすい業績である。 [→続きを読む]
薄膜技術による全固体リチウムイオン電池は、半導体プロセス技術で製造するウェーハベースのバッテリ製造技術であるが、医療用に人体に埋め込む用途では10年以上使えるメドが立った。英国のファブレス企業Ilika(イリカと発音)社は、新型電池Stereax M50を開発、生体埋め込み可能な応用としてその製造方法をライセンス開始した。 [→続きを読む]
Infineon Technologiesが強いパワー半導体を戦略的な投資によってさらに強くする。オーストリアのフィラハ工場に2番目の300mmラインを導入、硬いSiCのインゴットから簡単にウェーハをカットできる技術を持つSiltectra社を買収、中国で電気自動車の製造・販売会社を合弁で設立するなど、クルマや産業向けに積極的に投資し未来を盤石にする。 [→続きを読む]
SiCパワーMOSFETが従来のIGBT(Integrated Gate Bipolar Transistor)に取って代わると言われ続けて数年たったが、SiCパワー半導体の特性向上は着実に進んでいる。性能を競うというより、実用化を加速する動きが出てきた。また、IoTを駆使して生産性を上げるデジタルトランスフォーメーションが始まった。 [→続きを読む]
日本のクルマ市場へ参入する米国半導体が増えているが(参考資料1、2)、ADAS向けのパワーマネジメントに特化したICをMaxim Integratedが4種類発売した。全て自動車用途を狙った製品で、中には同軸ケーブルに電源を載せるPower-over-Coax機能の製品もある。カメラ用、レーダー用、さらには電源保護回路ICもある。 [→続きを読む]
ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV(電気自動車)用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場(図1)にSiCデバイスの6インチラインを増設する。 [→続きを読む]
ディスクリート半導体という汎用製品でどう前に進むか。NXP Semiconductorの旧スタンダード・プロダクト事業部門から2017年2月に分離独立したNexperiaは、どのようにして将来を開くか、このほど来日した同社の製品部門長2名が今後の戦略を語った。 [→続きを読む]
USB Type-Cは、iPhoneのケーブルのように裏表を逆にしても接続でき、しかも電力を100Wまで供給できるというメリットがある。ディスプレイのHDMIやDisplayPortなどもType-CのAltモードで使えるようになり、パソコンやスマートフォンのケーブルはType-C1本ですむようになる。USB Type-Cの認証チップを最も多くそろえているCypressがUSB-Cチップを続々出せる理由は何か。 [→続きを読む]