パワー・パワーマネジメント
ドイツのIDMであるInfineon Technologiesが好調だ。先日、発表された2013年度第4四半期(会計年度は10月〜翌9月)の決算では、売り上げが前年比7%増の10億5300万ユーロ(約1442億円)、利益率14%だった(図1)。IDMとして事業の応用分野を絞り込み、メモリの苦しい債務を乗り越えて達成した。キャッシュフロー重視経営を鮮明にしている。
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厚さ0.15mm(150µm)とA4用紙のように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商品化された。Siウェーハ上に薄膜を形成する製法を使うため、Si LSI回路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP(Package on package)や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは米ベンチャーのCymbet社。
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オーストリアの半導体メーカーamsは、Liイオンセルを自律的にバランスさせるICを製品化した。電気自動車やプラグインハイブリッドカーでは、Li電池セルを直列に100個程度接続したバッテリスタックが動力エネルギーとなる。このICは、セル間のバラつきを自律的にかつ簡単に減らそうというもの。
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静かなCEATECが終わり、今週始まるITS世界会議との端境期に当たった先週、ビッグニュースはないが、クルマ関連のニュースがいくつか出ている。トヨタの衝突回避車、デンソーとアイシン精機のカーエレクトロニクス、IMVの振動試験装置などのニュースが目立った。
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10月1日から5日まで国内エレクトロニクス最大のショー、CEATEC 2013が千葉県の幕張メッセで開かれた。残念ながらその規模は年々小さくなっている。話題としては4Kテレビを日経産業新聞も日刊工業新聞も取り上げてはいたが、今一つ盛り上がりに欠けていた。開けてみると、民生機器より部品メーカーのヘルスケア関連を日経産業新聞は採りあげた。
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イスラエルに本社を置くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを明らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger氏が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。
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Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。
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パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。
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Altera(アルテラ)社が電源メーカーのEnpirion(エンピリオン)社を買収したと発表した。FPGAメーカーであるAlteraがなぜ電源メーカーを買収したのか。一見関係のないように見えるこの提携は、28nmや20nmといった最先端の微細なLSIを正常に動作させるために電源がカギを握ること、ソリューションビジネスが重要になってきたことと深く関係する。
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究極の超低消費電力動作を目指して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギーハーベスティング用デバイスを開発、ユーザーに提案するため、ESEC(組込みシステム開発技術展)に出展した(図1)。このデバイスは、200mVを直接1.8Vに昇圧するDC-DCコンバータと、4μWで動作するマイクロコントローラ(マイコン)だ。
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