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パワー・パワーマネジメント

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コスト的にもSiに勝てるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

コスト的にもSiに勝てるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→続きを読む]

Infineonのパワー半導体、新パッケージ技術で差を付ける

Infineonのパワー半導体、新パッケージ技術で差を付ける

パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]

Alteraが高効率電源メーカーEnpirionを買収した理由とは?

Alteraが高効率電源メーカーEnpirionを買収した理由とは?

Altera(アルテラ)社が電源メーカーのEnpirion(エンピリオン)社を買収したと発表した。FPGAメーカーであるAlteraがなぜ電源メーカーを買収したのか。一見関係のないように見えるこの提携は、28nmや20nmといった最先端の微細なLSIを正常に動作させるために電源がカギを握ること、ソリューションビジネスが重要になってきたことと深く関係する。 [→続きを読む]

ルネサス、0.2V→1.8Vの昇圧DC-DCコンと4μWで動作するマイコンを開発

ルネサス、0.2V→1.8Vの昇圧DC-DCコンと4μWで動作するマイコンを開発

究極の超低消費電力動作を目指して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギーハーベスティング用デバイスを開発、ユーザーに提案するため、ESEC(組込みシステム開発技術展)に出展した(図1)。このデバイスは、200mVを直接1.8Vに昇圧するDC-DCコンバータと、4μWで動作するマイクロコントローラ(マイコン)だ。 [→続きを読む]

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