技術分析(半導体製品)
5Gの新しい基地局技術O-RANに見られるようにシステムを分割するディスアグリゲーションが進んでいる。これまでは何でもかんでも全て統合化する傾向にあったが、それらを分割し、汎用性を持たせて顧客が専用機を作れるようにする「レゴ」のような発想だ。それに向けたFPGA製品をLatticeがリリース、O-RANソリューションスタックも用意した。
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今後車載カメラが十数個搭載されるようになると、カメラからのデータをクルマ内のドメインコントローラやECUなどカーコンピュータユニットに送られる配線は極めて複雑になる。複数の配線を1本にまとめるSerDesチップは欠かせなくなる。この市場を狙ったイスラエルのValens Semiconductorが日本の自動車市場にやってきた。
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Industry 4.0は、そう簡単には進まない。世界各地の工場はそれぞれ独自のネットワーク規格やプロトコルで動いているからだ。独自規格をIndustry 4.0を実現するTSN(Time Sensitive Network)規格に変換しながら下位互換性を持たせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN規格と主要な複数の産業用ネットワークを切り替えられるマイコン「i.MX RT1180」を製品化した。
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EV(電気自動車)の急速充電や再生可能エネルギーのDC-ACコンバータなどの用途に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン抵抗を減らした製品が競い合っている。UnitedSiCを買収したQorvoが1200V耐圧でオン抵抗23mΩ(図1)、SiCデバイス販売額トップのSTMicroelectronicsを追いかけるInfineonが2000V耐圧でオン抵抗20mΩ程度のSiC MOSFETを発表した。
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耐圧1200Vと高く、しかもオン抵抗7mΩと損失の小さなSiCパワーMOSFETをInfineon Technologiesが出荷し始めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、標準のTO247パッケージの単体トランジスタに加え、インバータなどに適したパワーモジュールEasy 3Bパッケージも提供する。
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GPU(グラフィックスプロセッサ)メーカーのファブレス半導体Nvidiaが800億トランジスタを集積、TSMCの4nmプロセスノード(4N)で製造した次世代GPUとなるNvidia H100(図1)を開発した。今週開催されているGTC(GPU Technology Conference)2022の基調講演で、同社CEOのJensen Huang氏が明らかにした。パッケージングにもTSMCのCoWoS技術を使った。
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